半导体前道材料（晶圆制造）：七大环节国产化率及厂商梳理

半导体材料按工艺环节，可分为前道（晶圆制造）材料、后道（封装测试）材料。

前道材料占据70%市场规模，主要包括七大类：硅片、掩模版、光刻胶、湿电子化学品、抛光材料、电子特气、靶材。

2.1 硅片

（1）作用：半导体制造基底材料，支撑后续光刻、蚀刻等工艺，形成晶体管和电路结构。

（2）组成：由高纯度单晶硅（9N以上）经切割、研磨等工艺制得。

（3）分类：按尺寸分为8英寸、12英寸等；按工艺分为抛光片、外延片、SOI硅片。

（4）全球格局：CR5超90%，包括信越化学（日）、SUMCO（日）、环球晶圆（台）、Siltronic（德）、SK Siltron（韩）。

（5）国内头部：沪硅产业、立昂微、有研硅。

2.2 掩膜版（光罩）

（1）作用：光刻工艺中的图形转移母版，承载着设计好的电路图案。

（2）组成：由石英玻璃基板、金属铬层、感光胶层组成，通过电子束刻蚀出电路图形。

（3）全球格局：CR5超95%，包括Photronics（美）、Toppan（日）、DNP（日）等。

（4）国内头部：聚和材料、路维光电、清溢光电。

2.3 光刻胶

（1）作用：光刻工艺中的感光介质，涂覆在晶圆上，曝光后溶解度变化，显影后留下电路图案，实现图形转移。

（2）组成：由树脂、感光剂、溶剂、添加剂组成。

（3）分类：按曝光波长分为EUV胶、ArF/KrF胶（DUV）、G/I线胶（UV）。

（4）全球格局：CR5超90%，包括JSR（日）、东京应化（日）、信越化学（日）、富士胶片（日）、杜邦（美）。

（5）国内头部：南大光电、上海新阳、晶瑞电材、彤程新材。

2.4 湿电子化学品

（1）作用：超净高纯化学试剂，用于晶圆清洗、蚀刻、显影等工艺。

（2）分类：清洗液、蚀刻液、剥离液、显影液等。

（3）全球格局：CR5超80%，包括关东化学（日）、巴斯夫（德）、霍尼韦尔（美）、三菱化学（日）。

（4）国内头部：中巨芯、格林达、江化微。

2.5 抛光材料

（1）作用：用于化学机械抛光（CMP）工艺，实现晶圆表面纳米级平整。

（2）分类：抛光垫、抛光液。

（3）全球格局：抛光液CR3超90%（卡博特、日立、Fujimi）；抛光垫 CR2超90%（陶氏、卡博特）。

（4）国内头部：鼎龙股份（抛光垫）、安集科技（抛光液）。

2.6 电子特气

（1）作用：高纯度特种气体，用于蚀刻、薄膜沉积、掺杂、清洗等工艺。

（2）分类：全领域超百种，分为蚀刻气、沉积气、清洗气、掺杂气等。

（3）全球格局：CR4超80%，包括林德集团（德）、液化空气（法）、空气化工（美）、大阳日酸（日）。

（4）国内头部：中船特气、华特气体、雅克科技、金宏气体。

2.7 靶材

（1）作用：物理气相沉积（PVD）工艺中的粒子源，靶材原子被溅射并沉积形成薄膜，用于互连层、阻挡层、导电层制备。

（2）分类：金属靶材（铝靶、铜靶、钛靶、钨靶等）、合金靶材、陶瓷靶材。

（3）全球格局：CR5超80%，包括日矿金属（日）、东曹（日）、霍尼韦尔（美）等。

（4）国内头部：江丰电子、有研新材、欧莱新材。

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