据TrendForce 9月17日报道，中芯国际正推进N7/N5工艺的背面供电技术开发
## 一、中芯国际探索背面供电，材料端出现新看点
什么是背面供电
这一变化也带来了新的加工需求。按照imec介绍的一种背面供电方案，晶圆需要先完成键合和翻转，再通过背面研磨、CMP以及干湿法蚀刻等步骤减薄，随后制作背面连接结构。CMP参与其中的精密平坦化加工，研磨液就是这一环节使用的关键耗材。
[来源：imec技术介绍](https://www.imec-int.com/en/articles/how-power-chips-backside)
**背面供电推进 → 背面加工与平坦化需求增加 → CMP材料迎来应用拓展机会。**
## 二、为什么关注上海新阳？半年报已经写明产业逻辑
上海新阳在2026年半年报中指出，随着GAA、3D堆叠及背面供电等技术演进，CMP工艺的复杂程度和步骤预计继续增加。这一判断，将背面供电与抛光材料需求直接联系起来。
*上海新阳2026年半年报第12页相关内容，重点标注见图。*
已有产品进入产线，意味着公司积累了材料配方、客户验证和量产服务经验。在新工艺不断推进的过程中，这些积累是争取后续应用的基础。
## 三、增量从哪里来？工序增加、性能升级、国产导入
1. 加工环节增加，拓展材料使用场景。-背面供电涉及晶圆背面的精密加工，随着相关工艺逐步导入，有望增加CMP材料的使用环节。对于耗材企业，新的加工步骤意味着新的配方开发和配套机会。
2. 平坦度要求提高，推动高性能产品需求。-芯片背面需要减薄并形成精细连接结构，对厚度均匀性、表面状态和缺陷控制提出要求。这给材料厂商提供了通过配方优化、产品升级提高供货价值的空间。
3.产能也在跟进。公司8月披露的投资者关系活动记录显示，合肥新阳研磨液产线已顺利投产，为后续业务扩张提供了生产基础。
[来源：2026年8月投资者关系活动记录](https://static.cninfo.com.cn/finalpage/2026-08-26/1225507907.PDF)
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