该路线在极低粗糙度前提下可保证与PTFE覆铜板足够的剥离强度，是少数能适配PTFE基材体系的HVLP5方案，可为新一代高端AI PCB提供导电层材料7。
有一点需要注意口径差异：不同报道对表面粗糙度表述不一致，有称Rz低于0.1μm，也有称可稳定做到Rz 0.2–0.3μm全域，具体参数应以公司披露为。
HVLP5铜箔已送样台光电子、生益科技（生益电子）等台资、日资及内资覆铜板厂商，通过部分技术认证并获得小规模/样品订单，尚未形成批量供货879。
认证分三层：L1材料物性测试已达标；L2覆铜板/PCB压合验证（碳氢基材、PTFE基材两套体系）已完成；L3英伟达Rubin整机系统验证仍在进行——2025年三季度样板送入海外实验室，至今接近12个月未完成闭环，未正式写入BOM，无批量订单。乐观情景下Rubin标准版M9的L3验证有望2026年底完成7。
值得一提的是，公司也提到HVLP4铜箔已实现量产，更高阶的HVLP5在布局中，适配Rubin对超低轮廓铜箔的要求
淮安基地："细胞工厂"模式，首个细胞工厂已建设完毕、设备陆续装机，预计四季度投产；单厂满产年营收预计超8亿元，主要生产复合铜箔（极薄可剥铜箔≤3μm）。每个细胞工厂投资约3.2亿元，可对应5亿–6亿元产值、约1亿元净利润，公司规划在淮安建5个细胞工厂。一期HVLP5溅射工艺产能约3000吨/年，远期规划5万吨高端铜箔产能2810。
泰国基地：隆扬电子（泰国）为其全资孙公司，建设复合铜箔生产基地，投资总额1.2亿元，产品含带载体极薄可剥铜箔、挠性覆铜板、纳米散热石墨铜箔等，面向东南亚及其他海外线路板厂、覆铜板厂；该项目2025年1月获泰国BOI批准，规划4座工厂，全面达产后年产值预计30亿元以上。另有报道称泰国厂预计2026年四季度投产。
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