一、核心材料：铟镓锌氧化物（IGZO）
IGZO 是本次研究的核心材料，也是氧化物半导体、显示与新型存储器件的关键材料。
京东方 A（000725）：大规模量产 IGZO-TFT，用于高端显示，具备 IGZO 薄膜制备与器件工艺能力。
TCL 科技（000100）：旗下华星光电布局 IGZO 显示技术，拥有氧化物半导体产线。
铟 / 镓 / 锌资源企业：
锌：驰宏锌锗（600497）、中金岭南（000060）、兴业银锡（000426）。
镓：中国铝业（601600）、南大光电（603690）。
二、薄膜沉积与工艺设备
IGZO 突触晶体管依赖ALD/CVD等精密薄膜沉积技术，对设备精度要求极高。
北方华创（002371）：ALD、CVD 设备龙头，覆盖半导体先进工艺，适配氧化物薄膜沉积。
中微公司（688012）：刻蚀与薄膜沉积设备，服务先进半导体与新型器件。
拓荆科技（688072）：ALD 前驱体与设备，用于高均匀性薄膜生长。
微导纳米（688147）：ALD 设备在氧化物半导体、RRAM 领域应用广泛。
三、抗辐射 / 航天级 AI 芯片设计
太空 AI 芯片核心是抗辐射 + 类脑计算，以下公司布局相关技术：
寒武纪（688256）：MLU 系列星载 AI 芯片通过航天级抗辐测试，面向太空算力。
紫光国微（603501）：抗辐射存储 / 计算芯片，保障太空环境算力稳定。
复旦微电（688385）：国内批量供应抗辐射 FPGA，用于星载计算系统。
国星宇航（未上市）：部署太空计算星座，在轨验证大模型，自研星载 AI 芯片。
振芯科技（300101）：北斗 + 星载 AI 加速芯片，布局航天电子与抗辐射 ASIC。
四、航天电子与系统集成
提供星载计算平台、热控、电源等配套，支撑芯片在轨应用。
航天电子（600879）：星载计算机市占率领先，适配抗辐射芯片系统。
航天环宇（688523）：卫星热控系统，解决太空算力芯片散热。
臻镭科技（688270）：抗辐射电源管理芯片，为星载 AI 提供能源保障。
五、韩国相关企业（技术源头）
三星电子（SSNGY）：韩国半导体龙头，布局氧化物半导体、先进封装与航天级芯片。
SK 海力士（HXSCL）：存储芯片龙头，参与韩国 AI 芯片与太空算力项目。
PowerCubeSemi（拟上市）：氧化镓 / 宽禁带半导体企业，与韩国政府合作推进极端环境半导体。
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