一、主营业务
公司是专业从事陶瓷管壳和封装散热基板等功率半导体器件关键部件研发、制造和销售的国家高新技术企业。公司产品主要应用于晶闸管、IGBT 和 IGCT 等功率半导体器件，应用领域覆盖发电、输电、变电、配电、用电等电力系统全产业链，在特高压输变电、新能源发电、工业控制、新能源汽车、智算中心、轨道交通等领域发挥重要作用，市场前景广阔。
公司专注大功率半导体器件用陶瓷管壳研发制造二十余年，通过持续研发创新，攻克等静压陶瓷高渗透金属化扩散难、多介质焊接内应力大等行业技术难题，掌握高密度等静压陶瓷金属化扩散、超大直径陶瓷金属高强度高真空焊接等核心技术，在陶瓷管壳行业内占据领先地位。公司已形成包括 1-6 英寸晶闸管用陶瓷管壳、平板压接式 IGBT 用陶瓷管壳等多规格产品线，与中车时代、英飞凌、日立能源等功率半导体龙头企业保持长期密切的合作关系。公司作为第一起草单位、陈国贤和徐宏伟作为主要起草人起草制定的团体标准《压接式绝缘栅双极晶体管（IGBT）平板陶瓷管壳》（T/CITIIA 203-2018）于 2018 年 9 月发布，并于 2025 年 5 月 9 日经工业和信息化部批准发布成为行业标准《压接式绝缘栅双极晶体管（IGBT）平板陶瓷管壳》（SJ/T 11972-2025）。该标准的发布对规范 IGBT 平板陶瓷管壳技术发展路径、推动技术创新与产业链协同、促进产业升级和提升国际竞争力具有重要意义，显示了公司在陶瓷管壳行业内的市场引领地位。
公司深度融入国家战略性新兴产业发展，突破冷锻、预弯、连续电镀等关键工艺，构建封装散热基板核心技术体系，于 2017 年开拓封装散热基板业务。依托精密加工能力与稳定可靠的产品品质，公司已与中车时代、客户 A、宏微科技等形成长期稳定的合作关系，2020 年、2022 年荣膺中车时代“战略合作奖”，行业影响力和市场地位持续提升。
公司是国家级专精特新“小巨人”企业、国家高新技术企业、江苏省民营科技企业及无锡市瞪羚企业。公司承担并完成了 7 项国家级及省级科研项目，包括工业和信息化部工业强基工程项目“柔性高压直流输电用平板全压接大功率 IGBT 多台架精密陶瓷结构件产业化”、工业和信息化部电子信息产业发展基金项目“全压接式大功率 IGBT 多模架精密陶瓷外壳”、科技部科技型中小企业技术创新基金项目“轻型高压直流输电用平板压接式 IGBT 多模架陶瓷管壳研发及产业化”、“平板全压接式大功率 IGBT 多模架精密陶瓷管壳”和“大功率集成门极换流晶闸管（IGCT）用精密外壳”、江苏省科技成果转化项目“高压大功率器件陶瓷封装系列产品研发及产业化”、江苏省科技支撑计划项目“千安级 IGBT 陶瓷封装结构研究”等，核心竞争力显著增强。
公司形成了一支经验丰富、高度协作的研发技术团队，建立了合理的组织架构、规范的管理流程和完善的人才激励机制。近年来，公司持续加大产品及技术升级，形成了超大直径陶瓷金属高强度高真空焊接、平底基板异形弧度成型技术、针齿基板多穴位一次冷锻等核心工艺技术，与华中科技大学等科研院所建立了长期的合作关系。截至 2025 年 12 月 31 日，公司拥有发明专利 9 项，实用新型专利 44 项。
报告期内，公司主营业务未发生过重大变化。
（二）主要产品或服务
1、主要产品情况
报告期内，公司主要产品可分为陶瓷管壳、封装散热基板两大类，具体如下：
（1）陶瓷管壳
陶瓷管壳作为晶闸管、IGBT 等功率半导体器件的关键封装载体，具备高机械强度、优异热稳定性、绝缘性及低热膨胀系数等特性，可以实现芯片防护、环境隔离、散热传导与电气互联功能。
公司陶瓷管壳根据使用场景不同区分为晶闸管用陶瓷管壳和平板压接式 IGBT 用陶瓷管壳，具体如下：
（2）封装散热基板
公司的封装散热基板直接应用于以 IGBT 为主的功率半导体器件，按照形态可以区分为平底型封装散热基板和针齿型封装散热基板，具体如下：
2、主要产品应用场景
（1）公司所处产业链情况
公司主要产品直接应用于晶闸管、IGBT、IGCT 等功率半导体器件中，其终端应用行业非常广泛，在发电、输电、变电、配电、用电等电力能源行业全链条环节中扮演重要角色，应用范围覆盖特高压输变电、新能源发电、工业控制、新能源汽车、智算中心、轨道交通等领域，具体如下：
（2）公司产品对应的功率半导体器件的组成部分及功能
1）晶闸管用陶瓷管壳
公司晶闸管用陶瓷管壳系晶闸管的封装结构。下游功率半导体器件制造企业配套芯片、钼片等与陶瓷管壳组装成晶闸管。晶闸管内部结构拆解如下：
如上图，陶瓷管壳由管盖和管座构成，管盖为金属结构，在晶闸管中作为阴极使用；管座则是金属和陶瓷件通过陶瓷金属化焊接的阳极结构。晶闸管组成部分及其主要功能如下：
陶瓷管壳对晶闸管内部芯片、钼片等进行封装，在晶闸管中起到保护内部芯片、隔离外界环境、高效散热、电气联通和提供机械支撑等作用。大规格晶闸管主要应用于特高压输变电工程，需在特高压、高温工况下保证长时间无故障运行，维护难度较高，因此功率器件的稳定性和可靠性至关重要。陶瓷管壳正是保障器件稳定可靠的关键部件。
2）平板压接式 IGBT 用陶瓷管壳
IGBT 是一种复合全控型电压驱动式功率半导体器件，可正向和反向关闭，相较晶闸管更适用于高频应用场景，根据结构设计可分为焊接式 IGBT 与平板压接式 IGBT。
焊接式 IGBT 的制造流程为基于电路版图设计，将 IGBT 芯片贴片到 DBC 基板上，并用金属线键合连接，同时将 DBC 基板与封装散热基板进行焊接，最终整体灌封。焊接式 IGBT 加工工艺相对简单，生产成本较低，在中小功率领域的应用上有较高的可靠性，但在高压场景下易出现功率密度不足、键合线断裂、单面散热效率较低等问题。
平板压接式 IGBT 结构设计借鉴大功率晶闸管压接封装结构，通过对陶瓷管壳两端施加压力，使内部芯片与外部电极形成电气联通，实现多芯片并联压接封装，避免了焊接式 IGBT 封装结构在高压环境下的散热效率较低的问题，具有低热阻、双面散热、失效短路等优点，应用于柔性直流输电工程等高功率、高频场景。
焊接式 IGBT 与平板压接式 IGBT 对比情况如下所示：
公司凭借自身成熟的大规格晶闸管用陶瓷管壳生产工艺，成功研发并量产了平板压接式 IGBT用陶瓷管壳。该类陶瓷管壳在器件中起稳定支撑、高效散热的作用。平板压接式 IGBT 需保证各层封装材料间的精准匹配、良好接触，对陶瓷管壳的工艺精度、强度和稳定性要求较高。
3）封装散热基板
公司封装散热基板主要直接用于焊接式 IGBT 器件，按照形态分为平底型封装散热基板和针齿型封装散热基板。
IGBT 功率模块运行时会产生大量热量，如无法高效散热，易引起芯片温度过高并导致模块性能下降、寿命缩短、模块失效。封装散热基板作为芯片与外部散热板之间关键的导热介质，可以实现了高效热传导和热扩散，对 IGBT 的温升水平、可靠性和使用寿命起到关键作用。
两种不同形态的封装散热基板的模块结构截面图如下：
图：采用平底型封装散热基板（左）和针齿型封装散热基板（右）的 IGBT 结构截面图
由上图所示，采用平底型散热基板的 IGBT 功率模块，基板与散热器之间通过施加一层导热硅脂，用以填充基板与散热器的空隙，增加散热效率。针齿型散热基板则通过直接与冷却液接触散热。
平底型封装散热基板与针齿型封装散热基板特点对比情况如下：
（三）主营业务构成
报告期内，公司主营业务收入分别为 29,445.23 万元、40,611.62 万元和 50,694.87 万元，具体如下：
二、 行业基本情况
（一）所属行业及确定所属行业的依据
公司是一家专业从事功率半导体器件关键部件研发、制造和销售的高新技术企业，主要产品为功率半导体用陶瓷管壳和封装散热基板。
根据《中国上市公司协会上市公司行业统计分类指引》，公司所属行业为“电气机械和器材制造业（C38）”；根据国家统计局发布的《国民经济行业分类》（GB/T4754-2017），公司所处行业为“电气机械和器材制造业”中的“电力电子元器件制造”（行业代码：C3824）；根据《战略性新兴产业分类（2018）》，公司所处行业为“电力电子基础元器件制造”之“电力电子元器件制造”；公司主要产品应用于功率半导体器件，根据国家统计局发布的《新产业新业态新商业模式统计分类（2018）》（国统字[2018]111 号），属于“新能源设备制造（0213）”大类下的“电力电子基础元器件制造（021306）”，属于新产业、新业态、新商业模式的范畴。
三、行业情况
1、公司所处行业概况
公司专业从事陶瓷管壳、封装散热基板等功率半导体器件关键部件研发、制造和销售。
其产品上游主要为铜材、瓷件等原材料供应商，下游为晶闸管、IGBT、IGCT 等功率半导体模块厂商。终端应用行业非常广泛，在发电、输电、变电、配电、用电等电力能源行业全链条环节中扮演重要角色，应用范围覆盖特高压输变电、新能源发电、工业控制、新能源汽车、智算中心、轨道交通等领域。公司所处产业链如下图所示：
按照基础结构类型，功率半导体器件主要分为二极管、晶闸管、晶体管等三类。二极管由单一的 PN 结构成，仅依赖电压极性导通或关断（被动导通），是不可控器件，具有单向导电性；晶闸管由四层半导体结构（PNPN 结构）构成，其通过门极触发电流开启，但无法通过门极关断（主动导通，被动关断），具有半控特性；晶体管由三层半导体结构（PNP 或 NPN 结构）构成，通过控制信号实现导通与关断（主动导通/关断），属于全控型器件。功率半导体器件分类情况如下所示：
2、功率半导体器件行业基本情况及发展前景
公司生产的晶闸管用陶瓷管壳和封装散热基板是半导体功率器件关键部件。根据 Omdia 的数据2024 年全球功率半导体的市场规模达到了 522 亿美元，从 2020 年至 2024 年的年复合增速达 5.5%，中国功率半导体市场规模达到 206 亿美元，从 2020 年至 2024 年的年复合增速达 4.8%。
功率半导体器件应用场景十分广泛，涵盖从电力制造、传输、分配到电力使用、消费等电能各 个主要环节，在特高压输变电、新能源发电、工业控制、新能源汽车、智算中心、轨道交通等诸多 领域发挥重要作用。对于下游而言，功率半导体的能量和频率是选择应用场景的关键考量因素。晶 闸管受限于半控性特点，适用于中低频场景。随着设计和工艺制造技术的成熟，通过采用更低电阻 率、更薄的硅单晶片、控制芯片表面电场强度等方法，实现晶闸管在特高压环境下的耐压设计，因此大尺寸晶闸管可应用于高电压、大电流、低频率的高压直流输变电领域。而 IGBT 需兼顾高频开 关与低导通损耗，耐压能力受限，因此晶闸管在超高功率领域仍具有不可替代的优势。
（1）晶闸管行业概况
晶闸管技术相对成熟，主要应用于工业控制的电源模块、电力传输的无功补偿装置、家用电器的控制板等领域，市场成长性趋于稳定。与其他功率半导体相比，晶闸管具有更高电压、更大电流的处理能力，在大功率应用领域具有独特的优势。2024 年全球晶闸管行业市场规模约为 10.8 亿美元，未来十年该行业规模将以 3.6%的年均复合增长率增长至 14.8 亿美元。
随着功率器件国产化进程的加速以及国家对新能源产业的大力投资，近年来我国晶闸管行业保持良好的增长态势。中国晶闸管行业市场规模自 2020 年开始持续增长，由 2020 年 15.8 亿元增长至2024 年 32.8 亿元，年复合增长率为 20.03%，具体如下：
（2）封装散热基板下游 IGBT 市场增速较快
公司生产的封装散热基板常见于工业级和车规级的IGBT模块。全球IGBT模块市场规模从2018年的43.7亿美元增长到2022年的67亿美元，预计2029年将达到145亿美元，年复合增长率为11.7%。
国内市场方面，根据中商产业研究院统计和分析，2020 年中国 IGBT 市场规模为 144.1 亿元，受益于新能源汽车和工业领域的需求大幅增加，到 2025 年中国 IGBT 市场规模将达到 244.9 亿元，年复合增长率达 11.19%。从产量角度，根据华经产业研究院，中国 IGBT 产量预计从 2019 年的 1,550万只提升至 2024 年的 3,624 万只，自给率超过 30%。在技术不断突破的加持下，国内 IGBT 制造厂商产能扩张，国产化进程加速进行，未来自给率将逐步提升。
3、终端应用行业基本情况及发展趋势
以晶闸管、压接式 IGBT 为代表的陶瓷管壳封装大功率器件终端多应用于特高压输变电、新能源并网与能源互联、智算中心、轨道交通等基础设施的建设。包含封装散热基板的 IGBT 模块则凭借其高频开关与低导通损耗特性，在工业控制设备、新能源汽车电控系统、新能源发电并网系统等现代电子设备中扮演关键角色。
电力行业系国家战略、政策聚焦的重点行业，是现代经济发展的基础。在应对气候变化、保障能源安全、促进可持续经济增长等多重驱动下，电力系统正经历深刻变革，加速向清洁低碳、安全高效的新型电力系统转型升级，发电侧、电网侧和用电侧等电力主要环节均迎来升级扩容需求。
（1）电网投资增长稳定提升
2023 年全球电网投资额约 3,200 亿美元，BloombergNEF 预测 2023-2026 年全球电网投资增速8%左右，较 2020-2023 年 3%的年均增速显著加速。按照保守估计，2023 年至 2030 年全球电网投资年均增速预计在 6%左右，至 2030 年年投资额近 5,000 亿美元。若按照碳中和、净零转型路径，高比例新能源、终端电气化需要更多电网设施配套，2023 年至 2030 年电网投资需求年复合增长率将达到 14%，至 2030 年年投资额超过 8,000 亿美元。
根据国家能源局发布的数据，2015-2023 年，我国各年电网工程投资额基本维持在 4,500-5,500亿元的区间内，年均复合增长率约为 1.72%，保持平稳增长。为满足日益增长的电力需求、推进国家新型电力系统的构建，2024 年全国电网工程建设完成投资 6,083 亿元，同比增长 15.3%，电网投资进入高速增长的通道。其中，交流工程投资同比增长 8.5%，110 千伏及以下等级电网投资 3,194亿元，同比增长 10.1%，占电网工程完成投资总额的 52.5%。直流工程投资同比增长 227.5%，绝大部分为±800 千伏等级电网投资。根据中国电力企业联合会发布的《2025-2026 年度全国电力供需形势分析预测报告》显示，2025 年全国电网工程建设完成投资 6,395 亿元，同比增长 5.1%，其中直流工程投资同比增长 25.7%，电网投资保持稳定增长。受益于国家新型电力系统的构建和电网的持续投资，电力能源产业将不断优化升级，持续发展，公司晶闸管用陶瓷管壳主要用在直流领域，市场前景广阔。
（2）电力能源行业发展趋势和需求分析
1）光伏、风电等新能源发电领域发展前景
功率半导体在新能源发电领域应用主要有光伏和风力发电。
①光伏发电
功率半导体在光伏行业中的应用主要体现在光伏逆变器上。作为光伏发电系统的核心部件，光伏逆变器能使光伏发电系统以最大的输出效率将光伏组件产生的直流电转化为电能质量符合标准要求的交流电，输送给本地负载或电网。IGBT 作为逆变器中的开关元件，通过控制其导通和关断来生成交流波形，从而实现直流电到交流电的转化。
资料来源：英飞凌
受全球能源体系加快向低碳化转型的影响，以及能源战略安全性的需求，可再生能源规模化运用与常规能源的清洁低碳化成为能源发展的大趋势。根据 Frost & Sullivan 预测，2024 年全球光伏市场需求持续保持旺盛，全年全球光伏新增装机达 482GW，同比增长达 26%，累计装机容量突破2,200GW；预计 2028 年全球新增光伏装机容量将达到 996.3GW。
在“双控”“双碳”等积极的产业政策引导和市场需求驱动下，中国光伏产业制造端实现了快速发展。根据中国光伏行业协会统计数据，2024 年我国国内光伏新增装机约 278GW，同比增长 28%，光伏发电装机容量达到 886GW，同比增长 45%。随着光伏发电成本持续下降以及能源结构进一步优化调整，预计我国光伏市场未来将持续增长，功率半导体在光伏产业链中扮演的角色会愈发重要。
②风力发电
风电变流器的主要功能是将风力发电机产生的不稳定交流电转换为稳定交流电，以便并入电网。IGBT 在其中起到整流和逆变的作用，风力发电机输出的电能通常是频率和电压都变化的交流电，通过 IGBT 控制电流导通和关断，实现对电流的精确控制，高效整流成直流电，再通过逆变过程转化为固定频率和电压的交流电输出。IGBT 的高效率、高可靠性和精确控制能力，使其在风电变流器中得到广泛应用，确保风能的高效利用和电网的稳定运行。
近年来，全球风电行业在政策支持和技术进步的双重推动下，实现了跨越式发展。根据全球风能理事会（GWEC）发布的《2024 全球风能报告》数据显示，2018 年至 2023 年，全球风电新增装机容量从 50.7GW 增长至 116.6GW，年均复合增长率为 18.1%，预计 2030 年全球风电新增装机量为320GW。
中国不仅是全球最大的风电装备制造基地，还拥有全球最完善、成本最优的全套供应链，强大的产业链基础推动中国风电产业快速发展。中国风电累计的吊装容量已经超过 5 亿千瓦，中国基本占了全球装机的一半。中国成为全球风电行业的核心驱动力。国内政策持续加码、海上风电大规模开发等因素促使我国风电行业迎来新一轮增长浪潮。根据国家能源局数据，2024 年我国国内风电新增装机 79.82GW，风电装机总量约 520GW，同比增长 18.0%。中国风能委员会（CWEA）预计，到2030 年风电年新增装机容量有望超过 200GW。随着市场与能源结构改革的不可逆性，预计未来，中国风电行业仍将保持较快的发展速度，成为全球风电领域的重要参与者和引领者。
（3）工业控制、新能源汽车等用电端领域发展前景
1）工业控制行业是功率半导体需求的重要支撑
工业控制行业是功率半导体最早实现大规模应用的领域之一。功率半导体已广泛应用于变频器、开关电源、逆变电焊机等产品中，技术成熟度较高。功率半导体器件的高效开关和低损耗特性，有利于降低工业控制系统的能源消耗，能够减少其运行过程中的热量产生，从而提高系统的可靠性和使用寿命。此外，在电机驱动和运动控制中，功率半导体器件可以实现更精确的电流和电压控制，使得设备能够以更高的精度执行复杂的运动和操作，大幅提高了生产效率和产品质量。
在全球进入工业 4.0 时代以及我国大力发展中国智造的背景下，生产制造、交通运输、能源环保等各应用领域对工业自动化设备的需求进一步增加。根据Frost & Sullivan和中商产业研究院预测，2024 年全球和我国工业自动化市场规模将分别达到 5,095.9 亿美元和 3,531 亿元人民币，较 2023 年分别同比增长约 6.0%、13.4%。随着近年来工业自动化核心产品工业机器人带来广阔的下游集成空间，未来工业控制行业将保持稳定发展，为功率半导体需求提供重要支撑。
以工业控制 IGBT 行业为例，根据前瞻产业研究院测算数据，2022 年全球及国内工业控制用IGBT 市场规模分别为 254.51 亿元和 82.92 亿元，预计 2026 年分别达到 297.74 亿元和 123.52 亿元，复合增长率为 4%和 10.48%，2026 年较 2022 的年国内市场增量占全球增量 93.92%，工业控制 IGBT行业的增量市场主要在国内，是下游应用领域中最稳健的存量市场。
2）新能源汽车行业加速功率半导体市场发展
功率半导体是新能源汽车中的核心元器件，目前主要以 IGBT 为主。功率半导体在新能源汽车中的应用场景主要体现在电机控制器、车载充电机以及水泵、空调压缩机中。其中，电机控制器用功率模块价值占比最大，作用最为重要。
伴随着全球新一轮科技革命和产业变革，汽车与能源、半导体、物联网等领域有关技术加速融合，新能源汽车已成为全球汽车产业转型升级的主要方向，市场近年来呈现高速增长趋势。根据国际能源署和 EVTank（伊维经济研究院）数据，全球新能源汽车销量从 2020 年的 316.3 万辆增长至2024 年的 1,823.6 万辆，年均复合增长率约 54.96%。
我国已将发展新能源汽车作为国家战略，发展新能源汽车是我国从汽车大国迈向汽车强国的必由之路。近年来，我国强化顶层设计和创新驱动，成为引领全球汽车产业转型升级的重要力量。根据中国汽车工业协会数据，我国新能源汽车销量从 2020 年的 136.7 万辆增长至 2024 年的 1,286.6 万辆，年均复合增长率为 75.15%，连续多年位列世界第一。
数据来源：全球能源署、中国汽车工业协会、EVTank
受益于国内外新能源汽车行业的高速增长，上游车规级功率半导体模组需求日益旺盛。根据高工产业研究院数据，2021 年全球新能源汽车 IGBT 行业市场规模达 140.6 亿元人民币，预计 2025 年市场规模有望达到 497.9 亿元人民币，年均复合增长率约 37.2%，远高于 IGBT 行业整体市场增长率。在新能源市场持续爆发的带动下，新能源汽车应用有望成为我国“十四五”IGBT 需求增长最大的下游驱动力。
3）智算中心为代表的新型场景为功率半导体未来需求增长带来机遇
智算中心作为大规模、高功率密度、高耗电量的新型用电场景，对电能的高效转换、稳定供电、柔性调节等有更高要求，需要多种功率半导体器件来承担。其中，大功率晶闸管可以用来帮助智算中心的大型电力设备平稳启动、保持电压稳定并防止供电波动影响正常运行，为智算中心的高可靠性提供保障；IGBT 等全控型器件则是不间断电源（UPS）、储能逆变及高效开关电源的核心器件。公司晶闸管用陶瓷管壳及封装散热基板等两类主要产品均可在智算中心建设中得到应用。
在生成式 AI 爆发、云计算加速渗透以及数字化战略落地的多重驱动下，智算中心市场迎来广阔增长空间，计算密集型任务、企业大型模型训练等需求为其提供了更多的应用市场。根据SemiAnalysis 研究显示，2023 年全球数据中心新增装机约为 7.0GW，其中智算中心累计新增装机3.5GW，预计到 2028 年全球智算中心新增装机约为 18.9GW，占数据中心新增装机比例预计提升至89.57%，2023 年-2028 年 CAGR 将会高达 40.4%。
近年来，我国数字经济蓬勃发展，国家通过一系列政策的推动，将数据中心纳入“新基建”范畴，为我国数据中心的发展提供了坚实的基础。中商产业研究院发布数据显示，2024 年中国数据中心市场规模约为 2,773 亿元，同比增长 15.21%，2025 年中国数据中心市场规模预计将达 3,180 亿元。根据国际数据中心（IDC）、浪潮信息预测，中国智能算力规模在 2025 年将达到 1,037.3EFLOPS，到 2028 年达到 2,781.9EFLOPS，年复合增长率为 38.9%。AI 浪潮对智能算力的需求迅速增长，驱动算力基础设施重构，这一趋势促使数据中心行业加速向智能算力引领的需求驱动模式转变，新型智算中心的建设需求将为市场规模进一步扩大带来机遇。
四、竞争对手
（六）行业周期性、季节性和区域性
公司所处行业与下游功率半导体器件行业密切相关，终端应用覆盖特高压输变电、新能源发电、工业控制、新能源汽车、智算中心、轨道交通等诸多领域。由于公司主要产品下游应用行业广泛，行业整体需求受各应用领域所在行业发展周期综合影响。
功率半导体器件应用领域广泛，下游客户季节性需求呈现此消彼长的动态均衡关系，其季节性特征不明显，公司所处行业同样也无明显季节性特征。
陶瓷管壳、封装散热基板等功率半导体器件部件的运输和储存较为便捷，因此公司所处行业不存在明显的产品区域性特征。
1、发行人市场地位
（1）发行人技术水平及市场认可度
公司专注大功率半导体用陶瓷管壳研发制造二十余年，通过持续研发创新，攻克等静压陶瓷高渗透金属化扩散难、多介质焊接内应力大等行业技术难题，掌握高密度等静压陶瓷金属化扩散、超大直径陶瓷金属高强度高真空焊接等核心技术，在陶瓷管壳行业内占据领先地位。公司产品线覆盖1-6 英寸多规格陶瓷管壳、平板压接式 IGBT 用陶瓷管壳，广泛应用于特高压输变电、工业控制、智算中心、轨道交通等领域。
公司作为第一起草单位、陈国贤和徐宏伟作为主要起草人起草制定的团体标准《压接式绝缘栅双极晶体管（IGBT）平板陶瓷管壳》（T/CITIIA203-2018）于 2018 年 9 月发布，并于 2025 年 5 月 9日经工业和信息化部批准发布成为行业标准《压接式绝缘栅双极晶体管（IGBT）平板陶瓷管壳》（SJ/T11972-2025）。该标准的发布对规范平板陶瓷管壳技术发展路径、推动技术创新与产业链协同、促进产业升级和提升国际竞争力具有重要意义，显示了公司在陶瓷管壳行业内的市场引领地位。
近年来，公司积极响应国家关于战略性新兴产业的发展规划，围绕冷锻、预弯、连续电镀等重点工艺形成了一系列封装散热基板相关的核心技术，成功开拓封装散热基板业务，凭借精湛的加工工艺和稳定可靠的产品质量，建立了良好的市场品牌，获得了行业优质客户的认可。
目前，公司已与中车时代、客户 A、英飞凌、日立能源、斯达半导、宏微科技等功率半导体行业龙头企业建立起长期稳定的合作关系，2020 年、2022 年荣获中车时代战略合作奖，品牌声誉和市场地位均处于行业领先地位。
（2）发行人主要产品市场空间及市场占有率情况
1）陶瓷管壳类产品市场空间及市场占有率情况
①陶瓷管壳类产品市场空间
公司陶瓷管壳产品主要可分为晶闸管用陶瓷管壳和压接式 IGBT 用陶瓷管壳。
根据 Market Report Analytics 的统计，2024 年全球陶瓷晶闸管市场规模约 2.52 亿美元，年复合增长率约 4.1%，到 2030 年市场规模将达到 3.2 亿美元。根据 QYResearch 及中国电力电子产业网的估算，陶瓷管壳的价值占陶瓷晶闸管器件的比例约为 17.5%。据此，可推算出 2024 年全球晶闸管用陶瓷管壳市场规模约 4,400 万美元，到 2030 年市场规模约 5,600 万美元。
根据 QYResearch 的数据显示，2024 年国内陶瓷晶闸管市场规模约为 8.59 亿元，约占全球市场的 47.45%，预计 2030 年将达到 12.05 亿元，年复合增长率为 5.82%，届时在全球市场中占据的份额约为 50.77%。按照陶瓷管壳在陶瓷晶闸管器件中 17.5%的价值占比，可推算出 2024 年中国晶闸管用陶瓷管壳市场规模约 15,000 万元，到 2030 年市场规模约 21,100 万元。
根据 QYResearch 的统计，2024 年全球压接式 IGBT 市场规模约 0.98 亿美元，到 2030 年市场规模将达到 2.1 亿美元，年复合增长率约 13.5%。根据 QYResearch 及中国电力电子产业网的估算，陶瓷管壳的价值占压接式 IGBT 器件的比例约为 12.5%。据此，可推算出 2024 年压接式 IGBT 陶瓷管壳市场规模约 1,200 万美元，到 2030 年市场规模约 2,600 万美元；其中，国内压接式 IGBT 市场规模约为 4.50 亿元，到 2030 年市场规模将达到 11.26 亿元。按照陶瓷管壳在压接式 IGBT 器件中 12.5%的价值占比，可推算出 2024 年中国压接式 IGBT 陶瓷管壳市场规模约为 5,600 万元，到 2030 年市场规模将达到 14,100 万元。
综合上述两类产品来看，2024 年公司陶瓷管壳类产品对应的全球及国内市场规模分别约为5,600 万美元、20,600 万元，预计 2030 年全球及国内市场规模约为 8,200 万美元、35,200 万元，年复合增长率约为 6.56%、9.34%。
②发行人陶瓷管壳类产品市场占有率
2024 年度，公司陶瓷管壳产品销售收入为 12,030.84 万元，其中内销收入为 6,715.70 万元。按照 2024 年全球及国内陶瓷管壳行业分别约为 5,600 万美元、20,600 万元的市场空间计算，公司全球及国内市场占有率分别约为 30.0%、32.6%，市场占有率较高。
随着陶瓷晶闸管和压接式 IGBT 产品行业需求的增长，和下游国产企业的崛起，公司市场份额和销量有望进一步提升。
2）封装散热基板类产品市场空间及市场占有率情况
①封装散热基板类产品市场空间
公司封装散热基板类产品直接应用于 IGBT 功率模块。根据 YOLE 统计，2024 年全球封装散热基板市场规模达到 9.10 亿美元，预计于 2030 年市场规模将达到 15.77 亿美元，年复合增长率约为9.6%；根据 QYResearch 统计，2024 年中国封装散热基板市场销售额达到 16.43 亿元，预计 2030 年将达到 33.10 亿元，年复合增长率约为 12.38%。
②发行人封装散热基板类产品市场占有率
2024 年度，公司封装散热基板产品销售额为 2.35 亿元人民币，主要为内销。封装散热基板行业相对分散，尚未形成占比较大的龙头企业。按照 2024 年全球及国内封装散热基板行业分别约为9.10 亿美元、16.43 亿元的市场规模测算，公司全球及国内市场占有率分别约为 3.6%、14.3%。
当前封装散热基板行业正呈现出产品向高性能、高可靠性方向加速分化，其核心驱动因素是新能源汽车市场的爆发式增长以及全球能源结构转型（光伏、储能、风电）对大功率电力电子器件的强劲需求。这些应用对 IGBT 模块提出了高功率密度和超高可靠性的要求，从而直接拉动了对低热阻和低热膨胀系数封装散热基板的需求。随着功率半导体行业的增长以及 IGBT 功率模块国产化进程加速，公司市场份额和销量都有望进一步提升。
综上所述，公司主要产品分为陶瓷管壳和封装散热基板。其中，2024 年度，公司主要产品销售收入、所属行业的全球市场空间以及对应的全球市场占有率情况如下：
2024 年度，公司主要产品内销收入、所属行业的国内市场空间以及对应的国内市场占有率情况如下：
2、行业内主要企业
（1）陶瓷管壳类业务
陶瓷管壳属于功率半导体器件关键部件。以日本京瓷株式会社为代表的国外高端功率半导体器件制造厂商起步较早，其相关技术比较成熟，高端应用领域较广，在技术储备、产品研发和品牌影响力上具备优势。随着国家智能电网、轨道交通、新能源等重点领域的不断发展，国内陶瓷管壳市场紧跟步伐，公司在国内功率半导体用陶瓷管壳行业占据引领地位，国内主要的竞争对手包括无锡天杨电子有限公司、厦门市海鼎盛科技有限公司等。
1）京瓷株式会社
京瓷株式会社由日本著名企业家稻盛和夫创立于 1959 年 4 月，是著名的世界 500 强企业，目前已发展成为全球规模最大的先进陶瓷供应商。该公司以精密陶瓷技术为核心，业务覆盖精密陶瓷材料、电子元器件、通信设备、医疗健康等诸多领域。其陶瓷管壳部门细分产品包含 TO 陶瓷封装外壳、电子器件用表面贴装陶瓷管壳、射频功率晶体管用封壳等多种封装管壳，可为不同领域的客户开发特殊尺寸、结构或材料的管壳。
2）无锡天杨电子有限公司
无锡天杨电子有限公司成立于 1999 年，是专业生产电力半导体器件用管壳和模块用陶瓷覆铜基板的企业。该公司在陶瓷管壳方面已开发了光控、GTO、IGBT、IGCT、七英寸和螺栓等多规格产品，其产品已应用于机械、电子、铁道、电力、军工、科研等部门。
3）厦门市海鼎盛科技有限公司
厦门市海鼎盛科技有限公司成立于 2004 年，是一家主要从事电力半导体模块结构件制造、精密陶瓷管壳制造和半导体结构件功能性电镀等的高新技术企业，产品包括螺栓型管帽、普通晶闸管整流管用陶瓷管壳、特大功率器件用陶瓷管壳、GTO 用陶瓷管壳、IGCT 用陶瓷管壳、IGBT 用陶瓷管壳等。
（2）封装散热基板类业务
散热基板作为功率模块的重要组成部件，下游客户对供应商产品制造能力要求较高，在行业发展早期，该细分领域竞争主体主要为中国台湾、日本、美国等地企业，代表企业有中国台湾地区的健策精密工业股份有限公司等。随着近年来我国光伏储能、新能源汽车等绿色能源相关产业的崛起，功率半导体散热基板需求日益旺盛，行业内逐渐发展出一批具备一定规模的散热基板制造厂商，填补了境内企业在该产品领域的市场空白。公司国内主要的散热基板业务竞争对手包括黄山谷捷、昆山固特杰散热产品有限公司等。
1）健策精密工业股份有限公司（3653.TW）
健策精密工业股份有限公司成立于 1987 年，为中国台湾证券交易所上市公司，拥有二十余年精密金属及塑胶零件组件生产制造经验。该公司现核心产品包括均热片、车用水冷散热模组、伺服器 ILM及 LED 导线架等，拥有完整的热管理技术，可为客户提供完整的散热解决方案，下游应用领域广泛，在行业内具备先发优势和较强的核心竞争力。该公司 2024 年营业收入约 142.78 亿新台币。
2）黄山谷捷（301581.SZ）
黄山谷捷成立于 2012 年，自成立以来专注于车规级功率半导体模块散热基板的研发、生产和销售，产品主要应用于新能源汽车领域，是新能源汽车电机控制器用功率半导体模块的重要组成部件。该公司长期致力于新能源汽车产业领域的发展，2024 年主营业务收入为 55,450.24 万元。
3）昆山固特杰散热产品有限公司
昆山固特杰散热产品有限公司成立于 2015 年，具备铜、铜铝、铝三种材料的高性能散热产品挤压和锻造能力。该公司主要产品是铜、铝制空气冷却散热器和液体冷却器，用于 IGBT 模块、SiC模块、逆变器、转换器、大功率 LED 等大功率电子产品，其散热技术广泛应用于高功率电子设备、工业自动化、汽车、LED 照明、通信设备等多个行业。
五、发行人报告期的主要财务数据及财务指标
2025年度
2024年度
营业总收入(元)
6.00亿
4.57亿
净利润(元)
8807.79万
7390.15万
扣非净利润(元)
8768.57万
7371.91万
发行股数 不超过量10,800,000股，超额配售选择权:
发行后总股本不超过过于43,200,000股
行业市盈率:29.27倍(2026.3.27数据)
同行业可比公司静态市盈率估值(不扣非):32.59(黄山谷捷)、171.13(国力电子)去除极值32.59
同行业可比公司静态市盈率估值(不扣非):54.61(黄山谷捷)、68.85(国力电子)去除极值61.73
公司EPS静态不扣非:1.71
公司EPS静态扣非:1.71
公司EPS动态不扣非:2.04
公司EPS动态不扣非:2.03
公司EPSTTM不扣非:-
公司EPSTTM扣非:-
拟募集资金27,000.00万元,募集资金需要发行价:25.00元，实际募集资金:3.02亿元。
募集资金用途:1功率半导体模块散热基板新建生产基地及产能提升项目 2新建研发中心项目 3补充流动资金
3月发行新股数量5支。2月发行新股数量6支。今年总共发行16只。
电子 -- 半导体 -- 半导体材料
所属地域：江苏省
主营业务：陶瓷管壳和封装散热基板等功率半导体器件关键部件研发、制造和销售。
产品名称：陶瓷管壳及配件、封装散热基板
控股股东：陈国贤、秦静、陈蓓璐、陈强
(持有江阴市赛英电子股份有限公司股份比例：33.94%、20.00%、12.50%、7.41% )
实际控制人：陈国贤、秦静、陈蓓璐、陈强
(持有江阴市赛英电子股份有限公司股份比例：33.94%、20.00%、12.50%、7.41%)
是否有战略配售:
股是否有保荐公司跟投:
(北交所)
行业市盈率预估发行价:25.18元，可比公司预估市研率发行价静态:20.25元，可比公司预估市研率发行价动态:17.34元。
实际发行价:28.00元发行流通市值:3.02亿,发行总市值:12.10亿。
价格区间:125.93元,最高:140.45元,最低:111.40元.是否有炒作价值:
动态行业市盈率预估发行价:59.71元。
上市首日市盈率:13.73(动)、(TTM)倍.行业市盈率是否高估: 否 可比公司市盈率是否高估:否
公司EPS动态不扣非:2.04公司EPSTTM不扣非:
EPSPE
是否建议申购:老股数量为30万股，1手保守900万，顶格理论上可以2手。
行业:晶闸管行业。
关键字:公司是专业从事陶瓷管壳和封装散热基板等功率半导体器件关键部件研发、制造和销售的国家高新技术企业。公司产品主要应用于晶闸管、IGBT 和 IGCT 等功率半导体器件，应用领域覆盖发电、输电、变电、配电、用电等电力系统全产业链，在特高压输变电、新能源发电、工业控制、新能源汽车、智算中心、轨道交通等领域发挥重要作用，市场前景广阔。
（1）陶瓷管壳(晶闸管用陶瓷管壳、平板压接式IGBT 用陶瓷管壳)
（2）封装散热基板(平底型封装散热基板、针齿型封装散热基板)
陶瓷管壳类业务领域竞争对手:京瓷株式会社、无锡天杨电子有限公司、厦门市海鼎盛科技有限公司、赛英电子。
封装散热基板类业务领域竞争对手:健策精密工业股份有限公司（3653.TW）、黄山谷捷（301581.SZ）、昆山固特杰散热产品有限公司、赛英电子。
发行价:28.00元，溢价率349.60%，TTM%，实际开盘%。
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