（替代日）电子级 TEOS应用：存储，光通信，先进封装

整体需求结构：集成电路占 60% 左右（绝对核心）、显示面板约 28%、MEMS / 功率器件 / 光通信 / 光伏 / 先进封装合计 12%；

9N 超高纯 TEOS 几乎只供给高端芯片制造

TEOS 用于晶圆 CVD/ALD 沉积 SiO₂绝缘介质，是芯片制造刚需耗材。

一、存储芯片（9N 级消耗最大）

• 3D NAND 闪存（长江存储、三星、铠侠）：多层堆叠结构大量用 TEOS 做层间隔离、沟槽填充，层数越高用量越大，必须金属杂质 9N 高纯规格；金宏已批量导入长江存储。

• DRAM 内存（长鑫存储、海力士）：电容介质、浅沟槽隔离 STI，高端制程采用高纯度 TEOS。

二、 逻辑芯片（先进制程刚需）

先进制程 14/7nm（中芯国际先进线）：金属层间介质 IMD、栅前介质 PMD、蚀刻硬掩膜，对金属杂质要求极致

成熟 28nm 及以上逻辑、MCU、电源管理芯片：可用国产 6N/8.5N TEOS，国产化替代程度高。

三、先进封装（Chiplet、TSV、Fan-out）硅通孔、重构晶圆介质层，近两年需求快速增长，消耗大量电子级 TEOS。

四、平板显示产业（第二大应用，多用 6N 电子级） 占国内 TEOS 需求近三成，

1. OLED（京东方、TCL、维信诺）薄膜封装 TFE、像素隔离层、薄膜晶体管 TFT 栅极绝缘层，低温 CVD 氧化硅前驱体；

2. LCD、Mini/Micro LEDTFT 背板绝缘膜、平坦化层、基板减反射涂层；

3. 特点：纯度要求低于先进芯片，6N 级即可满足，价格敏感度更高，国产替代进度快。

五、MEMS 与传感器（高附加值细分）

• 消费电子：手机陀螺仪、加速度计、光学指纹传感器；

• 汽车电子：压力传感器、毫米波雷达 MEMS 结构；TEOS 做空腔牺牲氧化层、器件绝缘隔离，中高端 MEMS 采用 8.5N/9N 级 TEOS。

六、功率半导体 / 分立器件

IGBT、MOSFET、二极管、SiC 器件：芯片终端钝化层、沟槽隔离介质，成熟功率器件使用 6N 电子级，车规级功率器件逐步导入 8.5N 高纯 TEO

ps: 寡头垄断特征：海外前五厂商占据全球 83% 高纯 TEOS 供给，日本两家独占高端 9N 超 6 成份额，技术壁垒（极限精馏、痕量金属控制、高纯输送系统）短期难突破；

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