长鑫科技招股书显示，合肥沛顿作为关联方，系长鑫科技封测服务供应商之一。深科技公司高管日前在业绩说明会上透露，目前公司合肥封测处于满产状态，正有序推进扩产规划。5月26日晚间公司公告，为满足高端存储芯片封装测试市场增长需求，全资子深圳沛顿及控股子公司合肥沛顿拟实施高端存储芯片封测产能扩充项目，项目计划总投资14.70亿元，用于购置高端芯片测试机、高精度晶圆研磨一体机等设备、厂房装修及配套动力设施等，项目建成达产后，深圳沛顿预计每月增加封装产能500万颗晶粒及测试产能800万颗芯片；合肥沛顿存储预计每月增加封装产能2880 万颗晶粒。
本次扩产项目由深科技旗下两家核心半导体封测子公司分别推进。其中，深圳沛顿为深科技全资子公司，成立于2004年，主营DRAM、NAND FLASH等高端存储芯片封装与测试服务；合肥沛顿存储为控股子公司，深科技持股55.88%，国家集成电路产业投资基金二期为重要股东，主营半导体器件及晶圆封装测试业务。公告显示，深圳沛顿产能扩充项目总投资6.4亿元，建设地点位于深圳市福田区现有厂区内，无需新增用地。项目包含1200平方米厂区改造、动力设施配套，新增封测设备约185台（套），计划2027年6月建成投产。资金来源方面，4亿元为自筹资金，2.4亿元申请银行长期贷款，项目税前投资回收期为8.63年。达产后，深圳沛顿每月将新增封装产能500万颗晶粒、测试产能800万颗芯片。合肥沛顿存储封测产能扩大项目总投资8.3亿元，选址于合肥经开区现有厂房，建设内容涵盖12000平方米厂房装修及新增封测设备约325台（套），计划2027年12月建成。投产后，合肥沛顿存储每月新增封装产能2880万颗晶粒，大幅提升高端存储芯片封装供给能力。
深科技四大核心优势技术壁垒：
国内唯一 DRAM/NAND 全流程封测，491 项专利，5nm 工艺量产。
产能壁垒：深圳（高端）+ 合肥（规模）双基地，产能利用率长期 100%。
客户壁垒：深度绑定 SK 海力士、英伟达、长鑫存储、长江存储。
央企壁垒：背靠 CEC，政策与资金支持力度大，抗风险能力强。
封测环节（订单兑现最确定）
长鑫封测分工清晰：深科技主要承接传统DDR、LPDDR内存成熟封测，以数量口径计占60%-70%；通富微电聚焦高端DDR5与HBM先进封装，以金额口径计占约45%。
深科技（000021）子公司沛顿科技承接长鑫约60%-70%委外封测订单，合肥基地紧邻长鑫产线，当前月产能8.2万片，2026年计划扩至16万片/月。
通富微电（002156）长鑫高端DDR5+HBM唯一战略封测伙伴，金额占比约45%，长鑫已是通富第一大客户。公司宣布试生产HBM2工艺，深度切入AI算力核心存储赛道。
长电科技（600584）全球封测龙头，董事侯华伟担任长鑫董事，长鑫已晋升为长电第一大客户，来自长鑫的存储封测订单占长电自身营收约50%。
汇成股份（688403）通过联营企业合肥鑫丰布局DRAM封测，是国内最早为长鑫提供LPDDR封装配套的厂商之一，规划2027年底将DRAM封装产能提升至6万片/月。
华天科技（002185）为包括长鑫在内的国内存储芯片企业提供封测服务，产品覆盖2.5D/3D先进封装，是长鑫封测多供应商体系中的重要一环。
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