3月初以来，基本面层面PCB持续边际向上，NV rubin计算板/交换板面积/ASP超预期，高速背板、LPX机柜、CPU机柜等增量逻辑强化，NVL144架构进一步夯实PCB在中短距离互联中的重要地位，ASIC方面AWS T3开始拉货、TPU V9应用M9预期进一步强化；但受美伊冲突带来市场风偏转变影响，3月以来PCB板块超跌，近期随国际形势变化、大盘反弹，我们仍持续看好后续PCB板块的机会。1）沪电股份：公司凭借在高多层PCB领域的技术积淀，有望在PCB高速背板、LPX主板、ASIC等PCB应用保持领先份额，同时公司加速扩充高阶产能，通过内部挖潜（公司通过产品结构优化、针对性产能升级扩容持续提升产出，预计将于26Q2起有序释放）+新建工厂（已公告项目总投资超过220亿元，有望自26H2陆续开始释放），产能增长有望进入斜率陡峭阶段，进一步打开业绩天花板。2）生益科技：AI方面公司加速放量，M8公司在N客户交换板已取得主要份额，其他料号及ASIC客户正在陆续按计划导入，M9则有望逐步开始小批量，27年起量趋势明确，M10则已开始布局研发，同时近期AI CCL有望迎来涨价，公司AI业绩有望加速增长；传统CCL方面，尽管电子布、树脂等近期涨幅较大，但上行周期下我们认为头部CCL实现超额涨价确定性高，我们认为Q1 CCL盈利能力有望保持稳定，看好Q2及后续盈利能力提升弹性。3）鹏鼎控股：产能端公司持续加码投资，2026年capex预期168亿，海内外规划投资额超300亿元；产品端已正式供货N客户，Asic客户陆续导入中，凭借母公司鸿海集团的协同优势以及多年服务海外客户的资源优势，我们看好公司加速导入众多海外龙头客户。公司当前估值水平相对较低，但近期AI扩产、订单均在超预期，市场尚未充分price in，股价显著跑输母公司，我们看好后续随Q2 AI业务放量、业绩逐步兑现。光模块龙头逻辑重申
27年根据订单指引判断利润增长幅度远超100%，28年根据客户关键物料产能预订情况，总市场需求预计继续较27年继续翻倍根据草根调研，我们在3月1日全市场第一个给出27年需求的明确指引，GTC&OFC期间我们通过访问csp&nv及关键物料环节，大幅提升了预估的置信度目前两家公司27年PE极低，按往年估值经验，交易到到今年年底仍有75%-一倍空间；根据28年产业趋势预测，27年仍有较大股价空间（当然，我们认为两家科技龙头值得更高估值，原因见下述两条）两家公司在OCS、NPO、CPO、XPO、硅光等高增速细分领域卡位优势明显。OCS整机将打破海外垄断，利用国产制造优势实现反超；NPO、CPO、XPO更利用与csp联合研发的优势获得市场先机Scale Up的互联要求小体积/低功耗/高稳定，光模块产品将逐渐半导体化，公司定位也将实现从模组公司到类半导体公司的跃升建议打破固有思维，充分认知到AI是前所未见的科技浪潮，国内的科技制造业会出现越来越多的数千亿利润体量、数万亿市值的优秀企业。继续关注中际旭创/新易盛。Q布几条重要信息更新：
（1）生益科技2025年12月底通过NV M9Q牌号材料验证，近期已开展工程化M9Q材料测试，送样测试结果顺利，4月上旬已下10W张M9材料备货需求，5-6月有望在下游PCB厂家侧看到拉货。
（2）以NVL144中的40层高多层Switch Tray为例，近期有个变化是在一部分下游PCB厂商中看到了部分层数的M9开始混压（在信号层排布），这与此前所有层数都使用EM896K2（即M8.5）的市场预期有些变化，下游对于Q布核心的困扰点当前仍然在于供应链稳定性问题，而非成本、工程化问题等。
（3）Midplane是NVL144 Compute Tray的基本组件，与是否使用CPX无关，核心是连接前后CPU+GPU和CX9网卡模块，从目前来看下游Midplane或存在两个版本，牌号分别为EM896K2（台光M8.5，JW近量产）及EM896K3（台光M9Q，部分小批）。
（4）LPX机柜有望在26Q4逐步小批，从目前来推断Q布的备货大概率在26Q2末及26Q3开启，打样规格上存在一个36层高多层（HD主导？）及52层高多层（SH等），材料为M9+Q布材料。
（5）M9材料26-27年的增速斜率是3X，若Q布开始大规模备货，从目前的供给条件来看，26H2还是有较大可能性涨价。
（6）正交背板4月底会有新一批78层的送样进展（可能会有一些新进厂家），目前还能看到几版140层+及160层+的产品，核心基底材料是Q布，往后也有可能在信号层掺入部分PTFE材料，但PTFE材料加工性目前仍为较大难点。
（7）重视推理市场对于低延时高阶PCB材料的需求。
关注当前国内唯一具有批量出货能力的菲利华，同时也可以关注 积极布局 Q布的 宏和科技（Q布布局进展顺利，下半年有望形成批量生产能力） 莱特光电等。
Google TPU v9 技术方案、封装与供应链核心问答关于 Google TPU v9 的设计方案，目前有哪些已经确定的技术方向和评估进展？目前仍处于早期评估阶段，主要进行分模块、分线路的评估，包括 IP 评估、EDA、以及 CAE 仿真分析。尽管整体方案尚未最终确定，但有几个关键技术方向已基本明确：第一是 3D 堆叠，第二是采用定制化的 HBM。虽然也存在不使用 HBM 的备选方案，但这并非主流方向。3D 堆叠主要指对计算 Die 进行进一步堆叠，整合 3D DRAM 和 SRAM 或其混合体。该设计的核心目标是为超大规模推理基础设施服务，要求在处理高 batch size 的同时，能够支持深度推理。当前设计面临的挑战是片上 SRAM 缓冲容量不足，导致大量权重访问需在 HBM 和主计算芯片间反复进行，从而造成计算效能损失。在 TPU v9 的 3D 堆叠方案中，SRAM 是堆叠在计算芯片的上方还是下方？是否存在将 SRAM 集成于中介层内部的技术可能性？在 3D 堆叠结构中，计算芯片会更靠近中介层，即 SRAM 堆叠在计算芯片上方。这是因为计算芯片有大量的外部 I/O 需要与中介层连接，而存储器只有对内的 I/O，用于向计算芯片提供数据读取。将 SRAM 集成到中介层内部的方案基本不会采用。中介层是平面结构，其横向的片间通信无论从接口宽度还是通信载体来看，都不适合高速、大容量的通信需求。相比之下，3D 存储器与计算 Die 之间采用混合键合（Hybrid Bonding）技术，能提供接近片内 I/O 的连接密度。目前，混合键合技术已能实现每平方毫米 1 万至 2 万个触点，虽然距离理论上可媲美片内 I/O（每平方毫米 10 万个触点）的极限水平尚有差距，但对于存储器 I/O 而言已经足够。Google TPU v9 的后道封装业务是否会倾向于选择英特尔？目前没有听说 TPU 项目有前道在台积电、后道在英特尔的方案，主流趋势是完全在美国本土制造。关于英特尔与 Google 的合作，需要考虑到博通在其中的角色。英特尔 18AP 工艺当前主要服务于英伟达（解决高性能计算工艺配方）和苹果（解决消费电子工艺配方）。预计到 2027 年，当 18AP 工艺进入规模量产，14AE 工艺进入早期风险市场阶段时，由于工艺已得到验证，英特尔可能会引入博通这类 ASIC 设计服务业务。博通目前处于场外待命状态，不愿用其客户的项目为英特尔的 18AP 工艺进行风险爬坡。一旦 14AE 工艺成熟，博通的一个核心客户确实是谷歌。因此，未来存在谷歌 TPU 完全采用英特尔前后道工艺的可能性，但这仍是较远期的规划。在 TPU v9 项目中，联发科与博通的参与情况如何？在 TPU v9 项目目前的早期阶段，即架构评估、关键技术选型和 IP 选择层面，主要是新思与 Google 直接合作。预计哪一代 TPU 的 Die Size 会显著增大，以及增大的幅度如何？预计 TPU v9 这一代的 Die Size 会变得更大。虽然具体尺寸尚不明确，但可能会出现类似 NVIDIA Ultra 这种多 Die 整合的结构。作者声明： 本文转载自第三方，旨在提供资讯参考，并非证券推荐或投资建议。作者对内容的真实性、准确性不承担保证责任。本文不构成任何投资建议或证券推荐。截至发文日，作者与文中提及的标的不存在持仓关系。