*SK海力士推进EUV工艺……开始引入新材料“PSM”
【利用相移掩模提升光刻性能】……正在考虑将其应用于下一代极紫外光刻
SK海力士正致力于推进其极紫外光刻（EUV）技术，以实现下一代DRAM的量产。该公司去年首次推出高数值孔径（High‑NA）EUV设备，并于今年全面启动相关技术的研发。据悉，该公司还在采用相移掩模（PSM）等新型材料，以提升EUV光刻性能。
SK海力士副总裁朴路翰博士在10日于京畿道水原会议中心举行的“2026年下一代光刻 + 图案化会议(NGL 2026)”上表示：“我们已经开始全面引入PSM技术，以实现EUV的极致性能提升。”
SK海力士针对High‑NA EUV（高NA极紫外光刻），要导入 PSM相移掩模，用于下一代DRAM；
2. 表态来源：副总裁朴路翰，NGL 2026下一代光刻会议；
3. 目的：提升EUV光刻性能，支撑新一代DRAM量产。
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