AI 服务器单机功率持续突破传统供电架构上限，800V HVDC成为产业明确演进方向，推动供电系统形成机柜级 - 电源模组级 - 板卡级三级价值通胀主线，上游被动元件、中游电源模组商有望迎确定性增长机遇。
机柜级：800V HVDC加速落地，供电外置重构系统价值。当前Rubin系列机柜功率达180-250kW，下一代 Ultra/Feynman平台可达MW级别；单GPU功耗也攀升至2.3kW。传统柜内低压配电在铜耗、热损与空间上已无经济性，供电单元外置、高压直流供电成为主流路径。PSU：功率迭代提升。单PSU模块功率从5.5kW快速迭代至18-18.5kW，单模块功率提升超3倍。BBU+超级电容：从选配到标配。高功率训练场景对供电连续性、毫秒级瞬态响应要求大幅提升，BBU电池备份单元与EDLC/LIC 超级电容组成的混合储能方案逐步成为标配。SST：中长期架构期权。以电力电子替代工频变压器+多级变换，全链路效率较传统UPS方案提升3pct以上。
电源模组级：PSU功率代际切换，一次侧元器件量价齐升。电解电容：功率提升带动用量增长。随PSU功率提升，高压、大容量、长寿命的高端铝电解电容价值量同步上行。SiC/GaN 功率器件：高压架构加速渗透。800V架构在AC-DC、高压DC-DC环节加速渗透，带动功率器件价值量增长。高频变压器：高频化迭代推动价值量上行。800V架构中的变压器绝缘、耐温与损耗要求同步抬升，高频、小型化升级带来价值增量。
板卡级：GPU 近端器件壁垒最高，功率升级&VPD驱动价值爆发。MLCC：量价齐升，高容化推动价值量通胀。单柜用量从GB系列44万颗提升至Rubin系列约60万颗，单柜价值从1500美元升至4300美元；高端产品产能挤压推动涨价逐步传导至中低容产品，是供需紧张的核心支撑。MLPC也逐步导入高温稳压场景。硅电容：VPD滤波核心。硅电容具备极低等效串联电感、高频特性优异的特点，可直接集成至基板内部，适配 GPU 核心近端大电流、高频滤波需求，是高功率GPU供电的高端升级方向。
电感与磁件：多相VRM+VPD架构驱动价值提升。GPU供电电流从数百安跃升至千安级，VRM相数提升至16-32相。VPD架构缩短供电路径，TLVR电感导入带动磁件整体价值量显著抬升。DrMOS：多相VRM扩容+大电流升级带动用量提升。VPD近端供电架构对器件热稳定性、开关响应速度具备更高要求，高端DrMOS占比及用量有望持续提升，推动板卡端DrMOS整体价值量提升。
相关公司未覆盖不作为推荐：
PSU：麦格米特、欧陆通，
BBU：蔚蓝锂芯（未覆盖），
SST：四方股份（未覆盖）等，
电解电容：江海股份等，
功率器件：天岳先进、英诺赛科（未覆盖）等，高频变：京泉华等，
MLCC：三环集团、风华高科（未覆盖）等，
电感：铂科新材（未覆盖）、龙磁科技（未覆盖）等，
DrMOS：杰华特（未覆盖）、晶丰明源等
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