开发了射频芯片 BAW 滤波器整套生产工艺（包含： 滤波器流片-掺 Sc＞30%、WLP 盖板封装） 。 开发了
TSV
深孔刻蚀工艺（深宽比＞60:1） ， 并结合 ALD 沉膜对孔内进行多层薄膜覆盖。
通过晶圆减薄、背金、激光开槽、刀轮切割、芯片贴合、引线键合、植球、倒装、覆膜（加真空印刷或CMolding）、深硅刻蚀、激光诱导和分选测试等工艺研究，成功开发了正面晶圆级封装（LGA、WLCSP）、背面晶圆级封装（TSV、TGV）、芯片级封装（DFN、QFN、SOT、IGBT、TO、PDFN、TOLL系列）、CuClip封装等，不断提升半导体器件良好的导电和散热性能、小型化、薄型化，能够做到真正的无引线大电流、低功耗、高散热封装工艺。
作者声明： 本文转载自第三方，旨在提供资讯参考，并非证券推荐或投资建议。作者对内容的真实性、准确性不承担保证责任。本文不构成任何投资建议或证券推荐。截至发文日，作者与文中提及的标的不存在持仓关系。