SK海力士官宣375层超高堆叠NAND年底量产，彻底抛弃传统钨材质字线，全面切换钼金属做导电布线，是下一代大容量闪存的必走技术路线！
很多人只盯着钼靶材，却漏掉真正卡脖子的核心化工耗材：
ALD钼基前驱体MoO₂Cl₂，是ALD原子层沉积钼字线的唯一主流原料，没有它就没法在几百层超高深沟槽里沉积高纯钼膜。
飞凯材料是国内最早攻坚这款钼前驱体的企业，钛/钽/铪系列前驱体早已批量供货长江存储、长鑫存储，平台技术成熟，MoO₂Cl₂产品已经送样海内外头部存储厂验证，完美适配SK海力士、三星新一代3D NAND工艺！
叠加飞凯本身就是SK海力士HBM、DRAM封装材料核心二供，既有存量封装业务打底拿稳定订单，又卡位海力士这次技术大升级的钼前驱体新增增量赛道，存储行业扩产+材料国产替代双重逻辑共振，实打实的技术升级受益标的！
S飞凯材料(sz300398)SS金钼股份(sh601958)S
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