一、行业概况与技术原理
1.1 先进封装的定义与分类
先进封装是指通过2.5D/3D集成、晶圆级封装（WLP）、扇出型封装（Fan-Out）、倒装芯片（FC）等技术，实现芯片间高密度互连的封装方案。与传统引线键合（WB）相比，先进封装在性能、功耗、尺寸三方面具备显著优势。
扇出型封装的核心创新在于打破"邮票边缘"限制——通过重分布层（RDL）将芯片焊盘信号"扇出"至更大区域，实现更高I/O密度。相较于扇入型封装，扇出型RDL线路延伸至芯片投影面积之外，支持更多引脚数量。
三种主要工艺路线：
FOWLP vs FOPLP 对比：
FoCoS（Fan-Out Chip on Substrate）是将扇出型封装芯片贴装于高引脚数BGA基板上的先进封装技术。其核心价值在于：
需求侧三引擎：
AI/HPC算力爆发：英伟达包揽台积电超70%的CoWoS产能，AI芯片封装需求年复合增速超50%。高端PCB交付周期延伸至6个月，行业面临结构性供给瓶颈。
HBM存储堆叠升级：HBM堆叠层数向12层以上演进，单颗AI芯片所需ABF材料消耗量提升5-10倍。AI芯片所需ABF层数从传统PC芯片的4-6层增至8-16层。
消费电子与汽车电子：智能手机、AR/VR设备需要紧凑高密度封装；汽车电子对高可靠性集成方案需求提升。
供给侧催化：
3.2 上游关键材料
ABF载板（味之素Build-up Film）：
RDL重布线层：
EMC环氧模塑料：
全球第一梯队：
国内封测三强：
新兴封测厂商：
技术端：XDFOI多维扇出封装集成平台处于稳定量产阶段，2.5D产品加速导入运算电子领域。HDFO WLP（高密度扇出型晶圆级封装）为业界最先进平台之一。光电合封（CPO）领域EIC与PIC堆叠技术完成储备，具备规模量产条件。
产能端：2026年固定资产投资预算约100亿元，较往年大幅增长。资金重点投向先进封装产线建设，聚焦2.5D/3D晶圆级封装、异质异构集成。2.5D产品客户需求强劲，下半年高密度存储及电源管理模块需求迎来爆发式增长。
业绩端：14家机构预测2026年净利润20.24亿元，同比增长29.32%；EPS 1.13元，同比增长29.89%。
4.2 通富微电技术端：基于Chip Last工艺的Fan-out技术，实现5层RDL超大尺寸封装（65×65mm），为目前国内最大尺寸扇出型封装能力之一。3D堆叠等先进封装均有布局和储备。
战略端：与AMD深度绑定，受益于AI加速器封装需求外溢。甬矽电子三期项目投资103亿元加码高端封装。
4.3 华天科技技术端：2.5D/3D封装产线完成通线，板级封装产品进入小批量生产阶段。Fan-Out等先进封装技术已布局，对接AI算力、服务器等新兴应用。
资本运作：出资20亿设立南京华天先进封装子公司；拟收购华羿微电扩展功率器件版图；江苏省2026年重大项目上榜。
4.4 日月光行业地位：全球最大OSAT供应商，本轮涨价风向标。
涨价细节：7月1日宣布封装报价上调超20%，涵盖CoWoS与FoCoS全工艺，美国主要客户受影响。CEO吴田玉表示涨价反映原材料价格上涨与资本开支增加。市场预期其他封测厂跟进。
4.5 台积电技术路线：InFO（集成扇出型）→ CoWoS → SoIC → CoPoS（下一代面板级封装）。2026年设立首条CoPoS实验线，2028年底嘉义AP7厂大规模量产。
产能规划：CoWoS 2026年扩至9-11万片/月；WMCM 2026年底达6万片/月，2027年翻番至12万片/月。CoWoS/SoIC先进封装产能2022-2027年CAGR超80%。
五、技术发展趋势5.1 FOWLP向FOPLP演进
5.2 FOCoS替代2.5D TSV的路径
FOCoS通过RDL替代TSV中介层，在成本与性能间实现平衡。三层金属层RDL连接多芯片实现互连，量产良率超99%。相比2.5D IC，FOCoS消除硅中介层需求，降低ELK层裂纹风险和互连断裂风险。
5.3 台积电技术演进路线产能过剩风险：2027年下半年产能集中释放后，若AI需求增速放缓，行业可能面临阶段性供过于求。当前扩产幅度较大（长电100亿+甬矽103亿），需关注产能消化节奏。
技术迭代风险：FOPLP良率从90%向大规模量产仍存不确定性。台积电CoPoS技术2028年才量产，技术路线变更可能使部分前期投入沦为沉没成本。
地缘政治风险：ABF材料被日本味之素垄断95%，设备端ASMPT/BESI/ASML均受出口管制影响。中美科技摩擦升级可能影响国内厂商获取关键材料与设备。
下游需求波动：AI资本开支若出现周期性调整，将直接冲击先进封装产能利用率。当前英伟达包下70%+ CoWoS产能，客户集中度过高。
国产替代进度不及预期：国内厂商在2.5D/3D高端封装领域良率与产能利用率仍与台积电存在差距，高端封测产线爬坡周期较长。
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