体材料：8 英寸光学级铌酸锂晶圆，国内仅
天通股份
稳定量产。
薄膜铌酸锂：济南晶正
一家独大，全球市占率
>80%；天通是其最大晶体供应商，约
80%
原料来自天通。
异质键合：国内
青禾晶元 + 天通
进度最快，已出货键合片；光库科技
在异质集成/器件出货层面产业化可靠性更强；海外
HyperLight
6 英寸已出货。
核心瓶颈：键合综合良率
<50%，需提至
80%+
才能降本；热膨胀失配、翘曲/分层、碎片、锂污染、NGK 设备紧张。
放量节奏：2026 年演示/验证为主；2027 年谷歌 2.4T 轻相干预计 200 万只，为首个规模化窗口；3.2T 大规模起量看 2028 年。
最佳切入点：DCI / 轻相干，性能优先、成本敏感度低；AI 3.2T 受硅光比价约束，单通道芯片成本需压至
30 美元以下。
8 英寸光学级铌酸锂晶圆：国内仅
天通股份
稳定量产。
薄膜铌酸锂：济南晶正
一家独大，全球市占率
>80%。
天通是济南晶正最大晶体供应商，约
80%
原料来自天通。
薄膜铌酸锂 + 硅光异质键合：
国内
青禾晶元（+天通）
进度最快，已出货键合片。
光库科技
在异质集成/器件出货层面产业化可靠性更强。
海外
HyperLight（联电代工）
6 英寸已出货。
键合综合良率
<50%，需提至
80%+
才能降本。
热膨胀失配导致翘曲 / 分层。
超薄脆性材料易碎片。
锂污染 CMOS，需隔离产线。
NGK 键合设备紧张。
节奏2026 年：演示 / 验证为主。
2027 年：谷歌 2.4T 轻相干预计
200 万只，首个规模化放量窗口。
2028 年：3.2T 大规模起量。
最佳切入点DCI / 轻相干：性能优先、成本敏感度低。
AI 3.2T 受硅光比价约束，单通道芯片成本需压至
30 美元以下。
定位 / 产品：国内龙头；4–12 英寸晶棒/抛光片；声学级+光学级
8 英寸能力：已稳定量产，国内唯一
备注：12 英寸在研发；济南晶正核心晶体供应商，约 80%
德清华莹（中电科）
定位 / 产品：4–8 英寸声学级晶圆 + 滤波器
8 英寸能力：不具备光学级供货能力
备注：—
南智芯材（南智光电）
定位 / 产品：6–12 英寸光学级晶圆
8 英寸能力：未量产
备注：仅面向高校/科研院所小批量供货
定位 / 产品：非线性光学用铌酸锂晶体
8 英寸能力：—
备注：规模偏小，部分出口
2.2 天通 8 英寸光学级晶圆关键数据产能：年产能约
10–15 万片；2026 年起产能释放并保持满产。
价格：国内约
8000–9000 元/片；海外同规格约
12000 元/片。
良率：成品晶片良率
>90%，综合良率
>70%。
住友金属矿山（日）
要点：老牌核心；6 英寸光学级 + SAW 级晶体品质突出；对中国直供受限，需经欧洲转口，推高采购成本
信越化学（日）
要点：高纯 LN/LT 晶圆；半导体级加工工艺可适配薄膜铌酸锂；薄膜业务规模有限
山寿陶瓷（日）
要点：大尺寸赛道核心为 8 英寸光学级晶体/晶圆，不做薄膜
Soitec（法）
要点：8 英寸薄膜铌酸锂良率
85%，性能优于济南晶正，定价更高
济南晶正：全球最大供应商，全球市占率
>80%；4–8 英寸，膜厚
300–900 nm；8 英寸光学级薄膜全球首发。
上海新硅聚合：4–6 英寸薄膜 + 压电薄膜衬底，处于小试→小批量过渡；亦布局异质键合衬底，但体量/进度不及青禾晶元。
南智芯材：薄膜产品良率/性能差距明显，均匀性、一致性有短板。
天通股份：联合青禾晶元切入薄膜铌酸锂。
3.1 济南晶正价格与良率4 英寸标准品
良率：>95%
报价：约
13000 元/片
说明：工艺成熟
4 英寸定制化
报价：约
24000 元/片；渠道实采
18000–19000 元/片
说明：底包层厚度等参数调整
3.2 济南晶正 4 英寸薄膜晶圆成本结构合计约
12900 元。
8 英寸铌酸锂晶圆（向天通采购）
金额：约 9000 元
占比：约
69.77%（最大成本项）
硅衬底 + 热氧化
金额：约 600 元
占比：约
4.65%
键合与退火
金额：约 1800 元
占比：约
13.95%
CMP 抛光 + 检测
金额：约 1500 元
占比：约
11.63%
青禾晶元
技术特点：与天通深度协同，已实现键合片出货，旭创参与验证；自研工艺 + 奥地利 EVG 键合设备，对准精度公差
0.05–0.1 μm，等离子真空活化腔做界面活化
技术特点：分立薄膜铌酸锂调制器已批量出货，正对接主流硅光厂商开展异质集成；在异质集成/器件出货层面产业化落地可靠性优于国内初创
铌奥光电
技术特点：具备键合加工能力，但键合片仅供内部调制器芯片，不对外销售
旭创
技术特点：参与天通+青禾三方验证；同时与 Tower 合作研究异质集成
HyperLight（海外）
技术特点：Fabless，联电代工；6 英寸异质集成已出货，推进 8 英寸；键合技术明显领先日本同行
4.2 技术瓶颈LN 与 SiO₂ 热膨胀系数不匹配 → 热应力 → 退火后翘曲 / 界面分层（富士通、光库均曾受困），是良率核心瓶颈。
键合综合良率
<50%，降本需提至
80%+。
衬底制备与 SmartCut 薄膜化环节良率相对可控。
超薄脆性材料易碎片。
锂污染 CMOS，必须建设独立隔离产线，无法接入硅光代工主产线。
键合设备主要由日本
NGK
供应，产能紧张。
Wafer-to-Wafer
特点：先整片键合再加工，效率高；但无法预先筛除不良芯片，不良品连带消耗配套良品
Die-to-Wafer
特点：先切裸芯片并做 KGD 已知良品筛选，再精准贴装到硅光晶圆；良率可控，但对准贴装难度大，尚未完全成熟
五、薄膜铌酸锂调制芯片5.1 主要厂商铌奥光电
要点：深度绑定中际旭创、海思，合作基础稳固
要点：收购 Lumentum 薄膜铌酸锂芯片业务切入相干市场并获订单，但持续亏损，良率偏低是盈利核心症结
要点：均已完成技术储备，具备产业化前置条件（从相干赛道切入）
要点：参与天通+青禾三方技术验证
要点：与 HyperLight 合作，2022 年做出 800G 用芯片，但因技术/工艺问题至今未规模量产
5.2 设计与流片难点设计：
FDTD / COMSOL 仿真。
LN 双折射特性需严控波导弯曲半径，以防模式转换损耗。
微波电极设计是核心难点：光/微波波速匹配 + 低微波损耗，直接决定带宽与半波电压。
工程上普遍用 S 型折叠结构 + 差分驱动。
流片：
电子束曝光速率低。
IBE 刻蚀选择比仅
1:1。
ICP-RIE 副产物影响良率。
端面耦合需两次刻蚀、多层对位难度大。
产出：
8 英寸异质集成方案单晶圆理论约
600 个器件点位。
综合良率折损近半，实际可用
<300 个器件。
带宽可支持单波
400G+。
半波电压仅
1–2 V，可直接驱动，部分封装可省去 DSP（硅光 MZM 需 8V 级驱动）。
低插损：两次刻蚀端面耦合可至
1 dB。
高线性度，适配高阶调制与相干通信。
应用场景电信级相干通信
要点：传统优势市场，替代块状 LN；性能更优、单机价值量更高；光迅、光库从此切入
AI 数据中心 3.2T SR
要点：需求规模最大、价值最高；若硅光带宽难突破，硅光+薄膜 LN 异质集成为重要备选
DCI / 轻相干
要点：兼顾带宽与传输距离，有替代现有 ZR 模块的机会
量子通信
要点：底层核心材料；未来一两年或迎一批企业 IPO，但整体规模有限
七、为何 DCI / 轻相干是最佳切入点传统电信 DCI 产量小、性能优先于成本，芯片成本可达
200–300 美元，成本敏感度低。
AI 用 3.2T 光模块在大规模出货下受硅光比价硬约束，单通道芯片成本需降至
30 美元以下。
轻相干市场发展时间短、采用高阶调制格式，对线性度要求高。
薄膜 LN 高线性度 + 低插损与之高度契合；硅光在线性度、驱动电压上短板明显。
八、量产与出货时间节点2026 年
节点：极少量 1.6T 传统光模块用薄膜 LN 调制器，以技术演示/验证为主
2027 年
节点：谷歌 2.4T 轻相干预计出货
200 万只，部分采用异质集成薄膜 LN 芯片；3.2T 市场难大规模起量，出货上限仅几十万只
2028 年
节点：3.2T 市场出现清晰的商业化进展
九、谷歌的降本策略（2.4T 光模块）直接参与产品设计并整合整条供应链，不限定 BOM，而是深度介入产品架构与部件规格定义。
推行多供应商同源采购：键合片、DSP、调制器晶粒等核心元件要求多家厂商从同一货源获取，压缩中间环节溢价，实现成本穿透管控。
绑定其投资的 DSP 企业做系统级协同优化，完成 2.4T 轻相干 DSP 适配。
目标：将 2.4T 光模块成本压至
1000 美元以内。
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