一、主营业务
长鑫科技是我国规模最大、技术最先进、布局最全的 DRAM 研发设计制造一体化企业。自 2016 年成立以来，公司始终专注于 DRAM 产品的研发、设计、生产及销售。公司采取“跳代研发”的策略，完成了从第一代工艺技术平台到第四代工艺技术平台的量产，以及 DDR4、LPDDR4X 到 DDR5、LPDDR5/5X 等产品覆盖和迭代升级，目前公司核心产品及工艺技术已达到国际先进水平。根据 Omdia 的数据，按出货量和销售额统计，公司已成为中国第一、全球第四的 DRAM 厂商。
DRAM 就是运行内存，DDR、LPDDR 是两套不同规范：1、DDR（标准 DDR）
面向台式电脑、服务器，追求持续高性能；
DDR4：上一代主流 PC / 服务器内存；
DDR5：当前新一代 PC、服务器主力内存，带宽更高、支持更大单条容量、电压更低。
2、LPDDR = Low Power DDR（低功耗 DDR）
专门给手机、平板、轻薄本、车机等电池设备，核心目标省电、体积小；
简单总结长鑫产品线迭代含义：老一代产品：DDR4（电脑服务器）+ LPDDR4X（手机）
新一代产品：DDR5（电脑服务器）+ LPDDR5/LPDDR5X（高端手机、车载、终端 AI）
数字越大代际越新；后缀带X = 同代进阶增强型号。
1、三星电子（Samsung，韩国） —— 全球第一
2、SK 海力士（SK Hynix，韩国） —— 全球第二（HBM 高带宽内存优势突出）
3、美光科技（Micron，美国） —— 全球第三
4、长鑫存储（CXMT，中国合肥） ——全球第四、中国大陆第一
行业格局俗称三国四强：韩（三星、海力士）、美（美光）垄断全球绝大多数产能，长鑫是唯一实现 IDM 一体化追赶的中国大陆厂商。
DRAM 是现代信息技术和数字信息产业发展的重要基石，广泛应用于数据中心、移动设备及终端、通信、智能制造等领域。公司于 2019 年 9 月推出自主设计生产的 8GbDDR4 产品，实现了中国大陆 DRAM 产业“从零到一”的突破。同时，公司积极把握行业发展趋势，持续进行产品迭代，现已形成 DDR 系列、LPDDR 系列等多元化产品布局，并可提供 DRAM 晶圆、DRAM 芯片、DRAM 模组等多样化的产品方案，可以有效满足服务器、移动设备、个人电脑、智能汽车等市场需求。
我国是全球最大的 DRAM 需求市场之一，而全球前三家 DRAM 厂商三星电子、SK海力士和美光科技长期占全球 90%以上的市场份额。公司致力于持续扩充产能，不断提升全球市场份额，并为我国 DRAM 市场提供稳定的供应。公司在合肥、北京两地共拥有 3 座 12 英寸 DRAM 晶圆厂，产能规模位居中国第一、全球第四。
DRAM：动态随机存储器，也就是我们常说的运行内存（内存条、手机运存）。
晶圆（Wafer）：高纯硅打磨出来的圆形硅片，是制造芯片的基底原材料。
12 英寸晶圆：直径 300mm 硅片，当前主流大尺寸硅片；尺寸越大，单块硅片能切割出更多芯片，摊薄成本。
DRAM 晶圆厂 = 专门生产 DRAM 内存芯片的芯片制造厂
行业术语一般叫DRAM 晶圆制造工厂，属于IDM 模式里核心生产环节（长鑫是 IDM：设计→制造→封装测试一体化）。2、DRAM 晶圆厂到底做什么？完整流程简化：
1、采购裸硅片（12 英寸硅晶圆）
2、在硅片表面通过光刻、蚀刻、薄膜沉积、离子注入等上百道工序，把亿万个存储晶体管电路做在硅片上。
3、整片大圆硅片上同时做出成千上万个 DRAM 裸芯片（Die）
4、完工后的晶圆再送往封装厂切割、封装、测试，最终变成内存条、手机内存颗粒
✅ 重点区分：晶圆厂（制造）：在硅片上刻电路，造出内存裸片（最核心、投资最重、技术壁垒最高环节）
封装厂：把晶圆切割、加上外壳引脚
模组厂：把内存颗粒焊在 PCB 板，做成成品内存条
3、补充长鑫 3 座 12 英寸 DRAM 晶圆厂含义
12 英寸是当前量产主流产线规格；区别于老旧 8 英寸产线（多用于功率器件、低端芯片，不适合大规模量产 DRAM）。
一座 12 英寸晶圆厂投资通常上千亿级别，建设周期 3～5 年。
长鑫三座 12 寸厂全部聚焦 DRAM，只生产内存芯片，不代工 CPU、闪存等其他芯片。
4、通俗一句话总结DRAM 晶圆厂，就是专门在 12 英寸大圆硅片上批量雕刻内存芯片的超级工厂，是生产手机运存、电脑内存条最上游核心厂房。
延伸小知识点
市面上两类芯片工厂：
1）专用晶圆厂：比如长鑫 DRAM 厂、长江存储 NAND 闪存厂，只做自家存储器芯片（IDM）
2）代工晶圆厂（Foundry）：台积电、中芯国际，承接各类客户芯片代工，自己不设计芯片
公司高度重视技术创新与先进工艺研发，建立了完善的研发创新体系，打造了经验丰富的研发团队，承担多项国家重大专项课题。通过持续不断的研发投入与技术创新，公司已形成多项科研成果，并在 DRAM 产品设计、制造工艺、封装测试、模组设计与应用等各业务环节构建了全面、完善的核心技术体系，主要核心技术已达到国际先进水平。截至 2025 年 12 月 31 日，公司共拥有 3,929 项境内专利（其中发明专利 3,165 项）以及 3,043 项境外专利。根据世界知识产权组织的统计数据，公司 2023 年国际专利申请公开数量排名全球第 22 位；根据美国权威专利服务机构 IFI 公布的数据，公司 2024年美国专利授权排名全球第 42 位，在所有上榜的中国企业中排名第四。
作为 DRAM 产业龙头企业，经过长期发展，公司已与上下游合作伙伴共同构建了相互依存、共同发展的产业生态。公司在服务器、移动设备、个人电脑、智能汽车等各大领域积累了广泛的优质客户资源，建立了良好的品牌效应。公司与阿里云、字节跳动、腾讯、联想、小米、传音、荣耀、OPPO、vivo 等行业核心客户开展了深度合作，持续赢得客户的肯定和赞誉。此外，公司积极与半导体存储设计企业、EDA 厂商、材料厂商、设备及零部件厂商、存储模组厂商等紧密合作，共同推动我国 DRAM 市场发展和产业生态的完善。随着公司现有产能逐步释放以及规划建设产能逐步完成，公司将持续提升市场份额，以存储科技赋能信息社会，成为技术领先与商业成功的半导体存储企业。
2、公司的主要产品及服务
公司产品覆盖 DDR、LPDDR 两大主流系列，并且各系列均能提供当前市场主流的第四代、第五代产品，包括 DDR4、DDR5、LPDDR4X、LPDDR5/5X 等，产品广泛应用于服务器、移动设备、个人电脑、智能汽车等市场领域。公司可结合不同产品的应用特点和不同客户的需求，提供 DRAM 晶圆、DRAM 芯片、DRAM 模组等多元化的产品方案，其中 DRAM 芯片是报告期内公司出货及销售的主要产品类型。凭借丰富的产品布局和卓越的产品性能，公司能够为客户提供全面的 DRAM 存储解决方案。公司主要产品及服务的具体情况如下：
（1）DRAM
1）DDR 系列
① DDR4
公司凭借长期的技术积累与创新，推出了自主设计、研发、生产的 DDR4 芯片，公司的 DDR4 芯片具备多领域的应用支持能力，可以满足多产品组合使用需求，为数据存储和高速传输提供高可靠性保障。目前，公司结合下游应用市场发展趋势，通过技术迭代推出了 DDR5 等新代际产品。2024 年底以来，长鑫科技自有 DDR4 产品已停止生产。
② DDR5
随着新一代信息技术的发展，各类终端电子设备对数据处理的性能和系统功耗的要求持续提升，下游市场对高性能内存的需求快速增长。DDR5 作为新一代 DDR 内存芯片，凭借更高的带宽和更低的功耗，正在快速取代 DDR4，应用于中高端市场。基于目前 DRAM 产品的迭代趋势，公司推出了 DDR5 产品并完成量产，产品性能达到国际先进水平，广泛应用于服务器、个人电脑等领域，实现了更加全面的下游市场覆盖。
2）LPDDR
① LPDDR4X
LPDDR芯片通过减小存储器与CPU之间的导线电阻和通道宽度实现低功率的运行，主要应用于智能手机、平板电脑等便携式设备。相较于 LPDDR4 芯片，LPDDR4X 芯片在封装方式、引脚设计、接口设计等方面进行了优化，在相同性能与速率的情况下能够实现更低的功耗与更好的稳定性。公司的 LPDDR4X 芯片兼具大容量、高速率、高带宽和低功耗的特点，能够提供稳定流畅的使用体验，目前已进入小米、OPPO、vivo、传音、联想等主流厂商供应链，在智能手机等终端产品中实现广泛应用，并通过相关终端渠道走向海外市场。
② LPDDR5/5X
公司自主设计研发生产的 LPDDR5/5X 芯片具备大容量、高速率、超低功耗与高安全性等特性，相较于上一代 LPDDR4X 芯片，公司的 LPDDR5/5X 芯片单一颗粒的容量和速率均大幅提升，同时功耗进一步降低。此外，公司 LPDDR5/5X 芯片加入了强大的RAS 功能，通过内置纠错码（On-die ECC）等技术，能够实现实时纠错，有效减少系统故障，确保数据安全，增强系统稳定性。公司 LPDDR5/5X 内存芯片能够有效满足中高端智能手机、笔记本电脑、AIoT 等市场需求，相关产品目前已进入小米、传音等品牌供应链。
（2）DRAM 模组
公司基于自身原厂 DRAM 芯片生产制造的 DRAM 模组包括 DDR4、DDR5 系列，涵盖 RDIMM、MRDIMM、UDIMM/CUDIMM、SODIMM/CSODIMM、LPCAMM 等不同类型产品。其中 RDIMM 和 MRDIMM 主要应用于服务器领域，UDIMM/CUDIMM主要应用于计算机工作站、台式电脑，SODIMM/CSODIMM 主要应用于笔记本电脑、一体机主机中，LPCAMM 主要应用于高性能笔记本电脑、移动工作站等。公司 DDR4模组包含 8GB/16GB/32GB/64GB 等多种容量规格，速率可达 3200Mbps。DDR5 模组包含 8GB/16GB/32GB/64GB/96GB/128GB 等多种容量规格，速率可达 8000Mbps 及以上。公司 DRAM 模组产品具体如下：
（3）DRAM 晶圆
报告期内，公司存在少量 DRAM 晶圆销售，DRAM 晶圆即公司完成技术研发、产品设计及生产制造流程后，尚未切割及封装测试的产品，相关客户主要包括下游模组厂商等。
（4）其他产品及服务
公司其他产品及服务主要包括提供技术及研发服务、晶圆代工服务及配套光罩产品销售等。
3、主营业务收入的构成情况
二、发行人所处行业基本情况和竞争情况
（一）公司所属行业及确定所属行业的依据
公司主要从事 DRAM 产品研发、设计、生产及销售。根据国家统计局发布的《国民经济行业分类》（GB/T 4754-2017），公司所从事的行业为“制造业”（C）之“计算机、通信和其他电子设备制造业”（39）。
根据国家统计局发布的《战略性新兴产业分类（2018）》，公司所属行业领域属于“1新一代信息技术产业”之“1.2 电子核心产业”之“1.2.4 集成电路制造”，是国家重点发展的战略性新兴产业之一。
三、行业情况
1、DRAM 行业概况
半导体产业作为现代信息技术和数字经济的基石，在全球科技进步和经济发展中扮演着至关重要的角色。从功能角度划分，半导体主要涵盖集成电路、光电器件、分立器件和传感器四大类。
其中，存储芯片作为集成电路的关键分支，是实现数据存取与读写功能的电子器件。近年来，全球数据总量呈现爆发式增长。存储芯片作为数字时代信息能够及时、完整和可靠传输的重要保障，不仅是电子设备的核心部件，也是新一代信息技术得以实现和发展的核心支撑。
根据断电后数据是否丢失，存储芯片分为易失型存储和非易失型存储两类。易失型存储主要指随机存取存储器（RAM），需要维持通电以临时保存数据供主系统 CPU 读写和处理，而非易失型存储主要包括只读存储器（ROM），无需持续通电亦能长久保存数据的存储器。
（1）数字经济蓬勃发展下，DRAM 作为数据读写与传输的核心硬件载体，是全球半导体市场占比最高且增速最高的单一品类之一
DRAM 是主流的易失型半导体存储器，主要用于数据和程序的临时存储。作为处理器与外存进行数据交互的关键桥梁，DRAM 通常也被称为内存芯片，并广泛应用于服务器、移动设备、个人电脑、智能汽车等各类电子设备及系统。
DRAM 的每个存储单元仅由一个晶体管和一个电容器（1T1C）构成，通过电容的充放电状态表示数据位（0 或 1），且由于电容存在自然漏电特性，需要通过周期性电荷刷新维持数据完整性，因此称之为“动态存储器”。相较 SRAM 等其他易失型存储器而言，DRAM 单元结构简单，能够在有限的芯片面积上集成大量存储单元，具有高存储容量和成本效率优势，因而具有广泛的应用场景。
作为数字经济时代新型信息基础设施的核心组成部分，DRAM 在现代信息社会中扮演着战略性基础设施的重要角色，是全球半导体市场占比最高的单一品类之一。根据世界半导体贸易统计协会 WSTS 统计，2025 年全球集成电路市场规模为 7,009 亿美元，占半导体产业整体规模的比例约为 88%，其中，全球存储芯片市场规模为 2,300 亿美元，占集成电路市场规模的比例约为 33%。根据 Omdia 和 WSTS 数据，DRAM 是市场规模最大的存储芯片，2025 年全球 DRAM 市场规模为 1,505 亿美元，占存储芯片市场规模的比例约为 65%。
（2）DRAM 芯片分类
在 DRAM 发展过程中，DRAM 产品类型主要分为 DDR（双倍速率同步动态随机存储器）、LPDDR（低功耗双倍速率同步动态随机存储器）、GDDR（图形双倍速率同步动态随机存储器）和其他新型高端存储器等。其中，DDR 及 LPDDR 产品面向广泛的下游终端应用领域，是 DRAM 市场的重要组成部分。JEDEC 定义并构建了上述标准化的内存技术规格体系，使得各厂商设计的产品满足目标应用的功率、性能和规格要求，具备互换性和兼容性。
在技术突破、性能迭代与市场应用需求的多维驱动下，各类型 DRAM 产品呈现代际升级趋势，每代际新产品通常较前代际享有更高的速率和容量，以及更低的电压和功耗。2023 年至 2025 年，市场主要 DDR 及 LPDDR 产品分别处于 DDR4 向 DDR5、LPDDR4向 LPDDR5 迭代升级阶段。其中，DDR 产品方面，DDR4 市场占有率由 2023 年的 64%降至 2025 年的 27%，同期 DDR5 市场占有率由 32%提升至 71%；LPDDR 产品方面，LPDDR4 市场占有率由 2023 年的 47%降至 2025 年的 27%，同期 LPDDR5 市场占有率由 52%提升至 72%。
除上述分类外，根据市场惯例，DRAM产品通常也可分为主流DRAM和利基DRAM。主流 DRAM 以容量大、传输速率高为特点，主要应用于服务器、移动设备、个人电脑等市场领域，下游市场具有市场规模大、技术要求高的特点。利基 DRAM 则指密度容量相对较低或从主流 DRAM 规格退役的产品，主要应用于主流市场之外的其他应用场景，例如通信、工业控制、智能家居等市场领域。
（3）DRAM 产业链分析
从产业链来看，DRAM 产业链上游包括 IP、EDA、半导体设备及零部件、材料等。产业链中游则包括 DRAM 设计、晶圆制造及封装测试环节，是产业链中的核心环节。产业链下游则主要包括服务器、移动设备、个人电脑、通信、工业控制、智能家居等应用领域。
多年来随着分工的持续细化，产业链中游芯片厂商已形成 IDM 与垂直分工两种主要的经营模式。IDM 模式下，企业通常自主完成芯片设计、晶圆制造、封装测试等全流程环节，要求企业具备较强的技术储备与资金实力；垂直分工模式下，各环节由不同企业专业化分工进行，其中 Fabless 企业专注于产品研发设计，晶圆制造环节通常委托给晶圆代工厂，封装与测试环节则交由封测厂完成。
采用 IDM 模式经营的厂商在 DRAM 产业链中游环节占据绝对主导地位。由于DRAM 布图设计与晶圆制造技术结合紧密度高，采用 IDM 模式经营的厂商能够更快地推进技术升级与产品迭代，响应市场快速变化的需求。此外，在 DRAM 产品大规模标准化生产特性下，IDM 厂商通过集中调配资源，易形成规模效应，经济效益更加显著。全球 DRAM 主要厂商三星电子、SK 海力士、美光科技、长鑫科技和南亚科技等均采用IDM 模式经营。
（4）海量数据处理需求驱动全球千亿美元 DRAM 市场规模快速增长，中国市场规模占比超过四分之一
近年来，新兴技术场景持续涌现，数据总量呈现爆发式增长，广泛的数据读写与传输需求驱动全球 DRAM 市场规模快速扩大。长期来看，全球 DRAM 市场仍有广阔的增长空间。根据 Omdia 数据，全球 DRAM 市场规模有望从 2025 年的 1,505 亿美元增长至2030 年的 5,710 亿美元，年均复合增长率为 30.56%。
中国 DRAM 市场覆盖国内消费电子市场与电子信息制造业的广泛需求，在全球DRAM 市场中占有重要份额。根据 Yole 数据，2024 年中国 DRAM 市场规模约为 250亿美元，占全球 DRAM 市场规模的比重超过四分之一。作为全球主要的 DRAM 需求市场，中国在该领域长期高度依赖进口，DRAM 本土厂商仍有广阔的市场空间。
（5）服务器、移动设备、个人电脑和智能汽车构成 DRAM 主要应用领域，数字经济时代下多元应用场景的发展，有望拉动 DRAM 需求持续增长
根据 Omdia 统计，2025 年全球 DRAM 下游应用领域中，服务器、移动设备、个人电脑、智能汽车市场需求占比分别约为 50%、28%、13%和 2%，前述四大应用市场合计占全球 DRAM 下游应用需求市场的比例超过 90%。数字经济时代下，服务器、移动设备、个人电脑、智能汽车以及其他多元应用场景的持续发展，有望拉动 DRAM 市场需求进一步增长。
1）服务器
服务器 DRAM 有望成为 DRAM 各应用领域中增长最快的市场之一。根据 Omdia数据，2025 年全球服务器 DRAM 市场占比约为 50%，到 2030 年服务器 DRAM 市场占比预计将增长至约 71%。数据中心扩张、云计算发展对于数据处理基础设施建设的需求持续快速增长，成为服务器 DRAM 市场规模扩大的核心驱动力之一。根据 Omdia 预测，全球服务器搭载的 DRAM 总量预计将由 2025 年的约 19,953MGB 增长至 2030 年的约69,340MGB，2025-2030 年年复合增长率约为 28.29%。
2）移动设备
移动设备 DRAM 是 DRAM 核心下游应用市场之一，其中智能手机应用在移动设备DRAM 市场中占有主要份额，其余细分应用包括平板电脑等。移动设备性能提升及功能升级驱动单机内存容量增长，为移动设备 DRAM 需求提供有力支撑，推动其市场规模稳健增长。根据 Omdia 预测，全球移动设备搭载的 DRAM 总量预计将由 2025 年的约 11,111MGB 增长至 2030 年的约 13,776MGB，2025-2030 年年复合增长率约为 4.39%。
3）个人电脑
个人电脑DRAM是DRAM第三大应用市场，主要应用包含台式机和笔记本电脑等。个人电脑的换机升级以及端侧场景的持续拓展，成为驱动个人电脑 DRAM 市场增长的重要因素。根据 Omdia 预测，全球个人电脑搭载的 DRAM 总量预计将由 2025 年的约5,137MGB 增长至 2030 年的约 7,930MGB，2025-2030 年年复合增长率约为 9.07%。
4）智能汽车
智能汽车 DRAM 正在成为 DRAM 市场最具潜力的新兴赛道之一。尽管当前智能汽车 DRAM 占总体市场比例相对有限，但随着汽车智能化、网联化进程加速，自动驾驶和智能座舱的升级需求有望共同驱动汽车 DRAM 市场进入高速增长阶段。根据 Omdia预测，全球智能汽车搭载的 DRAM 总量预计将由 2025 年的约 968MGB 增长至 2030 年的约 1,916MGB，2025-2030 年年复合增长率约为 14.63%。
5）其他
在全球数字化浪潮驱动下，工业控制、可穿戴设备、智能家居等众多应用领域的发展驱动数据存储与处理需求蓬勃增长。根据 Omdia 预测，全球其他多应用领域搭载的DRAM 总量预计将由 2025 年的约 2,988MGB 增长至 2030 年的约 4,456MGB，2025-2030年年复合增长率约为 8.32%。
（6）全球 DRAM 市场集中度较高，国际前三家厂商合计占 90%以上市场份额，国内厂商长鑫科技正逐步进入主要厂商阵营
DRAM 行业具有极高的技术与资金门槛，已形成一定规模的领先企业可通过规模效应降低成本，巩固已有优势。受此行业特性的影响，DRAM 行业自 20 世纪 80 年代发展初期的数十家企业，发展到目前全球主要生产厂商包括三星电子、SK 海力士、美光科技及长鑫科技等。
根据 Omdia 的数据，基于销售额测算，2025 年三星电子、SK 海力士和美光科技在全球 DRAM 市场的占有率分别为 33.96%、34.48%和 23.41%，上述三家企业合计占全球 DRAM 市场 90%以上的市场份额。
近年来，国产 DRAM 厂商里长鑫科技正逐步进入主要厂商阵营。基于 Omdia 数据测算，按 2025 年第四季度 DRAM 销售额统计，长鑫科技的全球市场份额已增至 7.67%，并有望随着技术发展及产能建设实现进一步增长。
除前述厂商外，其他占有一定市场份额的厂商主要集中在中国台湾，包括南亚科技、华邦电子、力积电等。中国大陆亦有其他半导体企业布局 DRAM 业务，但多专注于芯片设计。
2、行业的周期性特征
DRAM 行业受市场供需波动影响较大，具有显著的周期性特征。厂商基于下游需求变化做出产能调控策略，但新建产线的产能爬坡通常需要多个季度，新建晶圆厂从资本开支到产能释放更是需要长达数年，导致市场供给与需求存在错配。同时，由于DRAM 市场供给端高度集中，头部厂商占有绝大部分市场份额，各家资本开支较为集中，新增或缩减产能决策往往同步释放，使得 DRAM 行业较其他半导体产品行业呈现更加显著的强周期性特征。
DRAM 产品市场需求量大且产品标准化程度高，不同 DRAM 厂商的产品规格、性能相近，使得其具备大宗商品属性，供需错配时市场价格竞争尤为激烈。同时，从历史上看，技术迭代速度、宏观经济波动、贸易政策等多重不确定性因素也会进一步加剧DRAM 价格起伏，使得 DRAM 市场价格呈现显著的波动性。
2025 年下半年以来，受全球算力需求持续增长、全球主要厂商产能调配等因素影响，全球 DRAM 产品供不应求，价格呈现大幅上涨趋势。
3、所属细分行业技术水平及特点
（1）DRAM 产品以标准技术规范为基础，定制化延伸特定应用场景
为了构建 DRAM 产业互联生态，JEDEC 制定了国际通用的 DRAM 技术标准，通过统一规范内存芯片及模组的接口协议、时序参数等关键技术指标，从底层解决兼容性问题，确保不同厂商的 DRAM 产品在应用端均可实现适配。例如，DDR5 标准通过统一数据速率（如 6400MT/s）、双通道设计等规范，使得不同厂商的内存条能与主板即插即用。各厂商可通过自主进行内部架构设计、制造工艺开发等，满足上述标准化技术规范，推出标准化 DRAM 产品。
除了面向通用场景的标准化产品，针对特定应用需求，市场也存在定制化需求。这类定制化 DRAM 产品需要由厂商开展差异化设计，匹配终端设备在功耗、尺寸、性能等方面的特殊要求，从而实现从通用场景到特定场景的技术延伸，补充通用标准难以覆盖的细分需求。
（2）产品持续向传输速度更快、容量更大、功耗更低的新代际演进
随着场景数字化的持续渗透推动全球数据量规模化扩张，海量实时数据处理需求对于大容量、高速、低延迟内存的需求持续攀升，市场对更高性能的 DRAM 产品有着强烈需求。在半导体技术与工艺持续突破的基础上，DDR 及 LPDDR 产品持续向传输速度更快、容量更大、功耗更低的新代际演进，DDR5 及 LPDDR5 等新一代际产品在服务器、移动设备、个人电脑等市场的占有率持续攀升。
同时，持续发展的新一代信息技术对数据吞吐量有了更高的要求，各大厂商持续探索 DRAM 的新型架构及制造封装工艺，推动 DRAM 产品向传输速度更快、容量更大、功耗更低的方向演进。
（3）经济效益驱动 DRAM 工艺水平持续迭代与创新
长期以来，工艺制程的演进是 DRAM 厂商实现成本降低、产品性能提升的重要手段。在更先进的工艺制程下，DRAM 单元尺寸缩小，单位面积内得以集成更多的存储单元，每个比特的存储成本显著降低。同时，晶体管间距的缩小使得电子移动路径有效缩短，对于电压的需求也同步下降，从而实现功耗下降。在数据量高速增长及技术应用创新迭代等多重因素的驱动下，用户对存储容量、传输速度及功耗的要求不断提高。各大厂商通过工艺制程的不断微缩，使得单位内存芯片拥有更高的容量，并具备更快的传输速度以及更低的功耗，在能够显著降低单位成本的同时有效提升产品性能，获取经济效益。
由于漏电流、成本等物理及商业化层面的挑战，DRAM 平面架构演进逼近极限，工艺制程的微缩速度正在放缓。4F²（即 4F Square，是一种单元结构技术）等新型架构通过将晶体管和电容器垂直堆叠，进一步减小了单元面积，是 DRAM 进一步发展的重要技术路径。
四、竞争对手
（一）同行业主要企业情况
公司是我国规模最大、技术最先进、布局最全的 DRAM 研发设计制造一体化企业。行业内主要 DRAM 企业情况如下：
1、三星电子（005930.KS）
三星电子成立于 1969 年，总部位于韩国，于 1975 年在韩国证券交易所上市，是一家国际领先的电子产品的生产和销售企业。三星电子下设设备体验（DX）部门、设备解决方案（DS）部门、三星显示（SDC）等，其中 DS 部门主要提供半导体相关的产品或服务，主要包含 DRAM、NAND、移动应用处理器等半导体产品与晶圆代工服务等。2025 财年，三星电子实现营业总收入 3,336,059.38 亿韩元，净利润 452,068.05 亿韩元。
2、SK 海力士（000660.KS）
SK 海力士成立于 1983 年，总部位于韩国，于 1996 年在韩国证券交易所上市，是一家主要从事半导体存储器的研发设计、生产和销售企业，主要产品包括 DRAM、NANDFlash 等存储芯片。2025 财年，SK 海力士实现营业总收入 971,466.75 亿韩元，净利润429,479.02 亿韩元。
3、美光科技（MU.O）
美光科技成立于 1978 年，总部位于美国，于 1984 年在美国纳斯达克证券交易所上市，是一家从事半导体存储的生产和销售企业，提供 DRAM、NAND Flash、NOR Flash及其他存储产品。2025 财年，美光科技实现营业总收入 373.78 亿美元，净利润 85.39亿美元。
4、南亚科技（2408.TW）
南亚科技成立于 1995 年，总部位于中国台湾，于 2000 年在台湾证券交易所上市，专注于 DRAM 的研发、设计、制造与销售。2025 财年，南亚科技实现营业总收入 665.87亿新台币，净利润 66.13 亿新台币。
五、发行人报告期的主要财务数据及财务指标
2026年1季度
2025年度
营业总收入(元)
508.00亿
617.99亿
净利润(元)
247.62亿
18.75亿
扣非净利润(元)
263.41亿
53.16亿
发行股数 不超过量1,062,225.9999万股，超额配售选择权:
发行后总股本不超过过于7,081,505.7468万股
行业市盈率:53.86倍(2026.7.11数据)
同行业可比公司静态市盈率估值(不扣非):256.31(中芯国际)、92.70(华润微)去除极值174.51
同行业可比公司静态市盈率估值(不扣非):293.81(中芯国际)、186.40(华润微)去除极值240.11
公司EPS静态不扣非:0.03
公司EPS静态扣非:0.08
公司EPS动态不扣非:1.40
公司EPS动态不扣非:1.49
公司EPSTTM不扣非:0.40
公司EPSTTM扣非:0.32
拟募集资金295.00万万元,募集资金需要发行价:2.78元，实际募集资金:亿元。
募集资金用途:1存储器晶圆制造量产线技术升级改造项目2DRAM存储器技术升级项目3动态随机存取存储器前瞻技术研究与开发项目
7月发行新股数量2支。6月发行新股数量4支。今年总共发行47支。
电子 -- 半导体 -- 数字芯片设计
所属地域：安徽省
主营业务：DRAM产品的研发、设计、生产及销售。
产品名称：DDR4、DDR5、LPDDR4X、LPDDR5/5X、RDIMM、MRDIMM、UDIMM、CUDIMM、SODIMM、CSODIMM、LPCAMM、DRAM晶圆
控股股东：无控股股东实际控制人：是否有战略配售:本次发行最终战略配售数量为 166,706.4720 万股，占初始发行数量的 24.93%（超额配售选择权行使前）。
股是否有保荐公司跟投:中金财富、中信建投投资已足额缴纳战略配售认购资金，本次获配股数分别为 115,473,441 股，获配金额分别为 999,999,999.06 元。
(科创板)
行业市盈率预估发行价:4.31元，可比公司预估市盈率发行价静态:13.96元，可比公司预估市盈率发行价动态:19.21元。
实际发行价:8.66元发行流通市值:666.07亿,发行总市值:5878.76亿
价格区间:336.15元,最高:411.33元,最低:260.96元.是否有炒作价值:
动态行业市盈率预估发行价:75.40元。
上市首日市盈率:6.19(动)、21.65(TTM)倍.行业市盈率是否高估: 否 可比公司市盈率是否高估:否
公司EPS动态不扣非:1.40公司EPSTTM不扣非:0.40
EPSPE
是否建议申购:估值没有问题，可以申购。
行业:DRAM行业。
关键字:长鑫科技是我国规模最大、技术最先进、布局最全的 DRAM 研发设计制造一体化企业。自 2016 年成立以来，公司始终专注于 DRAM 产品的研发、设计、生产及销售。
根据 Omdia 的数据，按出货量和销售额统计，公司已成为中国第一、全球第四的 DRAM 厂商。
（1）DRAM1）DDR 系列① DDR4② DDR52）LPDDR ① LPDDR4X② LPDDR5/5X
（2）DRAM 模组
（3）DRAM 晶圆
（4）其他产品及服务
DRAM领域竞争对手:1、三星电子（005930.KS）2、SK 海力士（000660.KS）3、美光科技（MU.O）4、南亚科技（2408.TW）5、长鑫科技
发行价:8.66元，溢价率2672.63%，TTM1009.05%，实际开盘%
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