【脱水研报】华西证券:玻璃基板行业专题研究——先进封装升级,玻璃基板产业进展不断

2026-10-11 20:56:168℃

研报来源:华西证券《玻璃基板行业专题研究:先进封装升级,玻璃基板产业进展不断-260929》

发布机构:华西证券

分析师:刘文正、刘志来

发布时间:2026年9月29日

行业评级:推荐

一、核心结论

AI封装向多裸片、多HBM、大尺寸演进,推动玻璃基板从技术开发走向客户项目;2027—2028年是首批客户导入的重要观察窗口,2028—2030年有望进入收入增长阶段,兑现程度取决于客户认证后的连续交付和扩线。设备订单有望先于基板收入出现,材料复购和完整基板放量需跟随客户产品周期。

一句话:先进封装升级驱动玻璃基板产业化,2027-2028年客户导入窗口,设备订单先于基板收入兑现。

二、需求端:封装复杂度提升是核心驱动力1. 芯片演进推动封装升级

NVIDIA Blackwell(2024年发布)采用两颗大型GPU裸片,通过10 TB/s片间互连组成统一GPU;AMD MI300X集成8颗计算芯粒和8堆HBM3。

NVIDIA Rubin将两颗计算裸片集成于同一封装,最高配置288GB HBM4和22TB/s内存带宽;AMD MI350系列配置288GB HBM3E及最高8TB/s带宽。

封装面积持续扩大:MI300A封装外形面积约54.3平方厘米,较A100约30.3平方厘米增加约79%。

2. 载板尺寸路线图(Ibiden)
时间
2026年
2028年
2030年以后
尺寸
90×90mm
110×110mm
超过130×130mm
面积
81 cm²
121 cm²
超过169cm²
3. 代表性产品配置
产品/平台
公开配置或样品
需求方向
NVIDIA Rubin
双计算裸片;最高288GB HBM4、22TB/s
高密度互连、平整度与供电
AMD MI350系列
288GB HBM3E;最高8TB/s
互连密度与封装可靠性
Intel Glass Core+EMIB
78×77mm集成样品;组装与可靠性验证中
大尺寸封装技术验证
4. 延伸应用方向

ASIC与高端CPU:围绕算力、内存和功耗共同优化封装,通过Chiplet增加同一封装中的功能与互连。

光互连:交换芯片带宽提升与CPO发展,玻璃芯及玻璃中介层可分别提供结构支撑、精细互连和光电集成平台。

三、技术路线与核心优势1. 结构定义

Glass Core:以玻璃替换封装基板内部的有机芯层,芯层承担机械支撑并维持尺寸稳定,TGV提供上下层电连接,两侧有机增层和铜线路完成信号与电源布线。

Glass Interposer:位于芯片与封装基板之间,主要承担芯片间高密度互连。

ABF与玻璃芯可共存:Glass Core改变的是芯层材料,增层部分仍可使用ABF,已有增层工艺和基板制造能力可继续参与。

局部硅桥协同:Intel的Glass Core+EMIB样品由硅桥负责芯片间细间距互连,由玻璃芯提供尺寸稳定的支撑和上下层连接。

2. 核心优势量化对比
指标
传统有机芯ABF基板
玻璃芯+有机增层基板
芯层面内CTE(ppm/K)
10
4.8
芯层弹性模量(GPa)
24
72
芯层通孔间距(μm)
325
100(相同面积通孔密度约为对照的10.6倍)
线宽/线距(μm)
8/8
1/1(DNP在300×400mm玻璃面板上的RDL样品)
外侧对准标记位置波动
100(归一化)
约65(相对减少约35%)
基板翘曲
100(归一化)
<50(降至对照的一半以下)

Shinko在ECTC研究摘要中披露,相比有机芯对照,其玻璃芯样品最外侧对准标记的位置精度波动减少约35%,翘曲降低至一半以下。

DNP在IMAPS 2024展示300×400毫米玻璃面板上的1/1微米线宽线距RDL;同一论文展示550×650毫米玻璃芯面板的TGV完全填铜。

3. 需注意的平衡点

Unimicron板级仿真显示,玻璃芯更接近硅芯片的热膨胀特性,可降低芯片侧焊点应变;但同一模型中其与PCB的失配增大,整体变形反而上升。材料选型需与铜分布、增层厚度、板级连接共同优化。

四、制造工艺壁垒:整线能力决定量产进度1. 制造流程

材料准备 → TGV成孔 → 金属化 → 铜填孔或孔壁镀铜 → 增层布线 → 切割及检测。

2. TGV成孔三条路线
路线
加工方式
主要特点
关键难点
直接激光
激光直接去除玻璃形成通孔
步骤相对少;NEG开发CO2激光兼容玻璃
控制孔形、微裂纹、碎屑和后处理
激光改质+蚀刻
先改质,再选择性蚀刻去除;LIDE属此路线
适合开发小孔径和密集孔阵列
改质一致性、蚀刻选择性及整板均匀性
掩模湿法蚀刻
通过掩模限定区域进行化学去除
可批量加工
侧蚀、掩模耐受与厚玻璃深孔控制
3. 各环节工艺难点与影响
环节
工艺难点
对制造的影响
玻璃与TGV
材料匹配、孔形、孔壁损伤及全板一致性
影响后续覆铜、填孔及节拍
种子与金属化
连续覆盖、附着及表面污染控制
影响导通与界面可靠性
铜填孔
空洞、厚度均匀性、沉积应力
影响电气连接、周期与热循环寿命
增层与RDL
套刻、细线路缺陷、介质附着及固化应力
影响互连密度、开短路与累计良率
切割与搬运
边缘缺陷、微裂纹和破片
影响整板存活与已投入加工价值
检测与可靠性
表面与内部缺陷识别、失效定位
减少后段报废,验证连续交付能力

NIST等机构2026年研究展示了同一试件中不同通孔填充程度不一致的现象,说明填孔需协调种子层、电化学条件与传质过程。

Shinko针对玻璃芯与增层树脂失配引起的内部裂纹,采用边缘涂覆降低应力,并验证其在260℃回流后的抑制效果。

4. 工艺成熟度与后续观察重点
工艺环节
已公开验证的能力
规模生产仍需验证的问题
TGV成孔
NEG已提供改质蚀刻及CO2激光两种路线的玻璃芯样品
大面板孔形、损伤与加工效率的稳定性
金属化与填铜
DNP展示TGV填铜面板;NIST在试件中实现无空洞填充
种子层覆盖、填充质量与加工周期的配合
增层布线与RDL
DNP公开玻璃工艺平台上的精细线路及多层RDL
完整层叠结构的套刻、开短路及应力控制
切割与应力控制
Shinko以边缘涂覆抑制样品内部裂纹
切割、回流与后续使用条件下的裂纹及破片控制
整线与客户验证
Absolics嵌入式产品完成初步样品评价
完整产品认证、连续交付与良品成本
五、产业进展:从试线开发走向客户验证与供给建设1. 关键催化事件(2026年)

9月24日:《首尔经济日报》报道NVIDIA正在评估玻璃基板。

SCHMID 8月业绩会:管理层表示正与Intel、NVIDIA及AMD供应链内的企业开展Glass Core技术和设备合作。

LPKF:第二季度取得LIDE设备订单;9月23日披露亚洲先进封装客户已完成工艺认证,并提交扩线采购意向书。

Philoptics:已展示2.0毫米厚TGV玻璃样品,部分海外客户已完成技术验证,正推进设备导入。

JNTC:9月21日签署投资备忘录,计划在2027—2030年分阶段建设TGV生产线。

SCHMID:3月交付最高700×700毫米加工幅面的PLP系统。

2. 头部厂商验证状态

Intel:已展示Glass Core与EMIB集成样品,持续推进组装及可靠性验证。

Absolics:嵌入式产品进入可靠性评价,非嵌入式路线推进供应商遴选与概念验证准备。

三星电机:通过拟设GlaSSEM推进。

六、产业链主要厂商布局1. 产业链分工

玻璃基板产业链由玻璃材料、芯层加工、封装基板和先进封装企业共同参与。Corning、AGC等供应玻璃材料,DNP及拟设GlaSSEM布局导电玻璃芯,Absolics、LG Innotek等推进玻璃芯封装基板,Intel将玻璃芯与先进封装平台结合。

2. 资本投入一览
项目
公开投入金额
资金用途
披露进度
Intel
超过10亿美元
截至2023年9月披露的Chandler玻璃研发线投资
具体商业产品与规模量产安排仍待披露
DNP
300亿日元
FY2026—FY2028 Glass Core设备投资计划
久喜产线计划2028年完成;最新政策按FY2030量产安排投资
GlaSSEM(拟设)
4,821亿韩元
拟定资本金;三星电机含现金与实物出资
拟2026年设立,目标2027年10月至2028年3月建立供给体制
SKC/Absolics
3,730.64亿韩元
9月22日更正后的SKC拟认购金额
拟增持后持股82.37%
LG Innotek
未单列玻璃专项金额
既有Package Solution投资包含多项业务
龟尾试线已建;Glass Core量产目标为2028年
3. 海外重点企业

Intel

2023年正式发布技术时已积累十余年研发,建立Chandler一体化玻璃研发线。

已展示Glass Core与EMIB集成样品,7月与蓝思科技宣布精密玻璃、激光制造和先进封装合作。

公开导入窗口为本十年后半段,尚未披露具名量产产品与确定的量产季度。

Absolics(SKC)

嵌入式产品已完成初步样品评价并进入可靠性测试,非嵌入式产品推进供应商遴选和概念验证准备。

截至2026年9月27日,Absolics半年财务表收入栏列示为“—”,未提供可单独确认的基板销售收入。

三星电机

2026年7月与东友精细化工签署GlaSSEM合资合同,拟在韩国平泽开发、制造和销售Glass Core。

住友化学公告按财年口径,提出在2027财年下半年建立供给体制(对应2027年10月至2028年3月)。

DNP

定位于导电玻璃芯,主要面向封装基板厂商供货。久喜试线于2025年12月投入运行,2026年1月开始供样。

2026年7月IR材料将芯片厂商采用判断展望调整至2027年底至2028年上半年;9月综合报告以FY2030量产作为投资前提。

LG Innotek

沿既有FC-BGA能力拓展玻璃芯封装基板,龟尾试线已建成,与UTI合作开发玻璃强化技术。

以2028年Glass Core量产为目标;2026年9月公告同时提出2027年AI加速器FC-BGA量产目标。

4. 材料、传统基板与设备厂商
公司/国家地区
主要位置
玻璃基板相关进展
Corning/美
(原文数据未完,后续内容缺失)
(原文数据未完,后续内容缺失)
七、投资主线
主线
逻辑
相关环节
主线一:客户导入窗口
2027-2028年首批客户导入,2028-2030年收入增长
全产业链
主线二:设备订单先行
设备订单有望先于基板收入出现
LPKF、SCHMID、Philoptics、JNTC
主线三:玻璃芯封装基板
Absolics、LG Innotek推进玻璃芯封装基板
Absolics(SKC)、LG Innotek
主线四:导电玻璃芯
DNP及拟设GlaSSEM布局导电玻璃芯
DNP、三星电机、东友精细化工
主线五:玻璃材料
Corning、AGC等供应玻璃材料
Corning、AGC
主线六:先进封装集成
Intel将玻璃芯与先进封装平台结合
Intel、蓝思科技
八、风险提示

客户认证与连续交付不及预期:若客户认证进度或连续交付能力不及预期,收入增长可能延后。

工艺成熟度不及预期:TGV成孔、金属化、铜填孔、增层布线等环节仍需规模生产验证。

竞争路线替代风险:有机基板、硅中介层等路线持续迭代,可能影响玻璃基板渗透速度。

资本投入与产能释放不及预期:各厂商资本投入计划若延期,可能影响供给建设进度。

九、文中提及公司/机构汇总

玻璃材料:Corning、AGC

芯层加工/导电玻璃芯:DNP、GlaSSEM(拟设)、三星电机、东友精细化工、住友化学

封装基板:Absolics(SKC)、LG Innotek、Unimicron、Shinko

先进封装/平台:Intel、NVIDIA、AMD、蓝思科技

设备:SCHMID、LPKF、Philoptics、JNTC、NEG

其他提及:SKC、UTI、NIST、ECTC、IMAPS

产品/技术:Glass Core、Glass Interposer、EMIB、TGV、RDL、ABF、FC-BGA、CoWoS、CPO、Chiplet、HBM3、HBM3E、HBM4

终端产品:NVIDIA Blackwell、NVIDIA Rubin、AMD MI300X、AMD MI300A、AMD MI350系列、Intel Glass Core+EMIB

十、脱水总结

AI封装向多裸片、多HBM、大尺寸演进,推动玻璃基板从技术开发走向客户项目。2027—2028年是首批客户导入的重要观察窗口,2028—2030年有望进入收入增长阶段,兑现程度取决于客户认证后的连续交付和扩线。设备订单有望先于基板收入出现,材料复购和完整基板放量需跟随客户产品周期。

产业链由玻璃材料(Corning、AGC)、芯层加工(DNP、GlaSSEM)、封装基板(Absolics、LG Innotek)、先进封装(Intel)共同参与。制造工艺壁垒集中在TGV成孔、金属化、铜填孔、增层布线、切割与检测等环节,整线能力决定量产进度。头部厂商Intel、Absolics、三星电机、DNP、LG Innotek均在推进验证与产能建设,2026年催化事件密集。

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