AI PCB升级,又带火一种上游材料

2026-09-17 20:31:043



核心逻辑 1:覆铜板向高等级方向走,填料从"配角"变成"主料"

普通覆铜板里的硅微粉填充比例大约 15%,高端产品已经逐步提高到 40%—70%。填充比例翻倍以上,硅微粉的角色就从"省树脂的填充料"变成"决定介电性能的功能组分"。这是量增的第一层。


核心逻辑 2:不只是加得多,还要加得好

产品形态同时在做代际切换:普通角形粉 → 熔融硅微粉 → 火焰法球形粉 → 直燃法球形粉 → 化学法球形粉。角形产品单价每吨几千元,高端球形、亚微米和纳米级产品单价可以走到每吨几十万元。量增叠加结构升级,是第二层。


核心逻辑 3:封装端给了另一块基本盘

环氧塑封料(EMC)里无机填料占 70%—90%,其中九成以上是硅微粉。先进封装朝着更薄更密的方向走,液态塑封料、颗粒状塑封料、底部填充胶的用量增加,对低铀、小粒径、高流动性球形粉的需求同步上台阶。这是第三层,也是波动相对小的一层。


一、行业现状:覆铜板升级时,容易被忽略的那一环

聊 AI 硬件,市场的注意力基本集中在 GPU、HBM、先进封装、PCB 层数上。往下追一层,会聊到覆铜板等级:M6、M7、M8、M9。再往下追一层,会聊树脂体系、铜箔、玻纤布。


但很少有人继续往下追:这些等级是靠什么配方堆出来的。


硅微粉就是这一层里被讨论得偏少的材料。它的本质不复杂,就是经过加工的二氧化硅粉末。但它的作用并不"打杂":


压低热膨胀系数:二氧化硅膨胀系数远低于树脂,填料比例上去后,板材在冷热循环里的尺寸稳定性明显改善;
改善导热与绝缘:给树脂体系提供热量传导通路;
降低介电损耗:二氧化硅介电常数和介电损耗相对低,这一点在高速场景下是硬指标;
提升机械强度。

高速场景还有个额外的物理约束:AI 服务器内部数据交换速率极高,频率越高,材料本身对信号的吸收损耗越明显。所以等级越高的板,对填料的纯度、粒径一致性要求越苛刻。


行业里现在把无机功能填料称作铜箔、树脂、玻纤布之外的"第四类关键原材料",说的就是这件事。


**这一环卡在哪:**真正难的不是把石英磨成粉,而是把粉做成"球形率高、粒径集中、纯度够、界面结合好"的稳定产品。这四件事同时成立,才有资格进入高等级配方。


二、产业进展:从公开信息能摸到的实锤

按公开披露与公开渠道资料梳理(以下内容如未经企业正式公告确认,以公告为准):


技术代际已有明确分工。
火焰法球形硅微粉可做出纯度超 99.5%、球化率超 95% 的微米级产品,主要用于 M6 覆铜板、HDI 与 BT 载板;直燃法可把粒径推进到亚微米级,产品更纯、粒度分布更集中,对应高阶 HDI、IC 载板与类载板;化学法在球形度、纯度与粒径控制上更进一步,已开始对应 M8、M9 及以上高速覆铜板。


下游等级迁移路径清晰。
以公开资料梳理的服务器平台为例,Blackwell 架构的 OAM 与 UBB 板主要采用 M7、M8 等级;Rubin 系列开始升级到 M8、M9;其交换板预计使用 M8.5、M9;正交背板则需要 M9 或更高等级的超低损耗体系。


交换机的层数在实打实地往上堆。
25.6T 交换机大约需要 30 层 PCB,51.2T 已提高到 38—46 层。速率继续从 800G 往 1.6T 走,对覆铜板介电损耗的要求还要继续下探。


封装端的结构变化也在发生。
HBM、SiP、FOWLP 等封装方式朝着更薄更密的方向演进,传统固态塑封料在流动性与翘曲控制上越来越吃力,液态塑封料、颗粒状塑封料与底部填充胶用量增加。这些材料需要粒径更小、放射性更低、流动性更好的球形硅微粉。


三、需求放量的三道锁

第一道锁:填充比例。
从 15% 到 40%—70%,同样的板材面积,粉体用量成倍抬升。这是相对容易算出来的一层。


第二道锁:形态切换。
角形粉填充比例一高,体系黏度急剧上升,压合时树脂难以充分浸润玻纤布,容易出现气孔、分层、缺胶。球形粉之间近似点接触,摩擦小、易滚动,同等黏度下能塞进更多粉体。实际生产还要做级配——用大、中、小不同粒径复配,让小颗粒填进大颗粒的空隙——再用硅烷偶联剂做表面改性,解决无机粉体与有机树脂的界面结合问题。


第三道锁:等级绑定。
M8、M9 这类超低损耗体系,树脂、玻纤布、铜箔、填料是绑在一起做配方的。等级越往上,能匹配的填料牌号越少,切换成本越高,一旦通过认证,供应链黏性反而更强。


四、空间测算与验证

先看第三方机构的公开口径:


数据来源为 Prismark、QY Research 等机构公开口径。


这里要提醒一句:以上均为机构预测值,不是既成事实。预测的前提是下游平台按期推进、高等级板材如期放量。若平台节奏推迟,实际曲线会明显低于预测值。本文不对上述预测值做任何背书,也不做任何延伸推算。


值得注意的是斜率的差异:封装端球形硅微粉是稳健增长,而 M6 以上高速覆铜板对应的球形粉五年复合增速接近 40%。原因在于 AI 服务器带来的不是"多几块板",而是"单位面积填更多粉、填更好的粉"——层数增加与等级提升两个因子是相乘关系。


五、技术路线拆解

普通角形硅微粉 → 熔融硅微粉 → 火焰法球形硅微粉 → 直燃法球形硅微粉 → 化学法球形硅微粉



需要说明:这条路线不是简单替代。不同等级产品对应不同等级板材,成本结构不同,中低端产品在未来较长一段时间里仍有巨大存量市场。被 AI 直接拉动的是上面那一层——高纯、超细、球形度高的产能。


价格差距也由此拉开:从普通角形产品到高端球形、亚微米和纳米级产品,单价大致从每吨几千元走到每吨几十万元。


六、国内供给格局

国内普通角形硅微粉的产能体量不小:



高端球形硅微粉的格局则不同。这一块长期由日本电化、日本龙森、新日铁、雅都玛等企业占据较高份额,尤其是亚微米和纳米级产品,国内厂商进入时间更晚。


目前国内企业正从火焰法往直燃法、化学法推进。真正需要观察的是三件事:M8、M9 高速覆铜板、IC 载板与先进封装这些高端应用能不能通过客户验证;能不能形成稳定批量供货;高纯石英原料端的供给是否跟得上。


七、相关公司(产业链位置梳理,非推荐)

以下依据公开披露信息与公开渠道资料整理,仅用于说明产业链位置,不构成任何推荐。


联瑞新材


产业链位置:球形硅微粉、角形硅微粉及多种无机功能填料供应商。
核心竞争力:2010 年突破火焰法球形硅微粉技术,2012 年开始批量销售,此后开发出亚微米级产品,产业化时间在国内相对早;2024 年球形硅微粉产能约 3.6 万吨,规模优势明显;在建 3600 吨高性能高速基板用超纯球形二氧化硅项目,同时推进液相法球形二氧化硅的客户认证,产品矩阵从微米级向亚微米、向化学法延伸。

锦艺新材


产业链位置:火焰法、直燃法、化学法三类球形硅微粉全覆盖的粉体企业。
核心竞争力:三条工艺路线同步布局,是国内少数同时具备直燃法与化学法能力的企业之一;截至 2025 年底球形硅微粉产能 5382 吨,并计划投资 13.9 亿元扩建电子信息用高性能粉体材料;化学法与直燃法产品主要对应更高等级覆铜板、IC 载板等市场。(部分进展由公开渠道整理,以企业正式披露为准。)

凌玮科技


产业链位置:通过控股子公司切入化学合成法球形二氧化硅。
核心竞争力:通过收购江苏辉迈 70% 股权,获得化学合成法球形二氧化硅的产业化能力,切入 IC 载板与先进封装领域;2026 年上半年江苏辉迈实现营业收入 1900 余万元,营业利润超过 1000 万元。化学法路线在球形度与粒径控制上具备先天优势,是高等级板材填料的潜在供应路径之一。

雅克科技


产业链位置:旗下华飞电子供应亚微米级球形硅微粉与球形氧化铝。
核心竞争力:已实现亚微米级球形硅微粉和球形氧化铝的稳定供货,同时具备硅、铝两条粉体路线的供应能力,这在 HBM 等高导热封装场景中是加分项;目前还在拓展 M8、M9 级高频高速覆铜板填料的海外市场,产品从传统粉体继续向高等级高速材料延伸。

国瓷材料


产业链位置:多品类无机填充材料平台型企业。
核心竞争力:已开发低损耗球形氧化硅,同时布局高介电、高导热、低介电、超低损耗等多种无机填充材料,品类宽度在国内企业中相对突出;2026 年上半年部分产品实现关键技术突破,多家头部客户验证速度加快,已有产品进入小批量销售阶段。材料平台能力使其能同时对接覆铜板与封装两类客户。

凯盛科技


产业链位置:半导体二氧化硅与电子封装球形粉体的新进入者。
核心竞争力:建设了年产 5000 吨半导体二氧化硅生产线,目前处于试生产与工艺调试阶段,中间产品硅溶胶和高纯超细球形二氧化硅已获得小批量订单;电子封装用球形粉体项目已建成 2 条球硅和 2 条球铝生产线,并开始向下游客户批量供货。硅铝双线同步建设,对应封装端对导热的不同需求。
八、风险提示与利益披露

风险提示:


下游 AI 服务器与交换机的平台节奏存在不确定性,若等级迁移时点后移,高等级填料的需求曲线会同步右移;
高等级产品认证周期长,存在长期停留在小批量阶段、无法形成稳定批量的可能;
高纯石英原料端若出现供给扰动,可能压缩粉体企业的盈利空间;
球形氧化铝或其他替代填料在部分场景中的渗透比例可能超预期;
树脂或板材体系若出现新技术路线,对填料的需求强度存在下降可能;
本文引用的第三方机构数据为预测口径,与实际情况可能存在偏差。

利益披露: 本文作者未持有文中提及企业的相关头寸,与文中企业无利益关系。本文仅为产业信息整理与逻辑梳理,不构成任何投资建议,也不构成对任何证券的推荐或评价。市场有风险,决策需谨慎,一切以企业正式公告与定期报告为准。

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