功率半导体:是电能转换与控制的核心器件,负责变频、变压、整流,从手机快充到新能源汽车电驱、AI服务器电源,凡需高效用电处皆有它的身影。
当前赛道迎来高景气共振:全球近20家企业7月1日再涨价,年内已多轮调价。上游成本高企,下游AI数据中心需求“根本做不过来”,订单饱满、产能吃紧。具备IDM全链条能力的头部企业,凭借产能自主与成本优势,成为最大受益者。
本期我们聚焦功率半导体产业链,根据业务关联度和产业发展现状,筛选出四大黄金领域及相关企业,供大家研究参考。
注意:以下内容绝不构成任何投资建议、引导或承诺,仅供交流研讨
领域一:IDM一体化(全产业链的“定海神针”)
核心逻辑:IDM包揽设计、制造、封测全环节,产能自主,成本比“设计+代工”低15%-20%,且车规级认证要求自有产线,是打入车企供应链的硬门槛。A股具备规模的车规级IDM产能极为稀缺,是板块的“压舱石”。
相关核心企业梳理:
华润微:本土功率IDM龙头,拥有8/12寸晶圆产线,产品覆盖MOS、IGBT、SiC全品类,2025年下游新能源占比44%,AI与新能源需求共振驱动业绩高增。
士兰微:民营IDM龙头,技术路线覆盖SiC、IGBT、GaN全品类,2025年汽车、光伏用IGBT和SiC营收达32.73亿元,同比增长43%。
闻泰科技:旗下安世半导体为全球车规级功率IDM龙头,采用"欧洲设计+中国制造"模式,低压MOS、整流二极管全球份额靠前。
扬杰科技:分立器件IDM龙头,半导体硅材料、晶圆、功率器件三大板块协同,首条SiC车规级模块封装项目已建成投产。
华微电子:国内功率半导体首家A股上市公司,集芯片设计、制造、封装、测试于一体,年芯片产能315万片,聚焦中低压MOS、晶闸管。
领域二:IGBT功率模块(高压大功率的“心脏”)
核心逻辑:IGBT是新能源车电驱、光伏逆变器的核心开关器件,不可替代。新能源车渗透率提升与光伏装机高增驱动需求刚性增长,国产化率快速提升,是国产替代最快的赛道之一。
相关核心企业梳理:
斯达半导:国内IGBT模块绝对龙头,全球市占前五。第七代750V、1200V IGBT模块持续放量,车规级IGBT模块几乎100%使用自研芯片。
时代电气:国内少有的具备650V-6500V IGBT全电压等级工程化能力的企业,轨交、特高压电网领域国内垄断,IGBT产品在HVDC领域已获批量订单。
宏微科技:专注IGBT、FRD、SiC、GaN功率半导体芯片及模块,产品覆盖新能源车电控、光伏逆变器、AI服务器电源等多元场景。
台基股份:主营晶闸管和功率半导体模块,建有IGBT封测线,控股子公司浦峦半导体主营IGBT芯片设计及代工,产品通过多领域认证。
领域三:硅基MOSFET(高频开关的“万能钥匙”)
核心逻辑:MOSFET是应用最广的功率器件,占功率半导体营收约26%,从快充、家电到AI服务器电源无处不在。当前AI数据中心需求激增,叠加海外大厂涨价,景气度持续攀升。
相关核心企业梳理:
新洁能:国内最早同时拥有沟槽型、超结、屏蔽栅MOSFET及IGBT四大产品平台的企业之一,在汽车电子、AI服务器、储能等新兴领域持续高增长。
东微半导:专注高性能功率器件,核心产品涵盖超级结MOSFET、中低压屏蔽栅MOSFET等,工业及通信电源营收占比38%、同比增长53%。
立昂微:三大板块为半导体硅片、功率器件芯片、化合物半导体射频芯片,车规FRD、超级MOS等高毛利器件快速放量。
锴威特:主营功率半导体设计销售,产品以高压平面MOSFET为主,已完成40V-120V SGT MOSFET的12寸晶圆产线工艺开发。
捷捷微电:公司主营功率半导体芯片和器件的研发、设计、生产和销售,主要产品包括晶闸管、二极管、MOSFET、IGBT等。
领域四:第三代半导体SiC/GaN(下一代技术的“制高点”)
核心逻辑:第三代半导体(SiC/GaN)在高温、高频、高压场景下性能远超硅基器件。SiC在800V电动汽车中优势显著,GaN在AI服务器电源中快速渗透,成本持续下降,是技术迭代最快、成长空间最大的赛道。
相关核心企业梳理:
三安光电:化合物半导体全链龙头,打通SiC、GaN等四大材料6英寸全流程自研自产;湖南三安6英寸SiC产能16000片/月。
天岳先进:国内SiC衬底龙头,产品属产业链最上游核心关键材料,全球前十大功率器件厂商超一半为其直接客户。
露笑科技:全球少数可实现8英寸SiC衬底量产的企业之一,已安装280台长晶炉,一期规划衬底总产能24万片/年。
附功率半导体四大黄金赛道产业链图:

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