一、海外国家战略层面催化
1. 韩国国家级产业倾斜，全力押注碳化硅赛道
6月14日韩国紧急经济指挥部会议，将SiC功率半导体定义为比肩存储芯片的国家核心战略产业，复刻过去扶持存储产业的举国模式。
- 三星启动8英寸碳化硅产线重启规划，已经和材料、设备供应商洽谈产能建设，计划大规模布局SiC制造产能；
- 依托韩国成熟的制造业基础，计划在车规、算力电源领域抢占全球SiC器件份额，直接抬升全球行业景气预期。
2. 国际头部企业集体扩产，验证产业确定性
1. 英特尔CEO公开发声，在GaN、SiC、磷化铟三大宽禁带半导体同步布局，将新材料作为突破摩尔定律瓶颈的核心路线，加大功率器件研发投入；
2. 台积电接到12英寸中介层SiC衬底订单，2026年开始交付，客户次年采购规模计划翻倍，高端碳化硅材料需求进入快速上行通道；
3. 伊顿推出全SiC架构固态变压器2.0，AI机房800V高压供电方案落地，从终端应用端打开SiC器件增量；
二、摩根士丹利、瑞银机构研报核心观点
1. 摩根士丹利
1. 行业周期判断：功率半导体已经结束下行库存周期，正式开启新一轮上行周期，核心驱动不是短期订单脉冲，而是海外大厂主动收缩成熟工艺产能，全球供给长期偏紧，缺货周期会持续2‑3年；
2. 需求结构：AI数据中心800V供电、新能源汽车800V高压平台，会成为碳化硅两大核心增长引擎，2026年全球功率器件出货增速可达16%；
3. 市场规模预测：2028‑2030年，仅数据中心固态变压器（SST）带来的SiC市场空间就可达百亿美元级别；看好具备IDM自产能力的中国本土厂商，国产替代订单将加速转移。
2. 瑞银
1. 周期定位：功率半导体处在超级周期起点，AI算力供电是未来最大增量市场，碳化硅渗透率进入加速拐点 ；
2. 供需格局：SiC衬底成本持续下行，800V架构开始下放到平价车型、储能项目以及服务器电源，2027‑2028年行业现有产能会被完全消化，供需格局反转；
3. 个股评级：将士兰微由中性上调至买入评级，目标价上调至46.2元。看好其全链条IDM模式，SiC产线量产落地，已经实现AI电源批量供货，是国内最直接受益本轮行情的标的，同时看好斯达半导等具备自建SiC产线企业 。
三、下游需求端利好
1. AI算力需求刚性增长：服务器功耗持续攀升，传统硅基器件损耗过大，800V高压直流架构成为行业标准，SiC器件属于硬性刚需，电源端碳化硅需求单季度环比上涨20%‑30%；固态变压器大规模商用进一步放大器件用量。
2. 新能源车与储能渗透：800V高压平台车型持续放量，储能电站高压化改造，SiC器件可以降低能耗，长期使用成本优势明显，下游车企、储能厂商导入意愿提升。
3. 行业空间预期：机构测算，国内SiC衬底市场将由2025年85亿元增长至2030年2000亿元，未来5年成长空间充足。
全产业链功率半导体概念股分类
1. IDM模式（设计‑制造‑封装一体化）
- 士兰微（600460）：IDM龙头，SiC全链路布局，AI算力电源已批量供货
- 华润微（688396）：国内MOSFET龙头，布局SiC器件，工控与光伏市场优势明显
- 扬杰科技（300373）：分立器件IDM，车规二极管、SiC模块布局完善
2. 功率器件与模块厂商
- 斯达半导（603290）：IGBT模块龙头，全球车规级供货，SiC模块对外出口
- 时代电气（688187）：中车旗下，高压IGBT与车规SiC模块，轨道交通与新能源客户稳固
- 宏微科技（688711）：功率分立器件，SiC二极管、MOSFET持续放量
- 新洁能（605111）：高压MOSFET龙头，布局氮化镓产品
3. 上游衬底‑材料‑设备（第三代半导体上游）
- 天岳先进（688234）：碳化硅衬底龙头，8英寸衬底实现海外大厂认证
- 三安光电（600703）：衬底‑外延‑器件完整布局，SiC外延片出货量领先
- 晶升股份（688480）：SiC长晶核心设备供应商
- 晶盛机电（300316）：布局碳化硅衬底材料业务
4. 下游应用（固态变压器SST）
- 阳光电源、金盘科技、四方股份，适配伊顿全SiC固态变压器应用场景
士兰微：IDM龙头破局成长，功率与第三代半导体
双轮驱动;
1. 核心模式：国内稀缺的全链路IDM企业
公司自建5‑12英寸硅基晶圆产线、SiC化合物产线以及配套封测工厂，完整实现芯片设计‑晶圆制造‑封装测试全链条自主可控，无需依赖外部代工厂，交付周期与成本优势突出，也是国内产品品类最齐全的功率半导体厂商之一。
2. 两大核心业务板块
1. 传统硅基功率器件（基本盘）
自有IGBT、高压超结MOS、智能功率模块IPM。家用变频家电领域市占率超过40%，客户覆盖国内外头部白电品牌；同时布局车规级IGBT，进入多家车企供应链，工业、光伏储能业务稳步增长，提供稳定现金流。
2. 第三代半导体SiC/GaN（核心增长曲线）
- 产能建设：6英寸SiC产线月产能达到1万片，已经大规模量产；8英寸SiC产线已经通线，2026年下半年投产，产能进一步释放。
- AI算力电源落地：SiC‑MOSFET器件批量供给AI服务器800V高压电源，适配伊顿固态变压器2.0架构，是国内少数实现算力电源批量出货的本土厂商；同时配套GaN、DrMOS、电源管理IC，提供整套供电解决方案。
- 产品迭代：第四代SiC芯片完成验证，对标英飞凌主流产品，可用于新能源车主驱逆变器、工业高压电源，打开汽车市场增量空间。
3. 业绩与客户结构
2025年净利润同比增长81.27%，80%以上营收来自汽车、工业、AI电源等高门槛市场，产品由低端消费市场向高毛利高端市场转型，毛利率持续上行，盈利能力不断提升。
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