投资要点
铪在存储、CPU、GPU中的应用，大有可为
(1)先进制程领域，氧化铪可作为高k栅介质(HKMG)，据Goodfellow，氧化铪(HfO2)拥有相对较高的介电常数(k-20-25)、大带隙(-5.7eV)，氧化铪基高k材料有望逐步替代传统二氧化硅SiO2，抑制栅极隧穿漏电、控制
芯片
功耗，可用于CPU/GPU核心晶体管等场景。据eetimes，Intel、台积电、三星等均有布局。
(2)DRAM领域，氧化铪可作为高k电容介质，据《HfO2基薄膜的介电、铁电性能调控及相关信息存储器》，HfO基材料可替代SiO/SiON作堆叠电容介质，在保持较低漏电流密度(<10–7A/[email protected])的前提下实现高介电常数(>40)，从而提升容量、降低漏电。随着DRAM工艺节点进入20nm以下，三星、海力士、美光等DRAM公司已普遍采用该方案。据国家知识产权局，国内长鑫存储亦有布局。
(3)3D NAND领域，据《A Case Study of HfO2/Al2O3Nanolaminated Stacks》HfO基材料用于3D NAND的隧穿氧化层(TO)、电荷俘获层(CTL)、阻挡氧化层(BO)。据三星、海力士官网以及国家知识产权局，三星、海力士、长江存储已在此领域积极探索与布局。
海外铪金属价格持续上涨，锆铪项目打开长期想象空间
海外铪金属价格持续破历史新高，据Strategic Metals Invest，截至2026年5月15日，铪金属海外报价12508美元/千克(折合人民币约8500万元/吨)，较年初+31.67%，同比+196.46%，持续创历史新高。据阿格斯，鉴于燃气轮机、
存储芯片
、商业航天、核电站领域的铪需求已远超当前供应能力，预计铪金属将出现结构性短缺格局，铪金属涨价或有望持续。2025年7月，公司拟投资建设2万吨锆铪分离项目。截至2026年4月，公司锆铪分离半工业化产线已可连续且稳定产出4N级以上氧氯化铪及氧氯化锆，均为
电子
级产品，预计投产在即。
盈利预测与估值
铪在存储、CPU、GPU中的应用，大有可为。公司锆铪项目稳步推进，长期成长空间广阔。预计2026-2028年公司归母净利润为3.96、6.51、7.52亿元，EPS分别为0.94、1.54、1.78元，维持“买入”评级。
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