- 广东先导集团：先导集团旗下子公司预计年产40吨InP晶体，3月18日清远环评已批复。公司可提供使用VGF法生长2-6 英寸InP衬底，是国内较早实现6英寸InP衬底量产的企业，具备完整的In材料、设备、衬底产业链能力。下游客户包括国内26年出货量领先的光芯片公司，先导基电是先导科技集团旗下上市公司平台。
- 云南锗业： 控股子公司云南鑫耀半导体材料有限公司已量产2-4英寸InP晶片产品，公司计划投资近1.9亿元扩产InP扩建一条年产30万片（折合4英寸，含6000片6英寸）InP单晶片生产线，最终总产能达45万片/年（折合4英寸）。下游客户包含国内26年出货量前三的光芯片公司。同时去年8月，九峰山实验室联合云南鑫耀等企业宣布，6英寸工艺重大突破，关键性能指标达国际领先水平。
1、磷化铟（InP）行业其实一直用了很多年，凡是涉及到光纤，涉及到光转电，电转光，就会用，两类材料，砷化镓（GaAs）（短距离100m-300m）和磷化铟（InP）（长距离500m-几十公里），所以这不是一个新鲜行业。2、现在大家提的都是磷化铟（InP）（发光，接收可以磷酸锂或者硅光），是绝对的主流。因为砷化镓（GaAs）是VCSEL，他配合的是多模光纤，不是走直线，是以多种角度跳跃着前进，因为路宽，光线会互相干扰（产生色散），所以跑不远。随着速率提升后，比如25G/50G/100G，它能够touch的距离在变短，100G的距离只有20米。3、历史：需求侧，起初发展20年，关注度不高，需求量即使很大，比如家里的光纤入户这些，也都是低端的，2.5G-10G，1块钱一颗，很便宜，一年也有上亿颗，但是价值量一算不大，然后14/15年ZJXC进Google 40G来了一波，真正起量是AI，原来单一产品几百万颗，现在翻10X。4、历史：供给侧，磷化铟（InP）这个材料是二代半导体，同样一个衬底要贵出3-5倍，而且铟这种元素是伴生矿，总量不大，不管是lite/cohr/avgo/三菱驻友，一年生产上千万颗已经非常多了，原来的产线以2寸/3寸线为主，所以设备可以理解都是80年代的半导体设备，都是手动或者半自动化的，现在突然产业链膨胀加往高端走，需求价值量是好几倍翻，所以要扩产，且升级，国内往3寸，海外往4寸转。5、供给端的问题：EML产线都在日本，再加上设备不是自动化，良率也低，再加上2/3寸往3/4寸走，避免不了引入了很多不稳定因子。6、磷化铟（InP）和硅光不存在严格的替代关系。硅光是趋势，从量变到质变的原因：第一，需求越来越大，大规模去支撑AI，磷化铟（InP）的产能是有瓶颈的，硅光有IC的杠杆，半年到1年时间，把原来的8寸12寸产线改造改造就能起量，做出几千万芯片产能出来；第二，到了800G/1.6T，一个激光器可能是8个通道，任何一个芯片其实都是从分离走向集成的趋势，单个模组里面的数量变多的情况下，避免不了选择集成，硅光可以做16通道32通道单芯片集成。早期的IC也是，然后降成本，然后去扩大生产效率，光同样是这个问题，量大了之后需要迭代。7、硅光也发展了15-20年了，但是硅光真正在最近开始起量的原因：第一，生态真的成熟了；第二，需求变成刚需了；第三，量真的大了；三要素达成后，开始有性价比，也就是因为AI，产业趋势起来了。8、现在的硅光看到的产业趋势：原来的3-4年的迭代周期变成现在的2-3年，成本开始下降（传统Inp方案量跟不上，成本下不来，分立器件8通道是上限，物料成本高，还需要控温，组装的工序也多）。9、往远期看，200G硅光会超过一半以上，但到了400G，硅光也有一定的问题，硅的材料天然高速没有磷化铟做高速做得好，所以性能维度不会好，但能提供性价比，所以长期是磷化铟/硅光/薄膜铌酸锂（TFLN）共存，每个板块增长都非常快，而且硅的材料能替代调制器，探测器（薄膜铌酸锂（TFLN）只能做调制器，不能做探测器），但没法发光，没法做laser，所以未来一定是个hybrid integration。作者声明： 本文转载自第三方，旨在提供资讯参考，并非证券推荐或投资建议。作者对内容的真实性、准确性不承担保证责任。本文不构成任何投资建议或证券推荐。截至发文日，作者与文中提及的标的不存在持仓关系。