全球碳化硅扩产节点与衬底供需梳理

聚焦碳化硅（SiC）赛道，本文拆解底层材料环节的供需变量与全球晶圆代工厂商的扩产节点。

一、三星8英寸产线重启与设备导入节点

6月14日，韩国将下一代功率半导体列为核心战略产业。三星电子晶圆代工业务正在推进8英寸碳化硅（SiC）生产线的建设重启。目前该厂商已与材料、组件及设备供应商展开磋商，进度已触及设备导入规模的量化评估阶段。

二、台积电12英寸中介层订单与交付排期

针对传统微缩技术瓶颈，头部晶圆代工厂正着手从材料层面寻找突破，当前布局覆盖氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）、磷化铟（InP）三大物理基材主线。

台积电已向特定企业提出明确的12英寸中介层SiC衬底需求，时间线显示将于今年开启交付，且2025年对应订单需求量呈翻倍预期。

三、2025年85亿元衬底基盘与海外映射

受算力基建发展驱动，碳化硅衬底的真实需求体量正快速扩张，产业端基准测算2025年对应衬底市场规模达85亿元。

海外同业映射标的英飞凌、意法半导体、安森美及Wolfspeed近期受产业端进展催化，二级市场资金交投活跃。

四、行业观察

当前国内碳化硅产业链各节点相关企业落位如下：

设备环节：
晶升股份、新益昌、联动科技

衬底环节：
天岳先进、三安光电、晶盛机电

芯片器件环节：
新洁能、芯联集成、士兰微、扬杰科技、宏微科技、时代电气

SST（固态变压器）环节：
阳光电源、金盘科技、四方股份

风险提示：应用推进不及预期，行业竞争加剧。

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