斗山，全球CCL老大，今天宣布扩产。
据最新报道，韩国斗山集团计划投资9700亿韩元，扩大AI半导体核心材料“覆铜板（CCL）”的生产。此外，斗山还将投资5500亿韩元在中国再建一座用于AI加速器和网络交换机的CCL生产工厂。该公司计划从2028年起提高韩国和中国扩建工厂的产量。
斗山电子拥有超过50年的CCL国产化历史，是韩国高端CCL材料自主化的核心推动者，同时也是目前英伟达CCL最核心供应商之一。
在英伟达的M8材料供应链中，斗山地位突出：占约60%的份额，台光电子约占30%，两者合计占据NVIDIA高端CCL的90%。
9700亿韩元，大约47亿人民币，这是斗山CCL业务历史上最大的单项投资，如果以斗山电子BG 2025年1.9万亿韩元的营收为参照，9700亿韩元的资本开支相当于其年营收的约51%。
此次扩产将使斗山新增35条产线，预计2029年带来约4.2万亿韩元营收增量，相当于其当前电子业务年销售额的1.6倍，项目预计2028年12月完成产能爬坡。
这是本轮AI算力周期中，继台光、台耀、生益等巨头纷纷扩产之后，韩系CCL龙头抛出的最大一笔扩产计划。它不仅驳斥了市场上关于CPO将"杀死"CCL的悲观论调，更进一步体现了：AI驱动下，CCL产业正在经历一轮由技术迭代升级带动的材料超级景气周期。
首先要强调的是，斗山扩产进一步说明近期的CPO降规论不靠谱。
近日，CCL板块有所调整，主要原因是一则市场传言：CPO技术将把光引擎直接集成到ASIC芯片附近，从而大幅缩短高速电信号在PCB上的传输距离，进而降低对超低损耗CCL材料的需求等级——极端情况下，CCL可能从M8/M9“降规”至M4水平。
而实际上，其一，CPO的大规模商业化仍面临成本、制造良率、可靠性、可维护性以及散热管理等多重挑战，CPO要放量至少是2028年之后的事，并且过渡的NPO已经确认被延长。
其二，CPO走光纤信号主要影响的是机柜间传输及交换机场景，仅占AI材料需求的约10%，而处理器-GPU-Switch间的板间传输仍需高频高速电连接，CCL等级不会大幅降级，只是层数堆叠增速可能略有放缓。供应链调查显示，目前CPO主板仍采用M8以上高阶材料，并非如传言所述直接降至M4。
斗山在此次公告中明确表示，其国内产线“已经超负荷运转”，此次扩产是“基于主要客户的中长期需求”。如果CPO真能在短期内摧毁高端CCL需求，斗山不可能再做出公司史上最大的单项资本开支。
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斗山扩产也不是它一个，这轮是产业集体扩产。
台光电子、台耀等台系厂商更是已经连续数年扩产。全球CCL TAM预计从2025年的190亿美元增至2030年的470亿美元（CAGR 20%）。
大陆SY松山湖第二工厂总投资约52亿元人民币，规划年产4800万平方米高性能覆铜板，一期预计2027H2陆续释放；大陆NY定增募投"基于AI算力的高阶高频高速覆铜板"项目，年产能720万张，预计2027Q3末投产。
核心公司都在抓紧扩产，以抢占高端CCL的市场份额，所随着CCL从M8到M9、M10的演进，必然带来产业竞争格局的重塑。
先看价值量，以M2为基准，从M8到M9，ASP翻倍（6.5x→12.1x）；从M8到M10，ASP接近3倍（6.5x→17.3x）。每一次代际升级，都是一次价值量的大幅跃迁。
然后看竞争格局：
在M7阶段，全球具备量产能力的厂商超过10家；
到M8阶段收窄至8-9家；
到M9阶段，预计只有4-5家能实现量产，因为配方工程极其复杂；
到M10/PTFE阶段，摩根士丹利预计全球合格的CCL供应商将收窄至仅2家左右。
但值得注意的是，在M9\\M10阶段，大陆厂商开始逐渐进入核心视野。M9阶段，SY成为大陆唯一通过英伟达M9认证的CCL厂商；M10阶段，SY、NY、HD三家大陆厂商进入M10核心测试名单。
在高端高速CCL的国产化率方面，相关数据一直比较低。有来源指出，高频高速材料等高端领域国产化率不足20%，同时进口均价是出口价的2.7倍以上，M9 覆铜板国产化率不足10%。
在高端CCL领域，大陆厂商有望迎来弯道超车，不仅抢占新技术高点，还能提升更大的市场份额。
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