关于磷化铟的两则市场消息：
1）国内磷化铟出口之前是受到限制的，属于守住金矿但由于没有出口许可，被动把最大的肉留给了海外的厂家，最近在吹风能放开批量了，云南锗业会是最受益的。
2）磷化铟缺口应该会随着下半年国内产能扩产达到一个平衡点，虽然涨价会放缓但是以量换价，还是值得期待的，属于磷化铟的国产替代，替代日本住友的份额，有效扩出产能从平地到产出，大概是12-18个月，如果是技术线改建，9个月左右的时间。
以下是和产业链朋友交流的一些观点（会给投资提供一些偏比较系统化的认知，不涉及到具体的特定方向及数据）：
1、磷化铟（InP）行业其实一直用了很多年，凡是涉及到光纤，涉及到光转电，电转光，就会用，两类材料，砷化镓（GaAs）（短距离100m-300m）和磷化铟（InP）（长距离500m-几十公里），所以这不是一个新鲜行业。
2、现在大家提的都是磷化铟（InP）（发光，接收可以磷酸锂或者硅光），是绝对的主流。因为砷化镓（GaAs）是VCSEL，他配合的是多模光纤，不是走直线，是以多种角度跳跃着前进，因为路宽，光线会互相干扰（产生色散），所以跑不远。随着速率提升后，比如25G/50G/100G，它能够touch的距离在变短，100G的距离只有20米。
3、历史：需求侧，起初发展20年，关注度不高，需求量即使很大，比如家里的光纤入户这些，也都是低端的，2.5G-10G，1块钱一颗，很便宜，一年也有上亿颗，但是价值量一算不大，然后14/15年ZJXC进Google 40G来了一波，真正起量是AI，原来单一产品几百万颗，现在翻10X。
4、历史：供给侧，磷化铟（InP）这个材料是二代半导体，同样一个衬底要贵出3-5倍，而且铟这种元素是伴生矿，总量不大，不管是lite/cohr/avgo/三菱驻友，一年生产上千万颗已经非常多了，原来的产线以2寸/3寸线为主，所以设备可以理解都是80年代的半导体设备，都是手动或者半自动化的，现在突然产业链膨胀加往高端走，需求价值量是好几倍翻，所以要扩产，且升级，国内往3寸，海外往4寸转。
5、供给端的问题：EML产线都在日本，再加上设备不是自动化，良率也低，再加上2/3寸往3/4寸走，避免不了引入了很多不稳定因子。
6、磷化铟（InP）和硅光不存在严格的替代关系。硅光是趋势，从量变到质变的原因：第一，需求越来越大，大规模去支撑AI，磷化铟（InP）的产能是有瓶颈的，硅光有IC的杠杆，半年到1年时间，把原来的8寸12寸产线改造改造就能起量，做出几千万芯片产能出来；第二，到了800G/1.6T，一个激光器可能是8个通道，任何一个芯片其实都是从分离走向集成的趋势，单个模组里面的数量变多的情况下，避免不了选择集成，硅光可以做16通道32通道单芯片集成。早期的IC也是，然后降成本，然后去扩大生产效率，光同样是这个问题，量大了之后需要迭代。
7、硅光也发展了15-20年了，但是硅光真正在最近开始起量的原因：第一，生态真的成熟了；第二，需求变成刚需了；第三，量真的大了；三要素达成后，开始有性价比，也就是因为AI，产业趋势起来了。
8、现在的硅光看到的产业趋势：原来的3-4年的迭代周期变成现在的2-3年，成本开始下降（传统Inp方案量跟不上，成本下不来，分立器件8通道是上限，物料成本高，还需要控温，组装的工序也多）。
9、往远期看，200G硅光会超过一半以上，但到了400G，硅光也有一定的问题，硅的材料天然高速没有磷化铟做高速做得好，所以性能维度不会好，但能提供性价比，所以长期是磷化铟/硅光/薄膜铌酸锂（TFLN）共存，每个板块增长都非常快，而且硅的材料能替代调制器，探测器（薄膜铌酸锂（TFLN）只能做调制器，不能做探测器），但没法发光，没法做laser，所以未来一定是个hybrid integration。
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