逻辑芯片(7nm 及以下):制作 ** 接触孔(钨塞)** 和局部互连线,导电性好、抗电迁移强。
3D NAND 闪存:填充垂直深通孔,实现多层导电,500 层以上制程用量激增。
DRAM/HBM 存储:电容与堆叠结构中的关键导电材料。
硅化钨(WSi₂):用于栅极 / 配线,降低电阻。
AI 芯片:用量约为普通芯片的3 倍。
中船特气:产能:2230 吨 / 年(全球最大),2027 年将扩至 3230 吨 / 年。
中巨芯:产能:800 吨 / 年(浙江博瑞中硝)

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