芯联集成，成立于2018年，主要从事功率器件、模拟芯片、MEMS的研发、生产、销售，为AI、汽车、新能源、工控、家电等领域提供完整的一站式系统代工方案。
截至目前，芯联集成在上海、深圳、合肥，以及海外的东京、瑞士等地都设有办公室，与众多国内外客户建立了合作关系，是全球前十、中国大陆第三大特色工艺纯晶圆代工厂。
一、芯联集成
芯联集成，其前身是中芯国际（中芯国际集成电路制造有限公司）旗下的特色工艺事业部，是中芯国际为了聚焦MEMS、功率器件、模拟芯片等特定工艺技术，逐步形成的部门，该部门在2005年曾推出90纳米芯片制程技术，在2010年后加强在MEMS和功率器件领域的投入。
MEMS（微机电系统），是融合微型机械结构、传感器、执行器与集成电路的微型化器件，可感知加速度、压力、声音等信号，具备体积小、功耗低、容易批量集成的特点，被广泛应用于消费电子、汽车、医疗与工业控制领域；功率器件（Power Device），则主要用于电力设备的电能处理，包括变频、变压、变流等功能，核心功能是实现电力的高效转换、控制与传输，包括MOSFET（金属–氧化物–半导体晶体管）、IGBT（绝缘栅双极型晶体管）等器件。
2018年，中芯国际联合绍兴市越城区集成电路产业基金合伙企业（有限合伙），以及绍兴市盛洋电器有限公司，共同出资成立了“绍兴中芯集成电路制造股份有限公司”（简称“中芯集成”），专注于MEMS和功率器件的晶圆代工业务。在成立后，中芯集成正式启动了一期项目（8英寸特色工艺晶圆制造产线）的建设，聚焦于生产车规级功率器件。
2020年，中芯集成获得了富德创投、艾想投资等机构的B轮融资，进一步充实了公司资本实力，为后续产能扩张和技术研发提供资金支持。同年，中芯集成一期项目实现量产，具备稳定规模化交付能力，月产4.2万片8英寸Si（硅）晶圆。
2021年，中芯集成启动了SiC MOSFET的研发，布局第三代半导体核心技术。SiC（碳化硅）是第三代半导体核心材料，相比传统的Si，具备耐高温、耐高压、低损耗、高频工作特性；SiC MOSFET，则是基于SiC晶圆生产的功率器件，具有更好的散热性能，以及更高的工作频率，适配新能源汽车主驱、储能等高功率场景，能显著提升系统效率与续航能力。
同时，中芯集成在2021年分别成立“芯联越州集成电路制造（绍兴）有限公司”（简称“芯联越州”）与“芯联先锋集成电路制造（绍兴）有限公司”（简称“芯联先锋”），分别作为二期项目（8英寸特色工艺晶圆制造项目），以及三期项目（12英寸特色工艺晶圆制造项目）的实施主体。
2022年，芯联越州实现量产，公司8英寸Si晶圆总产能达到17万片/月，巩固了中芯集成作为国内最大MEMS晶圆代工厂的地位。之后，芯联越州在2023年实现了6英寸SiC MOSFET（指采用6英寸SiC晶圆制造的SiC MOSFET）正式量产，月产能达到5000片，成为国内首批实现车规级SiC MOSFET规模化上车的晶圆代工厂。
同时，中芯集成在2022年开始进军车规级高压BCD（Bipolar-CMOS-DMOS）工艺平台，实现了0.18微米BCD平台的量产，被配套应用于小鹏汽车的OBC（车载充电器）模块。BCD（Bipolar-CMOS-DMOS，模拟-数字-功率)，由意法半导体发明，集成了模拟信号、数字控制和功率输出三种元件，被广泛应用于电源管理、模拟数据采集和功率执行器等领域的产品和应用。之后，中芯集成在BCD领域不断突破，陆续实现0.13微米BCD+eFlash平台量产、55纳米BCD平台量产、BCD-SOI平台量产等，打破国际巨头在高压车规BCD领域的垄断。
2023年，中芯集成成立了“芯联动力科技（绍兴）有限公司”（简称“芯联动力”），专注于SiC MOSFET的模组封装与测试。通过成立芯联动力，中芯集成实现为客户提供从芯片到模组的一站式系统解决方案，覆盖新能源汽车主驱、OBC、充电桩等核心领域。
同时，中芯集成在2023年于上交所科创板上市，每股发行价5.69元，共计发行约17.01亿股，总计募集资金约110.29亿元，实际募集净额约104.7亿元。上市后，中芯集成更名为“芯联集成电路制造股份有限公司”（简称“芯联集成”），强化公司的新能源半导体定位，并区别于中芯国际，凸显在特色工艺晶圆代工领域的差异化发展。
2024年，芯联越州的8英寸SiC MOSFET工程批顺利下线，成为中国首条、全球第二条8英寸SiC MOSFET工程批通线，实现了第三代半导体制造技术的重大突破，大幅降低公司的生产成本。
2025年，芯联先锋的12英寸Si晶圆生产线开始进入规模量产阶段，主要生产IGBT等功率器件，以及HVIC（High-Voltage Integrated Circuit，高压集成电路）驱动芯片，产品广泛应用于新能源汽车、工业控制等领域。
此外，芯联集成在2025年花费58.97亿元，收购了芯联越州约72.33%股权，使其成为全资子公司，推动芯联集成实现8英寸Si晶圆和SiC晶圆产能的全面整合，提升公司规模效应。同时，芯联集成推出了全新SiC G2.0技术平台，采用8英寸先进制造技术，覆盖了新能源汽车主驱、车载电源及AI数据中心电源等场景。
除了收购芯联越州外，芯联集成在2025年与长安汽车合作多个项目，负责为长安汽车提供“芯片标准化+定制化解决方案”。同时，芯联集成与车灯龙头星宇股份（常州星宇车灯股份有限公司），以及化合物半导体顶尖机构湖北九峰山实验室合作，成立“武汉星曦光科技有限公司”，建设Micro-LED研发制造项目，由芯联集成负责提供“Micro-LED驱动芯片+模组封装”一站式解决方案，抢占车载光语交互新赛道。
截至目前，芯联集成在晶圆代工领域已经涵盖了功率器件、模拟芯片与MEMS等产品线。
在功率器件领域，芯联集成产品覆盖了IGBT、MOSFET、SiC MOSFET等芯片和模组，产能覆盖中高端功率器件全品类；在模拟芯片领域，芯联集成可提供完整的车规级晶圆代工服务，并持续开发集成更多智能数字的先进BCD工艺平台，可满足音频、数字电源、协议芯片等数模混合产品的代工需求；在MEMS领域，芯联集成产品覆盖了麦克风芯片、压力传感器、车载运动传感器等，成功助力新能源及智能化产业的发展。
二、业绩情况
在半导体制造行业，普遍存在着先亏后盈的规律，台积电、中芯国际均经历过多年亏损期，芯联集成也不例外。
成立初期，芯联集成处于扩产阶段，由于晶圆制造设备单价昂贵，导致公司固定资产快速增长，从2020年的35.79亿元增至2022年的108.82亿元，固定资产折旧在营业成本中占比超10%，直接拉低了公司的毛利率。同时，由于芯联集成处于产能爬坡期，产能利用率不足，单位固定成本较高，规模效应尚未显现。
此外，芯联集成聚焦功率器件、MEMS等特色晶圆工艺，研发费用率维持高位，研发投入占营收比重长期超过20%，且随着公司从单一工艺向全链条代工转型，拓展了车载、工控等高端市场，前期市场开拓与客户培育成本较高，导致公司销售费用、管理费用快速增长，扩大了公司亏损规模。
2019年至2022年，芯联集成的营收从2.7亿元增长至46.06亿元，年均复合增长率为186%。不过，公司分别实现亏损7.72亿元、13.66亿元、12.36亿元和10.88亿元。
2023年，芯联集成在上市募资后加速扩产，新增8英寸晶圆生产线和SiC功率器件生产线，固定资产折旧同比增长约80%，导致公司亏损扩大。同时，公司为了抢占新能源汽车芯片市场，芯联集成加大在SiC、IGBT等车规级芯片领域的研发投入，研发费用达15.29亿元，同比增长超过80%。当年，芯联集成实现营收53.24亿元，同比增长15.59%，亏损19.58亿元，同比扩大79.92%。
从2024年起，随着芯联集成逐步调整产品结构，从低附加值的消费电子向高附加值的车载芯片转型，SiC MOSFET、模拟芯片等高端产品占营收比不断提升，公司毛利率开始转正并增长，从2024年的1.03%增长至2025年前三季度的3.97%。
此外，随着G2.0碳化硅平台等技术成果转化为收入，8英寸晶圆产线满负荷运行，6英寸SiC晶圆产能稳步爬坡，公司规模效应充分发挥，产能利用率提升，产品良率超过95%，单位成本显著下降。
2024年，芯联集成实现营收65.09亿元，同比增长22.25%；亏损9.62亿元，同比收窄50.87%。其中，公司碳化硅收入超过10亿元，同比增长超过100%。
2025年前三季度，芯联集成实现营收54.22亿元，同比增长19.23%；亏损4.63亿元，同比收窄32.32%，规模效应逐步显现。截至2025年，芯联集成的SiC MOSFET总计装车辆超过100万台，市场应用规模持续扩大。
经过多年发展，芯联集成已经形成功率器件、模拟芯片、MEMS三大业务板块。
在功率器件领域，芯联集成是中国最大的车规级IGBT生产基地之一，SiC MOSFET出货量上稳居亚洲前列；在模拟芯片领域，芯联集成拥有稀缺的高压BCD平台，是国内在该领域布局最完整的企业之一；在MEMS领域，芯联集成是全球前五大MEMS晶圆代工厂之一。
目前，芯联集成所处的特色工艺晶圆代工赛道拥有大量竞争者。在海外市场，意法半导体、英飞凌等六大国外厂商仍主导着碳化硅市场，占据约85%的市场份额，技术与品牌优势显著；在国内市场，三安光电、士兰微、华虹公司等厂商加速布局特色工艺及第三代半导体领域，而中芯国际作为芯联集成的前身股东，同样在相关领域与其形成直接竞争态势。
在行业竞争日趋白热化的情况下，部分竞争对手通过降价抢占市场份额，直接拉低行业毛利水平，而芯联集成自身毛利率仍处于较低水平，2025年预计仅为5.92%，公司盈利压力较大。同时，部分下游车企、半导体厂商开始逐步自研功率器件晶圆制造环节，进一步挤压了以芯联集成等第三方代工企业的市场份额。
除了行业竞争加剧外，芯联集成的营收结构仍存在不均衡问题。2025年上半年，公司车载领域营收占比高达47%，过度依赖单一应用场景，而AI领域作为第四大核心市场，营收占比仅为6%，规模较小，尚未形成有力支撑。
此外，芯联集成已经连续七年亏损，累计亏损约70亿元，固定资产折旧压力巨大，研发投入持续高企，进一步挤压公司的利润空间。随着半导体技术迭代加速，12英寸数模混合芯片成为行业发展趋势，新型功率器件、先进封装等新技术持续涌现，若芯联集成无法持续维持高研发投入，适配新的技术路线与应用场景，现有8英寸晶圆产线的产能及技术可能面临被替代风险。
不过，随着全球新能源汽车、AI算力、储能需求的爆发，特色工艺晶圆代工行业在未来几年有望保持高速增长态势，芯联集成作为国内特色工艺龙头企业，将充分受益市场增长红利。同时，在国产替代与“双碳”目标的双重推动下，政策持续支持半导体产业发展，芯联集成作为国内首个实现SiC MOSFET大规模应用于新能源汽车主驱的企业，可依托技术优势与客户基础，进一步挖掘车载、储能等细分场景潜力，推动SiC业务持续放量。
另外，随着芯联集成在海外高端市场陆续实现突破，自主研发的SiC MOSFET器件已送样欧美AI公司，依托欧洲车企的服务经验，加速在AI服务器电源产品的商业化落地，通过持续强化技术研发与海外本土化服务能力，带来新的营收增长点。
未来，芯联集成将持续聚焦核心晶圆制造业务的研发与创新，强化在新能源汽车、工业控制、AI算力等领域的功率器件与MEMS技术优势，优化产能布局与业务结构，平衡各板块发展节奏，继续深耕国内外半导体与汽车电子市场，以技术自立自强驱动高质量发展，成为全球领先的特色工艺晶圆制造与新能源功率半导体解决方案提供商。
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