刚才写了一篇，感觉有些内容没写到，再补充一篇，刚才那篇的地址在这里一文讲清SiC当前所在节点，以及产业演绎顺序梳理
中午想午休会，简单写一下：
一、碳化硅在不同场景的需求和放量节奏
8英寸成为量产主轴，2026年Q2“价稳量增”拐点明确：行业判断2026年Q2为“价稳量增”的拐点；此前6英寸价格战触底，6英寸价格2024年中跌至500美元以下（接近成本）后在2026年出现结构性回暖；8英寸价格止跌企稳并小幅上行，龙头利用率显著提升（头部衬底厂利用率>90%），指向有效供给与需求修复并行。AI数据中心电源：2026验证起量→2027规模采用节奏与规模：专家口径指向2026年AI电源SiC收入约3亿美元、2027年5-6亿美元；今年器件交付Q3起量，机柜与电源柜Q4更明显，2027年同比1.5-2倍增长；800V HVDC/±400V均在推进，8kW/12kW以上电源将大量使用SiC。储能PCS：2026年为SiC渗透关键年：多方报告一致指向2026年SiC PCS渗透率有望达约10%，大型储能/工商业储能同步放量，带动功率半导体链条国产化；国电南自已实现构网型PCS核心器件100%国产替代（指示供应链成熟度）。SST/直流化：2026-2027年示范到放量：SST正小批出货与示范，工程实测指向每kW约5美元的SiC价值量（远低于市场传闻），但中压直转800V的拓扑强调高压SiC器件，对≥3300V段形成持久拉动；2027年前后与800V DC供配电协同放量。车规：2026-2028年再提速，受益于8英寸降本与800V普及：25年前三季测算车用SiC整体渗透率尚低（累计至Q3不足5%），叠加2026年供给格局重塑与8英寸成本下行，车用平台将进入从“高端专属”到“普及”的加速期。12英寸（先进封装/光学）：2026-2027验证-小批量，结构性紧缺：国内龙头已实现12英寸半绝缘/N/P型衬底研发突破与中试线贯通，进入客户验证；在先进封装与光学端需求明晰，但当前良率/成本决定“有效产能紧缺”属性仍在，放量节奏取决于大客户定版与目标价带（3000-4000美元/片）能否实现路径收敛。SiC 器件市场规模 （按应用划分） （亿美元）
可以看出8英寸的价格26Q2已经企稳并大涨同时伴随放量，8 英寸规格结构性紧缺，6 英寸低端产能过剩，12英寸远期空间极大，当前处于送样和小批量阶段。
同时还可以看出在很多场景当前都处于放量阶段，即将迎来爆发。
不同环节当前的涨价情况：
设备先行→衬底材料涨价→下游器件业绩兑现
二、重要信号和技术前沿前瞻
除了以上多场景的放量需求外，还可以看一下潜在的可能需求带来的潜在额外增量：
台积电应英伟达的要求开始研究将 SiC 中介层应用于 CoWoS
散热上台积电也并未放弃碳化硅散热，在更广阔的中端算力、功率半导体、车载电子等领域，碳化硅凭借高性价比、成熟工艺、良好结构强度三大核心优势，仍是不可替代的核心散热材料，市场需求持续旺盛。
未来还可能开发研究复合散热：碳化硅与金刚石协同发展，开辟新赛道
产业界并未将碳化硅与金刚石视为对立关系，而是在探索二者协同发展的新路径——金刚石-碳化硅复合基板。目前，国内已有企业推出200μm SiC+200μm金刚石的复合基板，兼顾了碳化硅的结构强度、低成本与金刚石的超高导热性，可广泛应用于高端GaN射频器件、大功率激光器、航空航天芯片等场景，实现性能与成本的平衡，进一步拓展了两种材料的应用边界。
SiC衬底制造与对应主要设备12英寸SiC放大后在外延、刻蚀、退火、减薄与CMP等多环节对设备与工艺能力要求显著抬升，形成“良率瓶颈—有效供给受限”的结构性紧缺特征。三、哪些环节已出现紧缺
1、核心紧缺环节
环节紧缺判定关键证据代表标的200mm SiC衬底已紧缺/再定价8吋下游FAB新增合计243万片/年，去年8吋衬底<20万片/年；全球8吋月产能仅几万片，爆发即锁供；6吋价格2024年跌至500美元以下后2026年结构性回暖，8吋止跌企稳并小涨。天岳先进、晶盛机电、天科合达、三安光电外延（200mm）偏紧/爬坡周期长外延设备与工艺高温高难，验证周期长；国内8吋/高压厚膜外延产能与标准化加速，瀚天天成12吋外延突破、天域高压厚膜量产。瀚天天成、天域半导体设备（长晶/切磨抛/CMP/外延炉）订单倍增/先行指标强晶升、新益昌设备订单前四个月即翻倍；浙江晶瑞SuperSiC 8吋60万片/年加速投产；设备与材料端最先兑现业绩。晶升股份、晶盛机电、华海清科专业代工/成熟功率产线紧平衡走向更紧交期至30周、全球与国内功率离散普涨；TSMC产能向先进封装、英飞凌转换闲置IGBT至MOSFET；X-FAB SiC出货量高增但基数仍小。X-FAB（参考）、华润微（功率IDM）高压SiC器件（≥3300V/10kV+）供不应求/AIDC+SST核心10kV+供不应求；SST方案集中示范，3300V/1200V协同拓扑成熟；英飞凌/安森美SiC在AI电源环比30%增长、年增“低双位数”。芯联集成（3300V+）、时代电气（6500V轨交）、士兰微（车规SiC）150mm（6英寸）衬底相对宽松2024年价格至500美元以下、逼近成本线；2026年回暖但不改整体充足格局。天科合达、同光股份（参考）中低压器件供需趋平衡行业梳理中明确中低压段供需平衡、涨幅有限。士兰微、华润微（结构受益）SST整机/直流配电与保护验证加速/需求前置台达、阳光电源、四方、金盘、中国西电集中发布样机与产品；直流化（800V）成为AIDC趋势，配电与保护刚需提升。阳光电源、金盘科技、四方股份、中国西电、良信股份（SSCB）短期（2026–2027）：结构性短缺为主。先进封装与光学需求已明确启动，2026年台积电交付、2027年翻倍使高质量12"衬底/外延的有效供给成为主矛盾；当前价格极高（至2万美元/片）与设备厂“12寸长晶炉小批出货”的并存，正是“验证放量—再投资”的前夜特征。中期（2028–2030）：良率决定供给弹性与再定价空间。行业白皮书与多方判断强调12"仍有核心瓶颈（热场/翘曲/全流程切磨抛），但一旦良率上台阶，价格目标3000–4000美元/片可期；若按75% CoWoS替换率推演，2030年需求>369万片、对应规模>700亿元，供给侧将从“偏紧”转向“紧平衡”，价格体系进入再定价。碳化硅产业链
碳化硅放量的主线节奏是“设备/材料先行→8英寸主流化量产→AI电源/储能PCS与SST在2026-2027年加速→车规再度提速→12英寸在先进封装与光学的结构性放量”。
整体碳化硅行业后续是有翻倍、翻倍再翻倍的空间的，晶升看到10倍也就是1000%，天岳来个20%都不敢么，隔夜美股涨得最多的是同是衬底的wolf。
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