兆易调研：
DRAM:2026年第二ji度消费类利基型DRAM价格涨幅约30%-40%，低于市场传闻的50%-60%，预计第三季度价格继续上涨，但涨幅收窄。
NAND:SLC价格涨幅显著，1Gb容量从2025年中不足0.5美元涨至目前约3美元，预计2026年第三季度涨幅会进一步扩大。32Gb MLC是目前最紧缺规格，涨价主因是铠侠等大厂退出留下超10万片晶圆产能缺口，新进入者旺宏转换约1万片产能，主要需求来自汽车、工业、物联网等领域。
NOR:2026年第二季度NOR Flash幅約10%-20%。由于订单交付周期滞后，2025年底30%的涨价幅度主要在2026年第二季度业绩中体现。预计第三、四季度将迎更大涨幅，且集中在大容量产品上，大容量产品销售额占比已超一半。
MCU:2026年第二季度MCU市场面临紧缺，公司产品涨价达几十个百分点。此次紧缺非行业普遍现象，而是公司自身产品结构优化导致自有产能不足，需通过提价调节。预计2026年底，AI、车载、光模块、机器人等相关应用出货占MCU业务比重将从上半年的不足10%提升至30%-40%。
CASH RAM：公司基于DDR4堆叠技术的CASH RAM是全球唯一量产同类产品，拥有超80个客户和100多个项目。两层和四层堆叠已量产，八层及2.5D封装（针对云端）在研，整体收入规模较小。
【长江电子】存储超级周期持续，持续看好存储及存储产业链
AI驱动存储需求持续高增
AI驱动存储需求中长期持续高增，韩国预计，未来5年内存需求将增长5倍，供给端韩国产能5年翻倍，内存供给持续进展周期持续拉长。
nand flash方面，伴随着模型参数量的持续增加、kv cache卸载至nand flash，推理时代数据量产生的持续增长，nand flash需求持续高增，供给端产能开出更为有限。
美光最新法说会指引存储供需预计27年后仍保持持续紧张。
存储超级周期、全面看多存储及存储产业链
#核心推荐：
原厂：美光、海力士、闪迪、三星、铠侠
利基存储：供给端出清，供需紧张中期难以环节，#兆易创新、普冉股份、北京君正、恒烁股份、东芯股份（切换至27年空间持续打开）
内存接口及配套芯片、闪存主控芯片：内存条及高性能内存条、ssd总量增加逻辑，#澜起科技、聚辰股份、联芸科技
模组公司：江波龙、德明利、佰维存储、香农芯创、大普微
设备&材料：拓荆科技、精测电子、中科飞测、微导纳米、中微公司、北方华创、精智达、华海清科、屹唐股份、盛美上海、雅克科技、鼎龙股份、安集科技
两长logic die外协：晶合集成、华润微、燕东微
封测：汇成股份、深科技
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近日，全球首只内存领域主动管理型ETF——Roundhill Memory ETF（DRAM）进行调仓，首次将A股存储龙头兆易创新纳入投资组合，为第八大重仓股。业内人士认为，这一配置变化，折射出在全球存储产业格局中，中国半导体企业的市场地位正受到海外资金进一步关注。
兆易创新跻身全球存储ETF
作为市场稀缺的纯存储主动管理ETF，DRAM基金定位精准聚焦DRAM、HBM、NOR Flash、NAND等AI基础设施核心存储品类，筛选标准明确要求标的半数以上营收来源于存储芯片业务。自4月2日上市以来，该产品展现出极强的“吸金”能力，上市仅54个交易日规模便突破200亿美元，成为近年来规模增长最快的新发ETF之一。
今年6月，DRAM进行调仓，对头部持仓展开结构性调整，同时首次将A股存储龙头兆易创新纳入投资组合，权重为2.91%，位列第八大重仓股。Choice数据显示，6月29日，兆易创新单日大涨9.09%，年初至今涨幅为292.65%。
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