薄膜铌酸锂上游原料（国泰集团）
提供 高纯氧化铌 / 氢氧化铌，是合成铌酸锂多晶料的唯一铌源。
纯度要求：5N（99.999%） 级，直接决定下游晶体质量。
中游晶体（如天通、博创、铌奥光电）
用高纯氧化铌 + 碳酸锂，经晶体生长（Czochralski 法）制成 铌酸锂单晶片（LNOI）。
下游器件（光通信 / 光子芯片）
铌酸锂调制器：800G/1.6T 高速光模块核心组件。
薄膜铌酸锂光子芯片：下一代 CPO、AI 算力光互连核心技术。
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