周末市场研报梳理学习~

2026-08-30 22:33:337
一、短文

1、Hana Securities 指出:长鑫科技在 2026 年第二季度于北京第一工厂完成了向第四代工艺的过渡。该工艺的制程水平相当于 16 纳米节点。预计其 DRAM 产品的产能利用率将超过 90%。目前,其 DDR5 产品支持高达 5600MHz 的时钟频率,未来计划进一步提升至 6400MHz。

然而,由于长鑫科技依赖于多种 patterning 技术,因此其工艺步骤更为复杂,因此在每片晶圆的输出位数和制造成本等方面仍然落后于主要的存储器制造商。

对于 HBM 公司来说,长鑫科技计划在 2027 年实现 12 高密度的 HBM3E 产品的批量生产。如果该公司能够在 2027 年生产出约 3 到 4 百万个 HBM3E 芯片,那么这无疑将有助于缓解中国人工智能 GPU 领域的一个关键瓶颈问题。


2、产业反馈多模光纤涨价,长飞OM3、OM4价格达300元、600元(对应国产算力需求),年内价格已翻倍,长飞光纤。上调预期!!!#出处未知,谨慎查阅!


3、源杰科技:深耕数据中心CW、EML光芯片业务,2026H1公司营收及净利润均实现高增


[太阳]公司发布2026半年报,2026上半年公司实现营业收入9.25亿元,同比增长351.40%;实现归母净利润6.07亿元,同比增长1212.20%;实现扣非归母净利润5.14亿元,同比增长1033.70%。2026Q2,公司实现营业收入5.70亿元,同比增长372.73%,环比增长60.40%;实现归母净利润4.28亿元,同比增长1238.70%,环比增长138.31%;实现扣非归母净利润3.37亿元,同比增长971.45%,环比增长89.11%。


[玫瑰]数据中心业务发展驱动光芯片需求扩张,2026H1公司业绩高增

2026H1公司营收和净利润均呈现高增状态,且净利润增长较营收增长更快。收入增长主要系数据中心业务收入大幅增长所致;净利润高增主要得益于数据中心业务占公司整体的收入比例提升,公司毛利率同比大幅提高,加之运营规模大幅增长导致期间费用占比下降,公司整体利润水平同比大幅度提升。


[玫瑰]公司在CW和EML方面均有布局,数据中心光芯片销售额大幅增长

人工智能技术发展持续拉动半导体激光器芯片需求增长,公司在数据中心领域销售额实现大幅度增长,推动公司整体收入及利润实现增长。在CW产品方面,针对高速光模块需求,公司的70mW/100mW CW激光器芯片已实现批量出货;在EML产品方面,100G EML也开始批量出货,未来会逐步提升。


[玫瑰]公司瞄准CPO/NPO发展机遇,持续研发更高功率CW激光器产品

CPO/NPO等新型封装技术通过高度集成实现了更高的带宽密度和更低的功耗,对激光器芯片提出了更高的要求。公司瞄准这一机遇,研发了120mW/300mW/400mW等多款CW产品,目前正结合客户需求推进产品验证与研发,相关产品的参数及指标会根据下游市场需求进一步迭代。


风险提示:扩产进展不及预期的风险、CPO/NPO商业化进度不及预期的风险、行业扩产加速可能会使产品价格承压的风险、宏观政策影响公司业务发展的风险、汇率波动风险。


📢资料来源:源杰科技2026半年报,同花顺

【重要提示】以上信息为公开资料整理,不涉及投资建议及研究观点,仅供参考,本公司不保证其准确性、完整性与时效性;市场有风险,投资需谨慎!


4、【德福科技】高端铜箔加速+趋势反转[發][發][發]


台系客户27年大单在即,高端产品占比高,预计订单2000吨以上


下半年高端RTF+HVLP出货持续爬坡,叠加行业持续涨价有望反转。


5、UBS:ABF 基板


“高端 ABF S/D 供应持续紧张,SEMCO 看到客户需求可见度延长至 2030E 以后。


“ABF 利润率预计在 2027E 趋向 30%-40% 区间,并在 2028E 可能进一步上行超过 40%。”


6、【中泰电子|长鑫科技】Q2业绩大超预期,国产DRAM龙头深度受益涨价大周期!


[玫瑰]Q2实现【营收】995.10亿元,yoy+977%,qoq+96%;【净利润】745.38亿元,同比扭亏758亿元,qoq+126%;【归母】528.43亿元,同比扭亏534亿元,qoq+113%;【毛利率】87.6%,yoy+75pcts,qoq+8pcts;【净利率】74.9%,yoy+89pcts,qoq+10pcts。

👉Q2净利润、归母均超出IPO披露的数值,分别为329.9~419.9亿元、252.4~322.4亿元。

👉26H1实现【营收】1503.1亿元,yoy+874%;【净利润】1075.5亿元,同比扭亏1116亿元;【归母】776.1亿元,同比扭亏799亿元。


[玫瑰]长鑫是国内最大、全球第四大DRAM原厂,AI驱动DRAM需求爆发,行业供需紧张,长鑫报价基本与海外大厂持平且企业级占比持续提升,价格有望持续上行,业绩增长高弹性!


7、新股系列🌀【天风电新】苏州锦艺招股书梳理:球形硅微粉领军者-0830

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🌼财务数据

25年公司营收10.36亿元,同比+42%;归母净利润1.66亿元,同比+86%;扣非归母净利润1.64亿元,同比+87%;毛利率34%,同比+3pct;净利率16%,同比+4pct。


🌼业务拆分

1、\t电子信息材料:25年营收7.82亿元,占比76%,同比+46%,毛利率41%,同比+5pct,其中

✅高性能球形硅微粉:营收5.7亿元,同比+61%,毛利率44%,同比+5pct,销量0.69万吨,同比+68%,均价为8.2万元。


✅角形硅微粉:营收1.8亿元,同比+23%,毛利率34%,同比+2pct,销量3.8万吨,同比+14%,均价为0.47万元。


2、\t导热散热材料:25年营收1.31亿元,占比13%,同比+24%,毛利率22%,同比+4pct,其中

✅高导热氮化物:营收0.68亿元,同比+52%,毛利率39%,同比+7pct,销量85吨,同比+176%,均价为80万元。


✅导热氧化铝:营收0.54亿元,同比+41%,毛利率1%,同比-10pct,销量0.5万吨,同比+6%,均价为1.1万元。


受益于高性能硅微粉、高导热氮化物等材料销量攀升,23-25年公司毛利率为31%、31%、34%,净利率13%、12%、16%。


🌼客户情况

25年前五大客户为台光电子(55%)、锦艺阿泰欧(6%)、生益科技(5%)、南亚新材(3%)、台耀科技(3%),其中#第一大客户台光电子23-25年销售额占比为40%、49%、55%,当前下游已覆盖全球前十大CCL制造厂。


🌼产能及市占率

公司当前球硅产能为7kt,折合后5400t,募集项目“电子信息用高性能粉体材料扩产项目”有望助力公司2年后产能新增8kt。


2023-2025年,根据中国电子材料行业协会覆铜板材料分会,在高等级高速覆铜板用球形硅微粉领域,#公司全球市场占有率超过40%,位列第一;根据中国非金属矿工业协会证明,公司在覆铜板用硅微粉领域销售规模位居国内第一。


🌼工艺路线

公司系少数同时掌握化学法球硅、直燃法球硅和火焰法球硅三种高端粉体制备技术的厂商,其中化学法可实现纳米级颗粒,球形度和球化率接近100%,适配M7以上等级的高速覆铜板。


具体案头欢迎私信研究员或对口销售~

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欢迎交流:孙潇雅/赵子淇


8、【澜起科技】产业进展

最新流片数据环比翻倍增长不止、同比好几倍


9、美光北美专家

📈HBM 需求同比增长超过 100%,主要由 AI 服务器、超大规模云提供商和新云玩家驱动。

📊DRAM 需求同比增长约 60%,而 NAND 增长仍保持低迷,低于 20%。

🌎北美占服务器总需求的 60% 以上,其次是中国和亚太地区,以及欧洲 / 中东。

⚠️美光面临着严重的供应限制,特别是HBM 和 DDR5,库存缓冲几乎不存在(周转时间不到 24 小时)。

⏱️HBM4 交货周期已延长至 35‑40 周,服务器 DDR5 交货周期已升至 16‑24 周。

📜美光通过取消长期供应协议、移除供应保障、要求客户预付款,并转向固定容量或上下限定价区间,收紧了商业条款。

🏭三星和 SK 海力士等主要供应商,以及 CXMT(DRAM)和 YMTC(NAND)等中国替代品,由于美光的供应短缺和更严格的分配限制,正在抢占市场份额。

✅三星提供最高的灵活性,包括捆绑 DRAM/NAND 交易和更短的交货周期(DDR5 为 12‑18 周),而中国本土供应商则利用激进定价和本地渠道支持。

👷熟练劳动力可用性也在导致产能增长缓慢。

📌一些重要引述:

💬“由于整体订单正在增加,积压订单也在增加。”

💬“积压订单更多与 HBM 有关。虽然 DRAM 也是重要部分,但 HBM 是最大的积压订单,纯粹是因为我们关注的 AI 领域。”

📋关于满足率‑美光能够履行的订单百分比:

💬“DDR5 产品约为 75%‑80%,有些情况下达到 85%。高容量 RDIMM 约为 60%,65% 到可能甚至 75%。企业级 SSD 可能约为 75%‑80%。”

💬“没有库存。我们几乎没有库存闲置哪怕 24 小时。一旦库存进来,就完了。砰,它就没了”。


10、CCL电子布建滔今天发涨价函,这是上周邮件涨价的缺认,不算两次涨价

现在1.5mmFR4价格345,我们看年底前还有1-2次涨价吧。可能尝试冲击400。但公司均价肯定不到这个数,因为大多数板没有1.5mm这么厚。
电子布涨价轮次会更多,9月1.5,年底前每个月理论都能涨。




二、各位领导,【澜起科技】有重大产业进展,我们更新如下:#最新流片数据环比翻倍增长不止、同比好几倍!(具体数据可私信)


1️⃣为什么在8月爆量?#我们推断很可能是新产品PCIeretimer放量了。目前PCIe Retimer已全面落地服务器场景,一般在通用服务器单机搭载2-4颗,在AI服务器中其用量随GPU配置规模大幅提升。此系列作为澜起在AI服务器领域面向未来的产品,经过多年培育开始全面放量。
2️⃣下游可能是谁?结合昨日英伟达给出明年CPU业务迎来拐点,#预计会在2028财年实现翻倍以上的收入增长。产业趋势上,Agentic AI带动CPU存力升级。Agentic AI推动请求链路、工具调用次数增加并显著提升CPU负载,未来CPU:AI芯片比例或逐步提升至1:1。我们判断,#公司很可能已经或即将进入相关供应链并拿到绝对份额。
3️⃣另外,此前澜起率先试产CXL 3.2 MXC,最高支持64GT/s及DDR5-8000,#已成功导入三星、SK海力士等主要内存模组厂商的下一代CXL产品,并完成初步验证,后续放量可期。
4️⃣公司DDR5内存接口芯片颗数增长+子代升级趋势向好,主业基础夯实;PCIe Retimer流片放量,此外公司研发布局Switch芯片,打开了更大成长空间。#我们上调公司盈利预测26/27年净利润37.5亿/53.8亿元~坚定看公司4000亿市值!#按计算器的。

【浙商计算机】澜起率先试产CXL 3.2 MXC,已导入三星、SK海力士下一代产品
CXL 3.2:率先试产,最高支持64GT/s及DDR5-8000
澜起科技宣布率先在业界试产CXL 3.2内存扩展控制器(MXC)。新品基于PCIe 6.x及CXL 3.2协议设计,最高支持64GT/s,集成双DDR5内存控制器并支持DDR5-8000,面向AI、云计算及数据中心的内存扩展、内存池化和分层内存应用。
客户验证:已导入三星、SK海力士下一代CXL产品
公司披露,CXL 3.2 MXC已成功导入三星、SK海力士等主要内存模组厂商的下一代CXL产品,并完成初步验证,同时支持Intel Xeon、AMD EPYC等主流服务器平台。公司同步提供SDK及分析测试工具,支持客户进行兼容性验证及量产导入。
产品迭代:CXL持续升级,产业化进度推进
三星、SK海力士和美光均已缩减或取消自研CXL扩展控制器商业化计划,相关需求转向Montage(澜起科技)、Astera Labs等专业Fabless厂商。澜起于2022年全球首发CXL 2.0 MXC,2025年推出CXL 3.1 MXC,本次进一步迭代至CXL 3.2,并已进入三星、SK海力士下一代产品验证。
?风险提示:下游需求不及预期;CXL产业化进度不及预期;客户验证及量产导入不及预期;行业竞争加剧;估值波动风险。



三、内存将走向何方?

by Jukan


当我从消息源听说Rubin Ultra可能被降级为HBM4,或者从12层HBM降到8层HBM时,我还以为是什么烂玩笑。


从16层砍到12层,我能理解。良率就是上不来,这是制造问题。但再砍一刀,降到8层或改用HBM4,这直接违背了一个信念——AI对HBM容量的要求只会越来越高、越来越大,而且这是突破当下内存墙的唯一途径。


所以当我听说Anthropic和OpenAI这样的模型开发商甚至向英伟达要求4层HBM4E时,我就更困惑了。


如果这么低的HBM就够用了,那HBM的护城河不就塌了吗?护城河一塌,我们怎么抵挡即将涌来的中国供应?这是内存下行周期的开始吗?所有负面想法同时涌来,我慌了。


但我跟行业专家和消息源仔细聊过之后,找到了一个答案。这个答案甚至说服了我自己——一个自认在内存上花了不少功夫的人——所以我想在这里分享给你。


1. HBM为何如此重要


对内存制造商而言,这一轮周期与以往所有周期的最大区别,就在于HBM。


毫不夸张地说,这整场DRAM缺货,就是因为HBM的存在——它吞噬了海量的通用DRAM晶圆产能。


今年早些时候,当Rubin Ultra仍被预期搭载1TB HBM4E时,有些预测显示,即便DRAM资本支出在上升,有效DRAM供应增长也 barely 只有1%,全是因为HBM。


换句话说,正是HBM在持续推动DRAM去 Commoditization(大宗商品化)。


HBM面临三大与良率相关的工程极限。


第一是垂直堆叠Die带来的封装阶段良率挑战。


第二是HBM的Die面积比通用DRAM Die更大,导致每片晶圆上可用的已知良品Die(KGD)更少。


第三是晶圆制程本身的良率损失——在堆叠之前就要形成TSV(硅通孔)。


第二和第三点是制造HBM本身无法回避的成本。第一点则不同。堆叠4层或8层,远比堆叠12层或16层成熟得多,所以只要降低堆叠高度,就能产出更多HBM。


这直接带来更多加速卡出货,也是近期HBM降规的原因之一。


2. 内存占预算比例太高


假设降规前的Rubin Ultra使用12层HBM4E,再考虑到HBM4涨价,内存最终竟占到整个Rubin Ultra物料清单(BoM)的70%。英伟达的客户根本不可能接受这个价格。


英伟达后来确实把HBM上的加价率从75%降到50%,但即便如此,Rubin Ultra还是太贵了。


于是,包括OpenAI和Anthropic在内的客户开始积极推动HBM降规——这是BoM中最大的一项——以压低GPU价格。


有些客户更进一步,坚称4层HBM对他们来说就够了。我目前了解到的情况是,内存制造商拒绝了,降规止步于8层。


回头看,包括超大规模客户在内的内存买家从7月起就开始抵制内存涨价了。


Meta对SanDisk的动作是一个案例。如今对Rubin Ultra内存涨价的抵制是另一个。


业内蔓延的一种看法是,本该用于推动AI进步的预算,被过度地倒进了内存里。


3. 没有余地和预算继续推高HBM容量


我在Hot Chips上学到的一点是,对HBM来说,引脚速度(pin speed)现在比容量本身更重要。


HBM正在成为内存中最热的一层。


把所有数据都留在HBM里的需求在缩小。模型分布在多颗GPU上,预填充(prefill)和解码(decode)正在解耦,相对“冷”的KV Cache和模型状态正下移到LPDDR、CXL和NAND层级。


留在HBM里的,只有计算当前所需的工作集(working set)。


模型开发商带来的软件改进也超乎想象。


量化、MLA(多头潜在注意力)等技术让算法能够抵消模型权重和KV Cache的容量增长。一旦为最小工作集确保了足够容量,要解决的问题就从“能存多少”变成了“每个Token所需数据能多快取到”。


这并不意味着高容量已无必要。关键在于,软件在不断拉低最低所需容量,而越过那个阈值后,额外价值更多来自带宽而非容量。


而且,更高带宽的HBM需要更多晶圆来制造。


一片晶圆上只有有限比例的Die能通过速度分拣(speed binning),所以要求的速度越高,每片晶圆能产出的良品Die就越少。


这进一步加剧了上文所述的HBM对DRAM Die的巨量消耗,并有可能使当前的DRAM短缺恶化。


这就是为什么HBM买家不得不在容量和带宽之间做取舍。他们需要更高的带宽,哪怕牺牲容量,而且绝对没有空间在更高带宽之上再去保更高容量。


那这对内存制造商意味着什么?


就我个人而言,我认为这实际上是利好。


如今,内存制造商会报废那些不符合标准的有缺陷Die——无论是在前端还是封装环节——或者把条件稍好的那些以不太好的价格卖给中国。


但如果放弃容量意味着以8层形式销售HBM4和HBM4E,那也意味着更高的封装良率。这意味着更多HBM,放大来看就是更多机架出货,所以总HBM需求比起所有人都死磕高容量HBM的那个世界,实际上是增加了。


结论:未来两年将决定内存制造商的命运


HBM并不完美。


发热。对DRAM晶圆天生的贪婪胃口,长期制约着DRAM供应。分配优先级随资本优势的持有者而转移。


相比DRAM在计算架构和产业史上所占据的位置,对HBM的抱怨完全可以理解。HBM的创造者SK海力士自己也承认HBM并非完美架构。


但不可否认,HBM是迄今为止最好的内存架构。


多亏了HBM,内存变得不那么周期化了。


即使下行周期到来,HBM需求也不会萎缩。当DRAM价格下跌时,制造商可以提高HBM产量,抵御DRAM价格下滑。这是与以往所有周期最大的不同。即使在低迷期,内存价格也不会像过去那样暴跌70%。


但我们不能止步于此。行业需要聚焦于构建HBM之后的下一代架构。


我也不能排除出现一种优于HBM的架构——它可能消耗更少DRAM晶圆,或者改用NAND,或者另辟蹊径。


而且我相信,这种架构将朝着内存与逻辑融合的方向出现。


我们正在进入一个改良版的冯·诺依曼时代,内存和逻辑相互侵入对方的领地。


对内存制造商来说,未来两年将是决定未来几十年的分岔点。


如果他们在此刻抓住通往逻辑的方向,就能尝试进入逻辑领域——一个远大于内存的市场。他们也能加固自己在内存领域的护城河。


如果他们反过来逐渐退让——从HBM基础Die之类的东西开始——他们可能会失去HBM终于为他们赢来的去 Commoditization 机遇。


那他们就永远摆脱不了分包商的地位,而如果在这个节点掉链子,我认为内存制造商的利润很可能会回到HBM之前的水平。


我相信内存制造商明白这一点。这就是为什么三星在宣扬其晶圆代工与内存结合的优势,为什么SK海力士在探索与Intel的合作。


而逻辑阵营——包括英伟达——并不希望内存制造商的角色扩大。


这就是他们反对HBF的原因。他们不想重演HBM在NAND上发生过的事——失去主动权,被牵着走。


我不知道内存和逻辑之间的角力谁会赢。我现在能确信的是:


HBM终有一天会被取代。


终极方向是内存与逻辑的结合。


在人类能够绕过HBM今日所代表的那堵墙之前,内存制造商的利润将受到HBM结构性特征的保护。


似乎可以确定的是,我们正站在自冯·诺依曼架构以来最重要的分岔点上。


别在接下来五年里倒下。我们怎么能没见证这场变革就死了呢?




四、卖方对于ptfe的进展点评:


继上半年4月更新PTFE后,今年下半年伴随switch tray再测试(层数比正交少,又重新尝试),整体我们认为,1)良率确实在持续提升,2)目前仍处于测试而非大规模放量,各家方案有差异,3)中长期技术升级较为确定。


1、PTFE处于罗杰斯M9水平:PTFE的DK值为2.0-2.2,DF值为0.0008-0.001,属于罗杰斯材料体系中M9等级,性能明显优于M8材料,目前PTFE CCL成本约为2200元/平方米,成本高企的核心原因是当前量产良率较低;传统成熟应用的PTFE通信板因工艺成熟、良率高,成本仅为500-600元/平方米。


2、很多人没讲明白结构差异,各家应用方案有差异

→正交背板(Feynman):目前较为确定采用PTFE方案无布,3块26层选择生益5300(纯PTFE CCL)+09(#碳氢树脂膜替代PP )方案,块之间892K2 PP(M8二代布);

→Switch tray:目前测试的有5300+09,5300+m9Q,5300+m10Q,含布不含布均在测,#边际上依然利好我们此前说的HVLP4、碳氢树脂&PPO、硅微粉。


边际上到底谁受益了?

1)PTFE树脂成本低,但是价格同样在2000元以上CCL(生益)最受益,也许利润率会提升至70~80%;2)PCB板厂:核心中的核心是深南

3)HVLP4、碳氢树脂&PPO、硅微粉。


总结相关:生益,深南,胜宏,德福,东材,圣泉,凌玮,联瑞,东岳jt



五、【申万tmt+海外科技等】260829 不妨更乐观!长鑫详评+电子布+互联芯片系列深度+小米嘉立创


#CALLBACK:7月每周建议#“绝对收益投资者不要抄底”(绵薄贡献),8月连续指出“绝对收益已可开始”,但优先泛科技B(创新药恒科黄金等,恰3-6月没涨),其次泛科技A(存算联等)。


#首先_不妨再乐观一些!

a)本周tmt50 周一、周五调整,周中走势强劲。光通信、半导体材料设备类似;

b)创新药走势都与上面类似;

c)黄金股ETF后半周强劲,COMEX黄金略弱。

d)海外科技叙事略有变化,例如salesforce/PLTR/SAP/ADOBE等AI应用强势;


考虑一些“行为金融学”信号:

e)7月上旬,由于4-6月不断加强,投资者经常考虑立刻抄底;

f)最终7月中旬/7月下旬/7月底,投资者反而认为下周/8-9月/不知多久可参与;

但有一点比较重要:缩量后,追求快速反弹的投资者少了,所以杠杆调整的概率下降。而且8月后主要都是跌一天,不再有7月连续3-5天的科技调整。所以重申上周0822的新建议:

#一句话概括:从今之后tmt大跌即参与!不妨更乐观一些!



#半年报出来_产业信息要点:

1)经营出色归因于:全球算力需求快速增长、全球主厂商产能调配、DRAM供不应求、价格大涨;

2)收入结构向AI算力驱动转型。DDR收入占比已高达46%,收入弹性大于量弹性,毛利率从Q1的79.2%提至Q2 87.6%为佐证。与阿里云、字节、腾讯等客户深度合作,受益行业LTA趋势。

3)半年报#首次正式披露LPDDR6产品。峰值速率达12800Mbps,较LPDDR5X提20%,达到同期国际先进水平,已关键客户送样,加速推进量产,预计下半年量产。高价值量LPDDR6将与DDR5构成新增长极;

4)新技术新产品:第五代+3D DRAM。第五代工艺平台客户认证,将提升存储密度+阵列性能+良率;3D DRAM是下阶段焦点。快科技披露DUV设备+多重曝光工艺攻坚10纳米级高性能DRAM量产。披露高通与兆易合作独立NPU将搭4GB定制3D DRAM,由长鑫制造。TSV和混合键合堆叠,预计2026年底/2027年出货。


#半年报三表有这些要点:

5)所有人都知的利润表高增+毛利率上浮8个百分点(AI产品);

6)经营质量较高,26Q2自由现金流达765.9亿元,高于净利润的528.4亿,在电子行业中极为可贵。CF隐含成本甚至低于IS。

7)上市后的大幅度扩张研发,产能提升,已部分体现。Q2研发费用44.8亿环比高增,应付职工薪酬

从26Q1的11.5亿元提升至44.8亿元与之匹配;

8)运营周转较为平稳,杜邦分解有启发。应收账款周转天数(26H1仅4.9天)、存货周转天数是主要原因。26H1 ROE高达81.1%,其中净利率51.6%最关键,资产周转率的提升不容小觑(本次0.37,基数为0.06)。


g)9月涨价幅度或将持续扩大;

h)建滔对FR4再次提价10%、对PP提价10%/20%。8、9月利润或达到12、13亿元。

i)预计9月7628与超薄极薄布分别提1.5/2元。CCL紧缺持续、织布机卡点、全行业普通布无库存、2027年普通纱无新增产能催化。

j)行业特种布环比量价齐升。Q3是主要特种布企业产能爬坡的关键时期,国际复材年底前二代布200万米/月、一代布150万米/月;宏和科技T布扩产至100万米/月以上。溢价能力增强,价格弹性或释放。


标的:普通布#中国巨石+特种布#宏和科技+国际复材+中材科技,#建滔集团&建滔积层板


#最后_几个标的_小米+嘉立创+互联芯片系列等

9)周末长鑫官网/雷军微博等披露小米18fold新折叠旗舰手机首发搭长鑫LPDDR6,央视新闻/本周有小米正面报道(#小米是申万金股8月铁三角);

10)嘉立创(#TMT陈俊兆/梁廷/林起贤/杨海晏/黄忠煌/刘洋)

半年报或为增长最快pcb公司_惊喜为国际业务再取得进展;机械业务新曲线的占比提升;

理解公司商业模型的稀缺性,#互联网AI拼小B+柔性制造+工业软件拓展+多beta,现金流是验证;

11)申万已完成 一二级重要赛道#互联芯片多篇深度(覆盖PCIE+ethernet+DSP+Serdes+TIA+Driver+OCS等路线之争,MRVL/盛科/曦智/澜起/裕太微/优讯等深度),欢迎联系 #申万TMT任意一位


【申万tmt+海外科技等】




六、今天算得上是房地产行业历史性的一天, 央行+证监会+住建部等一起出手,力度是非常大的。


1、住建部+自然资源部+金融监管总局:《关于完善商品住房销售制度的通知》


最大的是变化是:现房销售全面推进,实现"所见即所得",“交房即交证”、从根本上防范交付风险。


2、 央行+金融监管总局:《关于改革完善房地产信贷管理的意见》


最大的变化是:一是将个人住房贷款期限由最长30年延长至最长40年;二是拿到房、再还贷。


3、证监会:《关于资本市场支持构建房地产发展新模式的意见》


支持上市房企再融资、收购涉房资产,推进商业不动产REITs,支持不动产私募投资基金。以后房地产融资,除了银行也可以找股市了。


但这不是对房地产“撒钱救市”,而是行业制度“全面重构”了!过去30年"高杠杆、高周转、高预售"的模式终结,切换到"低杠杆、品质竞争、现房为主"的新模式。


新政最利好购房者,以后都是买现房,拿到房子再还贷款,不再有烂尾楼,房贷也从30年拉长到40年!房地产行业则迎来大洗牌,小开发商会慢慢淘汰,留下的就是头部开发商+有实力的央企地产公司了。


对A股来说,利好地产链,房地产服务、以及白酒,内需消费等顺周期板块。但房地产的黄金时代已经结束了,所以都是反弹但不会反转!今晚贝壳在美股盘前涨6%,一度涨超17%。下周地产相关的应该会涨一涨,但也不能指望太多。


总之,房子以后就是消费品了,不要想着炒房,也不要囤房。根据自己的情况,想买的就买,想租的就租!国家现在加强保护购房者利益,目的是不让你买到烂尾房,质量差的房子。但不会保证你买的房子会涨,涨跌看你买的城市+地段了,就跟买股票一样。

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