1.磷化铟（InP）：虽具备直接调制能力，但材料载流子迁移率与器件寄生效应限制其带宽进一步提升；高制造成本、晶圆尺寸小、与CMOS工艺兼容性差，难以支撑400G所需的高集成度与规模化部署。
2.硅光（SiPh）：依赖载流子色散效应实现调制，电光效率低导致调制器长度长、半波电压高（>3V），带宽普遍受限于50GHz以下；同时线性度不足易引入信号失真，难以满足高阶调制对低误码率的严苛要求，且温度敏感性进一步制约稳定性。
3.破局之道在于薄膜铌酸锂（LNOI）与硅光的异质集成：
LNOI凭借铌酸锂本征的强电光效应（系数较硅高2–3个数量级），可实现>100GHz调制带宽、亚伏级驱动电压与优异线性度，完美适配单波400G+的高速高阶调制需求；而通过异质集成技术，将LNOI高性能调制器与硅光平台的低损耗波导、探测器及CMOS电子电路协同封装，既保留硅基工艺的高集成度与成本优势，又规避单一材料的物理局限。
上海新硅聚合半导体有限公司成立于2020年12月，注册资本3.7亿元人民币，坐落于中国上海嘉定区，由海归博士团队牵头，联合各方投资者设立，是一家致力于异质集成材料衬底研发、生产及销售的高技术企业。
公司产品涵盖硅基、石英基、碳化硅基、蓝宝石基等多种衬底选择方案的铌酸锂及钽酸锂单晶薄膜晶圆，可满足光通信、射频滤波等不同应用需求。同时，公司提供定制化服务方案，支持客户在薄膜厚度、掺杂类型等多方面的特殊需求，助力高性能器件的开发与量产。
薄膜铌酸锂，下一代光电材料薄膜钽酸锂都是国内最大。
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