核心逻辑：
随着今年开始1.6T光模块出货量的明显加速，其基于mSAP工艺的PCB基板将只能使用载体铜箔，对需求的拉动十分明显。此外，高端手机芯片及存储芯片载板也将为载体铜箔行业带来存量增长动力。当前，载体铜箔的国产替代窗口期已然开启，国内率先突破的公司势必迎来重要的发展机遇。
相关公司：
01 高端PCB铜箔及主要类别
高端PCB铜箔是指应用于高频高速电路、高密度互连（HDI）、IC封装载板、大功率电路等高端印制电路板（PCB）的高性能铜箔材料。其核心特点是低信号损耗、高平整度、超薄/超厚规格、优异的导热导电性及与基板的高相容性，是CCL（覆铜板）和PCB的关键原材料，直接影响电路的信号传输效率、可靠性及功率承载能力。
高端PCB铜箔主要包括反转铜箔（RTF）、超低轮廓铜箔（HVLP/VLP）、极薄可剥离/超薄铜箔（即载体铜箔）。
RTF铜箔：通过特殊表面处理降低粗糙度，提升与基板的结合力，常用于高阶HDI和封装载板，技术代次已从RTF 1代发展至5代。
HVLP铜箔：表面粗糙度≤0.6μm，可减少高频信号传输中的趋肤效应损耗，适用于5G通信、AI服务器、高速数据中心等场景（如英伟达新一代AI芯片配套的HVLP 5代铜箔）。
载体铜箔：厚度范围3-12μm，主要用于IC封装载板和挠性电路板，需解决超薄状态下的强度、均匀性及剥离可靠性问题。
02 什么是载体铜箔？
载体铜箔（Deposited Thin Copper Foil，简称DTH）,全称带载体可剥离超薄铜箔，是一种以载体为支撑介质、通过电沉积生产的高端复合电解铜箔。载体铜箔厚度一般在9μm以下的铜箔，由载体支撑，在使用过程中可剥离。
载体铜箔具有抗拉强度高、热稳定性好、剥离力稳定可控、表面轮廓低等特点，可用于生产芯片封装基板。其主要由载体层、剥离层、超薄铜箔层组成，其中载体层通常使用18或35μm电解铜箔，导电剥离层和超薄铜层的开发方法为重点内容。
载体铜箔主要应用于IC封装载板、高密度互连技术板、Coreless基板、IC封装制程材料、HDI领域等用途，适用于PCB制程中mSAP半加成法及Coreless制程，可大幅降低PCB及IC载板的厚度和重量，满足终端电子产品轻薄化的需求。近年来，随着高性能计算及存储芯片行业关注度提高，IC载板市场需求也显得日益旺盛。
半导体芯片技术快速发展、制程日益先进，客观上带动芯片封装领域的IC载板、类载板的细线化成为必然趋势。目前IC载板、类载板的线宽线距已细至10/10μm—40/40μm，传统减成法制程工艺无法制备，必须使用mSAP，需搭配可剥离型超薄载体铜箔，可大幅降低PCB及IC载板的厚度和重量，满足终端电子产品轻薄化的需求。
03 mSAP工艺优势及应用场景
SAP（Semi-Additive Process），即标准的半加成法，是半加成法的基础形态，核心逻辑是“先形成薄铜种子层，再通过电镀加厚目标线路，最后去除非线路区域薄铜”。其技术定位为“中高端 PCB制造方案”，适用于线宽/线距30-40μm的高密度互连（HDI）板，如服务器PCB、中高端智能手机中层板等。
mSAP，全称为Modified Semi-Additive Process，即改良型半加成法。mSAP工艺属于高级高难度HDI板工艺，核心是采用2-3微米薄铜箔，通过钻孔、闪蚀、贴膜曝光显影、图形加厚镀铜填孔、剥膜后水平蚀刻，依托高蚀刻比实现细线路图形，可实现25微米±5微米的线宽间距。无论是SAP还是mSAP，其核心逻辑均遵循“种子层+电镀加厚”替代传统“蚀刻减薄”，只是在流程细节上存在差异。
传统PCB采用减成法，先铺满铜，再通过蚀刻去除多余铜层。这种方式在线宽线距不断缩小的情况下，容易出现侧蚀、线形不规则、良率下降等问题。mSAP则完全不同。它先在基材表面沉积超薄种子层，通过曝光、电镀形成线路，再去除多余铜层。
具体来看，mSAP工艺的核心优势主要体现在三个方面：一是线宽线距可控制在15-20微米；二是线路边缘更加平整；三是高频信号损耗更低。半加成法（尤其是 mSAP）的技术优势使其在多个高端领域实现规模化应用，以下为四大核心场景：
（1）类载板（SLP）制造：智能手机核心组件
类载板是“介于PCB与IC载板之间的高端产品”，主要用于智能手机主板（如苹果
iPhone、华为Mate系列），需承载CPU、内存等核心芯片。由于芯片引脚间距仅0.3mm以下，需线路精度达20μm以内，mSAP工艺成为类载板制造的唯一选择。目前全球类载板市场中，80%以上的产品采用 mSAP工艺。
（2）5G通信模块：高频、高密度需求
5G通信模块（如基站射频单元、终端毫米波模块）需使用高频基板（如PTFE），且线路密度高（需集成多通道信号线路）。半加成法可在PTFE基板表面形成稳定铜层，同时mSAP的精细线路能力可减少信号串扰，提升模块通信效率。国内头部通信企业（如华为、中兴）的5G基站模块已全面采用 mSAP工艺。
（3）汽车电子高端 PCB：高可靠性要求
新能源汽车的车载雷达、自动驾驶控制器等组件，需在-40℃~150℃的极端温度下稳定工作，且线路需耐受振动、冲击。半加成法制造的 PCB铜层附着力强、耐温性好，可满足汽车电子的
“车规级”
可靠性要求。目前特斯拉、比亚迪等车企的高端车型已采用mSAP工艺 PCB。
（4）Mini/Micro LED驱动板：超高密度线路
Mini/Micro LED显示屏的驱动板需为每颗 LED芯片提供独立线路，线路密度达“每平方厘米千条以上”，线宽/线距需控制在 20μm以内。mSAP工艺的精细线路能力可精准匹配这一需求，目前三星、京东方的Mini LED显示屏驱动板已采用mSAP工艺量产。。
04 载体铜箔应用场景及市场空间测算
（1）存量市场规模
一般来说，用mSAP工艺、线宽线距在20-30微米的PCB，基本都会要用到载体铜箔。从应用领域来看，载体铜箔目前主要应用于：一是苹果高端手机板；二是存储芯片的BT载板；三是800G、1.6T及未来3.2T光模块；四是英伟达COP/COCO工艺、OAM陶瓷衬底PCB、以及未来英伟达、谷歌、亚马逊基于mSAP工艺的电源板等。
存量市场来看，全球PCB用载体铜箔2025年需求量约4000万平米，市场规模约8.08亿美元（合56亿人民币），主要用于苹果高端手机板、存储芯片BT载板和800G光模块。自iPhone X之后，苹果2020年起所有出货机型均搭载采用mSAP工艺的SLP主板；存储芯片来看，DDR5、LPDDR5 及之后的版本才用，DDR4、DDR3 是不用的，未来高端存储芯片都会标配载体铜箔。未来这两块存量市场还将稳步增长。
（2）光模块带来的增量市场空间
增量市场来看，光模块有望带来载体铜箔新的需求空间。由于800G光模块仅线宽线距在25微米±5微米以内的部分需要采用mSAP工艺，其余可采用常规HDI工艺，800G光模块只有40%用载体铜箔，层数是8层，1㎡PCB需要8㎡载体铜箔，估算26年需求大概320万平，27年需求448万平。
而1.6T光模块PCB板需制作25微米/25微米的线宽间距，因此必须使用mSAP工艺，1.6T光模块则100%要用窄体铜箔，层数提升到14层，增量明显。2026年1.6T光模块预计2500万个，按单块PCB面积0.023㎡测算，需要57.5万平mSAP板，可带来约805万平方米的新增载体铜箔需求。2027年1.6T光模块出货量预计达8000万只，总需求则达到2576万平。
由此可以测算，光模块25-27年市场规模分别为2.57亿、11亿和30亿元，相对原有50亿市场规模拉动非常明显。叠加BT载板、SLP、SOC等其他存量场景需求的增长，预测2026/2027年全球需求量将达6000/8000万平方米，对应市场空间约60/80亿元，这意味着载体铜箔2-3年后有望冲击百亿级市场规模。
05 载体铜箔的生产工艺和技术难度
载体铜箔的行业主流工艺方案是电解铜载体法，即在电解铜箔光亮面上引入剥离层，在剥离层表面使用磁控溅射或电沉积的工艺制备超薄铜箔，使基板与超薄铜箔压合以后，机械剥离除去用作载体的电解铜箔以及剥离层。其工艺要求包括：
一是厚度≤3μm，以便在“闪蚀”工艺中稳定去除，避免侧蚀现象。厚度每减薄1微米，技术难度呈指数级上升，这不仅是简单的“做薄”，更要在超薄状态下保持优异的力学性能和电气性能。
二是表面轮廓Rz≤1.5 μm，同样是为了便于充分“闪蚀”，同时也有利于实现高频高速性能。在超薄基底上进行粗糙度控制和表面形貌构建，对刻蚀工艺的容错率近乎为零。既要保证表面足够光滑以满足高频信号传输，又要形成特定的微观结构以增强附着力，这对工艺控制提出了极高要求。
三是剥离力稳定可控，剥离层需要实现均匀的、稳定的、适宜的剥离强度。当剥离层不均匀时，载体箔和超薄铜箔之间的结合力会不稳定，导致部分区域剥离困难、部分区域过早分离。
06 目前载体铜箔的供应格局及国内企业进展
由于载体铜箔产品技术壁垒很高，全球载体铜箔市场长期被日本三井金属垄断，市占率超过90%，其他供应商主要是卢森堡（年产能约50-60万平）。其中，日本三井采用的是在18微米铜箔基底上进行电镀的工艺，均匀性极佳，剥离强度更好，产品良率稳定在95%以上。这种长期的技术积累和工艺优化，形成了极高的进入壁垒。三井产能目前为490万平/月，即5880万平/年，预计27年产能小幅扩充到520万平/月（年产能6240万平），依然难以满足快速增长的市场需求。
据了解，目前大陆有多家企业正在研发、认证测试，部分企业在部分产品上已经取得明显的进展，比如存储（双面板、四层板）、800G光模块里线宽较大的产品，而1.6T光模块尚未取得明显进展。从客户来看，由于 26年3月三井的载体铜箔对客户提价12%，深南等pcb厂正加速导入国产供应商。
工艺上来看，国产主要采用的是PI膜+磁控溅射工艺，理论上成本会更低，但附着力、可剥离度比三井弱；三井则是在18微米铜箔上电镀，不用PI膜，用离型层，附着力、可剥离度、均匀性都更优。
07 相关公司
经过梳理，A股中涉及载体铜箔的公司主要包括：
（1）方邦股份
公司自主研发生产的带载体可剥离超薄铜箔铜层厚度及表面粗糙度、剥离强度、抗拉强度等关键指标已达到世界先进水平。截至目前，相关型号已陆续通过部分代表性载板和相关头部芯片终端客户的批量验证，持续获得小批量订单。据产业链调研，公司是国内目前唯一能实现3μm可剥铜量产的企业，今年已实现下游量产突破，有望实现几十万平米的起量，实现1到10的放量，规划年产能上千万平。
（2）德福科技
公司早在25年初就表示，其自主研发的超高端载体铜箔陆续在载板企业送样验证，相关产品性能及可靠性已通过某存储芯片龙头公司的验证和工厂制造审核，2025年起将陆续替代进口产品。相关信息显示，公司载体铜箔产能目前为年产100万平，预计下半年可到年产400万平，27年进一步提升到600万平。
（3）逸豪新材
公司早在24年6月就表示，将继续着力开发应用于封装基板的3-6μm易剥离极薄载体铜箔。25年9月25日公司再次表示，已完成易剥离极薄载体铜箔的研发项目，正持续推动项目产业化进程。
（4）铜冠铜箔
公司IPO募投项目“年产1万吨电子铜箔”重点包括RTF（反转铜箔）、VLP（甚低轮廓铜箔）及载体铜箔。在接受机构调研时表示，公司IC封装用载体铜箔已突破核心技术，产业化布局将结合市场需求及自身设备、工艺储备情况推进，后在投资者互动平台明确表示已开展载体铜箔研发并有产品向下游客户送样。
（5）嘉元科技
公司2025年7月曾表示，公司已布局可剥离超薄铜箔相关项目，产品已送样测试。目前，厂房建设及相关设备正有序推进中，预计2026年底可实现芯片封装用极薄铜箔产量70万平方米/年
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