【概念定义】
先进封装：泛指通过晶圆级工艺（凸块Bump、重布线RDL、硅通孔TSV、混合键合Hybrid Bonding等），把多颗芯片高密度集成到一起的封装技术总称。
一句话理解：传统封装解决"把芯片保护起来、接上电路"；先进封装进一步解决"芯片之间怎么离得更近、连得更密"——把原本分散的GPU、HBM内存、各种芯粒（Chiplet）拼成一个整体。
【三大驱动力】
算力驱动：芯片I/O数量从几十上百个增长到上万个，接点间距缩小到100μm以下，传统引线键合无法满足，倒逼封装转向晶圆级高密度互连；
存储驱动：HBM从8/12层堆叠往16-20层演进，单片DRAM需减薄至30μm以下，TCB热压键合成为主流、混合键合是下一站；HBM4的Base Die还将加入逻辑工艺，存储和算力的绑定越来越深；
光互联驱动：台积电COUPE平台把光电转换从PCB下沉到封装内部，单位传输功耗从传统铜互连的30pJ/bit以上降到2pJ/bit以下，带宽密度提升至1Tbps/mm²量级。
【市场规模】
全球先进封装：2024年约407.6亿美元 → 2029年预计674.4亿美元，CAGR 10.6%（同期传统封装CAGR仅2.1%）；其中2.5D/3D封装：2024年81.8亿美元 → 2029年258.2亿美元，CAGR 25.8%，为各技术路线中增速领跑者；中国大陆先进封装：2024年约513.5亿元 → 2029年预计1005.9亿元，CAGR 14.4%，2029年占大陆封测市场比重预计升至22.9%。【技术路线图谱】
【供需格局】
【产业链分层】
上游（设备+材料）：毛利率45%-60%/35%-45%
设备：刻蚀、激光打孔、临时键合/解键合、超高精度固晶、量检测材料：ABF载板（大陆高层数自给率约5%）、颗粒状环氧模塑料GMC（自给率5%-10%）、高纯电镀液与前驱体中游（中道Foundry+后道OSAT）：
中道（中介层流片、晶圆键合，毛利率50%-55%）：被具备前道能力的晶圆厂主导；台积电3D Fabric联盟形成"流片+封装"生态闭环后道（组装测试，毛利率15%-25%）：日月光、安靠、长电等承接代工厂外溢订单下游：
Fabless设计公司+云厂商；采购模式出现"去中间化"，CSP直接向代工厂锁产能、指定芯粒拼装方案【国内公司梳理（按环节）】
晶圆厂延伸：
中芯国际：2026年1月成立先进封装研究院，4月设立芯三维半导体；具备CIS 3D键合、硅中介层工艺积累，对外供应Interposer，看"制造+封装"一体化交付华虹宏力：3月成立上海华曜芯半导体（注册资本10亿元）OSAT封测厂：
盛合晶微：大陆2.5D市场份额约85%（招股书口径，按2024年收入计）；SmartPoser平台覆盖硅转接板/有机转接板/嵌入式硅桥三条路线；IPO募资约48亿元投向2.5D/3D扩产，建成后新增1.6万片/月三维多芯片集成产能+4000片/月超高密度产能长电科技：布局2.5D/3D、Chiplet、XDFOI、FCBGA、SiP、CPO；2026年资本开支预算约100亿元，临港项目78亿元建2.5D/3D产能（一期2028年下半年投产）；韩国基地加码HBM存储封装并承接海外2.5D订单华天科技：覆盖SiP/FC/TSV/Bumping/FO/WLP/PLP/2.5D/3D全路线；南京2.5D/3D产线通线，FOPLP进入生产阶段；南京二期拟投30亿元建存储封测产线（2028年建成）甬矽电子：FH-BSAP平台覆盖扇出/2.5D异构/3D堆叠；二期110亿元+三期103亿元，年内封测行业单笔投入较大的扩产项目专业型封测：
汇成股份：显示驱动封测起家，子公司拟投不低于75亿元在上海嘉定建HITS先进封装平台（超窄间距凸块、超细RDL、大尺寸中介层、混合键合、TSV）；通过鑫丰科技布局DRAM封测，目标2027年底产能6万片/月颀中科技：苏州三期24.54亿元加微尺寸凸块、Fan-in WLCSP；投资奕成科技（55亿元规划玻璃基板级封测工厂）伟测科技：第三方测试，覆盖晶圆/成品/系统级/老化测试；拟发不超20亿元可转债，15亿元投向上海和西南基地扩AI算力、存储测试产能未上市关注：
青耘科技（兆易创新控股）：WoW晶圆对晶圆3D DRAM堆叠，端侧AI定制存储，2025年下半年送样、预计2026年量产奕成科技：玻璃基板级高密度封装（TGV路线）设备/材料延伸：华海清科、中微公司、芯碁微装、光力科技（设备）；华海诚科、德邦科技（材料）
【风险提示】
先进封装需求不及预期；技术路线迭代变化；客户导入与量产进度低于预期；产能扩张带来折旧与盈利压力；设备材料供应链受限；良率爬坡风险。
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