最近大摩对FCC有了一份新解读导致海外光通信连续大涨，有些人又开始担忧国产光芯片，实际上：
一、光芯片和之前光模块一样几年内无法被替代
二、光芯片属于光模块里最紧缺的环节，供不应求，加班加点扩产都不够，限制不现实。
短期内“光芯片”比“光模块”更难被替代：高端激光芯片（EML、高功率CW）与InP衬底供给持续紧缺，扩产周期长且集中在少数供应商，2026–2027年紧平衡将成常态，短期难以通过新增产能或供应商切换化解；即便调整最终装配地，核心有源器件与材料瓶颈依旧存在。各自份额对比：光模块：2026年中国厂商约占全球合同制造产能56%，头部中国厂商在800G/1.6T高端产品合计份额被多方描述为“多数份额/70%左右”，单一龙头中际旭创在数通光模块约27%（不同口径）。短期美国难以完全替代中国供应链的制造与交付能力。光芯片：全球高端EML/高功率CW仍被美日垄断（占比80%+），中国厂商在全球光芯片出货量占比由2021年的11.5%升至2025年的29.8%（整体口径）；但在“25G及以上高速/高端”口径上，统计差异巨大，既有“2025年国内市场国产化率提升至54.3%”的口径，也有“高速高端仅约4%”的严苛口径，须谨慎区分统计范围与口径定义。“是否最紧缺”：是。行业共识为高端光芯片是当前整条链路最紧缺的瓶颈，激光器芯片缺口与InP衬底缺口在未来2–3年内难以缓解，价格与交期对下游形成硬约束。
今天，LITE首席执行官对该行业有了更多积极评价：
“明年，随着CPO和NPO在2027年的推出，我们预计我们的出货量将低于需求70%。到2029-2030年，我们将达到某种程度的供需平衡。”
因此，目前的供应能力只能满足大约 30% 的需求，而且据 LITE 首席执行官称，这一瓶颈最早也要到 2029 年才能得到解决。
这背后的意义非常重大：
那些已经拥有激光产能的公司通过配额销售来盈利：更高的价格、更优的产品组合、加急费用。任何在2028年之前真正投产新激光产能的公司都不是在争夺市场份额，而是在填补Lumentum公司刚刚宣布无法交付的70%的产能缺口。
所以这对整个行业来说都是利好消息。
至于大摩关于关于3.2T的解读，一是属于未正式发布的内容的解读而已，二是属于远端未来不确定的事短期无忧，三是光芯片本身就非常紧缺尤其是高端光芯片属于最紧缺。所以无需被市场杂音干扰和裹挟。
1. 份额与“短期可替代性”对比（模块 vs. 芯片）
环节代表性份额/结构性数据短期可替代性判断关键约束与证据光模块（整机）2026年中国厂商约占全球合同制造产能56%；中际旭创全球数通模块份额约27%；业内多方称中国在800G/1.6T合计份额“占多数/约70%”。难。北美短期缺乏足量替代制造与交付能力，切换将带来认证、成本、交期多重压力。6719制造与封测规模优势、自动化与交付经验集中在中国；替代需同时解决产能、再认证与产品迁移。光芯片（有源器件为主）高端EML/高功率CW由美日垄断，份额80%+；中国厂商全球出货量占比由2021年11.5%→2025年29.8%（整体口径）；“25G+国产化率”口径分歧：有“54.3%（含25G国内市场）”与“~4%（高速高端细分）”。更难。即便更换模块产地，高端激光器与InP衬底产能紧缺、扩产长周期，短期无法通过“换供应商”解决。InP衬底2025年需求200–210万片 vs 合规产能60–70万片（缺口>70%）；EML/CW长期20–40%供给缺口、LITE口径缺口约30%；MOCVD交期15–18个月，新增产能至2027–2028年才逐步释放。2. 为何“光芯片比光模块更难替代”最上游材料—InP衬底短缺是硬约束：2025年全球InP衬底需求约200–210万片，合规产能仅60–70万片，缺口超过70%；该环节扩产受外延设备、良率爬坡与合规产能限制，周期长、弹性小。核心有源器件—EML/CW多年紧平衡：产业对高端EML与高功率CW的需求随800G→1.6T升级而激增；多机构与龙头披露缺口维持20–40%，亦有~30%的紧缺口径；单年激光器需求与供给测算（2026年约3.5亿 vs 3.0亿颗）呈现系统性缺口。产能扩张慢于需求与代际演进：MOCVD等关键设备交期15–18个月；北美新InP/光芯片产线普遍在2027–2028年才具备规模释放，难以匹配1.6T当下导入与3.2T预研的节奏。供应链相互绑定：即使在“美国本土化”框架下，上游材料与关键器件仍对全球供应链（含中国）存在依赖，因此单靠“换装配地/换模块商”无法短期绕开高端芯片与材料瓶颈。3. “各自占比”口径的冲突与研判方法光模块端：产能口径（代工/制造）与销售额/份额口径存在差异；当前能交叉验证的关键口径包括“中国制造产能约56%”、“单一龙头约27%”、“800G/1.6T合计多数/70%左右”，多来源一致指向“短期不可完全替代”。光芯片端：整体出货量份额（全球）提升至29.8%（2025），说明国产在中低/中速段快速渗透，但不能外推到“高端EML/CW”的实际份额。“25G及以上国产化率54.3%”多为“国内市场+含25G”的统计；“~4%”为“高速高端窄口径”的估算，二者口径显著不同，不可互换。高端市场份额判断以“美日垄断80%+”作为基准更具稳健性，匹配行业“紧缺—长周期—高集中”的事实。4、目前国内光芯片在高速率的全球份额很低
200G EML（全球份额，当前时点）
源杰科技：≈0%（尚未形成量产出货，处于客户验证/送样阶段）。长光华芯：≈0%（客户送样验证中，目标2026年四季度小批/量产起步，2027年放量）100G EML（全球/国内份额，当前时点）
源杰科技：全球约3.5%，国内约15%（100G EML已量产并批量出货）。长光华芯：未披露明确的100G全球份额；行业口径显示其“EML整体当前份额约1%-2%”，已批量出货100G EML并进入头部客户供应链。注：200G EML当前全球供给高度集中于海外龙头（Lumentum、Coherent、Broadcom、三菱等），普遍口径为“Lumentum 200G EML占比50%-60%+；三大/五大合计>70%”，国内厂商尚处导入早期，因而两家公司在“当前时点”的200G全球份额可视为尚未形成规模。
5、光芯片不仅在海外，在国内同样非常紧缺，未来都是增量，随着国产芯片的N多十万卡超节点放量，国内光芯片需求同样巨大
随着国内AI算力“超节点/Scale‑up”加速落地，800G→1.6T放量与硅光渗透抬升CW光源用量，国内光芯片需求同样巨大且更具持续性。共识认为2027年前后“Scale‑up光互联”将把瓶颈再次上推至光学器件（EML/CW、DSP等）
2025-2026 年全球 800G 以上光收发模块出货量
需求端多重放大：800G→1.6T接力+Scale‑up光互联
2026年800G以上光模块预计出货量约6300万只，1.6T由小基数快速起量至“数千万端口”，AI数据中心为主驱动。国内侧，2026年是“超节点/Scale‑up量产交付之年”，上下半年北美与国内超节点相继放量；供给紧缺将贯穿全年Scale‑up“上光”放大用量：当机柜内全面光化，单GPU所需光纤≈现状10倍；带宽从400G→1.6T/3.2T切换进一步推升光链路资源消耗。路线迁移带来结构性“新增量”
硅光渗透提升使光源从EML向外置CW‑LD迁移：住友测算CW‑LD芯片在数据中心用量占比由2024年24%→2028年69%；硅光模块销售额占比2026年将超50%，同步推高高功率CW需求（70/100mW起步，向200mW+演进）。国内硅光+CPO/NPO推进，CW光源成为“国产更易切入”的先行增量赛道，带动本土IDM扩产与份额提升。一代光模块架构路径——EML
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