一、韩国正式开启举国级半导体军备竞赛，SK海力士万亿扩产直接拉动KrF光刻胶长期刚需
2026年6月29日，韩国政府正式发布国家级AI半导体战略。SK海力士对外官宣总额1100万亿韩元中长期投资规划，约合4.84万亿人民币；未来将加速龙仁、清州、光州三大晶圆集群建设，原本2045年完工的龙仁4座DRAM工厂，直接提速至2033年完成第一阶段投产。
整个韩国的目标非常清晰：五年之内DRAM产能直接翻倍，全力抢占全球HBM高端存储市场。三星同步配套超2000万亿韩元半导体投资，两大巨头将在韩国西南部新建四座12英寸存储晶圆厂。
很多人只看到“HBM、AI存储”，却忽略底层耗材逻辑：当前主流DRAM、3D NAND存储芯片，28nm及以上成熟制程全部依赖KrF（248nm）光刻胶；即便未来先进制程导入EUV，底层存储单元依然大量使用KrF工艺。SK海力士、三星大规模新建12英寸产线，每一片晶圆都要持续消耗光刻胶，最终传导到上游核心单体PHOST。
2019年日韩贸易摩擦是韩国行业无法忽视的教训：日本直接限制氟化氢、光刻胶核心材料出口，韩国存储工厂库存告急，险些大面积停产。自此三星、SK海力士确立硬性战略：核心原材料不能完全依赖日本厂商。
当前最新产业现状：日本经产省持续收紧高端电子化学品出口审批，JSR、钟渊化学、东曹三家全球PHOST主要供应商，不仅压缩对华供给，对韩国客户交付周期也持续拉长。韩国本土东进世美肯虽在研发KrF光刻胶，但上游高纯PHOST单体自研进度缓慢，短期内无法稳定大规模量产。
全球供应链缺口清晰显现：韩国存储产能大幅扩张，日本上游供给不确定性持续上升，本土又无充足替代产能，全球范围内可以稳定供应4N级电子级PHOST、且拥有扩产能力的厂商十分有限，佳先股份子公司英特美是国内为数不多实现工业化量产的企业，同时也是北交所独苗。
二、佳先股份与韩国产业链深度合作
当前市场普遍只测算国内晶圆厂需求，完全忽略韩国存储巨头带来的增量市场。
SK海力士、三星当前应对方案是多元化供应商导入。过去韩国光刻胶企业树脂原料完全从日本采购，如今采购部门主动开放海外备选供应商送样通道。
佳先股份旗下英特美现有一期860吨PHOST产能，二期1000吨产能预计2026年Q4投产。全部达产后合计1860吨年产量。
国内每年PHOST需求约2800-3200吨，仅国内市场就存在近一半供给缺口。如果后续顺利进入韩国供应链，每年可为公司新增数百吨乃至上千吨潜在海外订单。
韩国市场有两个核心优势：
1. 存储产线长期稳定稼动，耗材需求持续性远强于国内部分波动型成熟制程；
2. 韩国厂商对供应链安全优先级高于短期成本，愿意给到合理溢价，单体毛利率存在上行空间。
目前双方暂未签署正式长期协议，但产业渠道消息显示，韩国多家光刻胶配套企业已经启动样品沟通。一旦完成金属杂质、批次稳定性验证，后续订单落地将形成极强市场催化。
三、三重核心稀缺逻辑，佳先股份预期差巨大
第一，北交所唯一量产PHOST上市标的。A股光刻胶企业众多，但上游核心单体量产标的极少，北交所仅此一家，天然存在流动性溢价。
第二，中日博弈核心耗材。日本限制高端材料出口是长期趋势，国产替代逻辑不会短期结束。
第三，韩国万亿扩产带来增量第二增长曲线。绝大多数同行只能分享国内市场红利，佳先股份有望同步打开海外韩国市场，市场空间直接翻倍。
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