芯片先进封装新工艺：SiC中介层衬底
美国最新研究表明，在技术方面，将碳化硅中介层用作主动热层，在层内添加微流体通道来实现局部冷却，未来12英寸碳化硅成本达到较为合理的位置，它在2.5D先进封装的应用是可以帮助芯片厂商解决散热的大麻烦。台积电已经向部分企业提出明确的12英寸中介层SiC衬底需求，今年将开启交付，预计2027年的需求预期量将翻倍增长。
《2026碳化硅（SiC）衬底与外延产业调研白皮书》正在进行调研工作，即将发布，中介层SiC衬底新工艺将引爆市场对SiC的增量需求。
露笑科技：国内少数已实现
6 英寸碳化硅（SiC）衬底量产，并积极布局 8 英寸、12 英寸大尺寸碳化硅（SiC）衬底的核心企业。露笑科技一期规划6英寸碳化硅（SiC）产能为30-50 万片/年，已投产并爬坡。公司12英寸碳化硅最近已取得关键性突破，导电与半绝缘双赛道齐头并进。
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