卓胜微：拥有硅光芯片制造绕不开两个工艺——SiGe+和SOI

卓胜微：国内射频前端芯片龙头

凭借芯卓产线的独家工艺壁垒与光通信全链条布局，打开 6G 与硅光芯片成长空间

硅光芯片制造核心依赖 SiGe（电芯片）与 SOI（光芯片衬底）两大工艺，

卓胜微芯卓产线是国内唯一 12 寸 SiGe+SOI 双工艺平台

全球 70% 高端 SiGe 产能被海外垄断，地缘冲突下国产硅光产能成稀缺资源。

公司 12 寸产线良率达 92%，优于行业平均，可稳定量产适配 800G/1.6T 光模块的 TIA/Driver 电芯片，已向头部客户送样验证。

卓胜微已构建光通信全链条能力

从 SiGe/SOI 工艺平台，到 TIA/Driver 电芯片，再到磷化铟 CW 光源、调制器等核心器件全覆盖。

这种全栈布局在国内罕见，可充分受益 AI 算力爆发带来的高速光模块需求，光芯片业务毛利率预计达 40%-60%，远超传统射频业务。

当前市值仅反映过往射频主业定价，尚未计入硅光与 6G 布局价值。随着 6G 技术研发推进与硅光芯片需求爆发，光通信业务将成核心增长引擎，叠加国产替代与供应链安全逻辑，公司迎来业绩与估值双升机遇。

卓胜微凭借独家工艺壁垒、全链条布局、高毛利成长空间，已从射频龙头升级为硅光 + 6G 核心标的，长期成长潜力巨大，重点看好。

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