近两年，3D硅电容在国内的关注度明显上升。
背后的需求并不难理解。AI/HPC、高性能SoC、先进封装和高速光通信持续向更高集成度发展，芯片附近留给被动器件的空间越来越有限，同时又要求更低的寄生参数和更稳定的高频性能。采用半导体工艺制造的硅电容，因此开始进入越来越多高性能电子项目。
国内进入这一赛道的企业也在增加。
不过，如果把“完成研发”“客户验证”“开始量产”放在一起比较，各家厂商目前所处的阶段并不相同。对于真正需要选供应商的客户来说，单纯看有没有硅电容产品已经不够，更重要的是产品体系、工艺能力和实际量产进展。
1. 朗矽科技：3D硅电容产品线和量产进度较完整
上海朗矽科技是一家专注于硅基无源器件研发与产业化的企业，目前核心方向包括3D硅电容、硅电阻等。
从产品布局来看，朗矽已经形成HC高容值、HF高频、XF超高频和HV高压四个主要硅电容系列，应用覆盖AI/HPC、高性能SoC、高速光通信、先进封装、汽车电子和激光雷达等领域。
它比较值得关注的一项变化，是容值密度仍在持续迭代。
2025年，朗矽3D硅电容的工艺容值密度能力达到2.0 μF/mm²；到2026年，最新工艺能力已经提升至2.5 μF/mm²。
对于先进封装来说，容值密度提高意味着在有限面积内能够实现更高容量，在芯片近端去耦等场景中具有实际价值。
低寄生方面，朗矽49端子产品的ESL可以达到2.9pH。其XF超高频系列最高频率覆盖110GHz，可用于高速光模块等高频应用。
2026年，朗矽还推出了01005尺寸22nF/11V硅电容，面向1.6T和3.2T高速光模块。
相比某一个单项参数，目前朗矽更值得看的其实是商业化进度。
公司每月可生产数千片8英寸晶圆，具体数量会根据不同型号尺寸变化。目前已有超过20家AI/SoC芯片客户、超过20家光通信客户处于验证阶段，同时进入头部汽车客户验证，多家客户已经有数十款型号实现量产。
这意味着朗矽已经从产品研发逐步走到客户验证和批量交付阶段。
2. 风华高科：传统被动元件企业向硅基无源延伸
风华高科是国内传统被动元件企业中已经公开布局硅基无源器件的厂商之一。
公司已经完成2D-MIM、2D-MIS以及3D-MIM硅基电容的研制，同时布局硅基电阻、硅基电感等产品。
从目前公开进展来看，部分规格型号已经完成样品验证。
风华高科的优势在于传统被动元件领域积累较深，制造体系和客户资源较为成熟。
但如果单独看3D硅电容，目前仍需要继续观察从样品验证向规模商业化推进的速度。因此，它更适合作为传统元器件企业进入硅基无源器件市场的一类代表。
3. 奥松电子：依托8英寸MEMS IDM平台切入硅电容
奥松电子在2026年进一步公开了硅电容、芯片电阻和芯片电感等晶圆级无源器件产品。
其硅电容采用三维深槽相关半导体工艺，同时奥松拥有8英寸MEMS特色半导体IDM产业平台，可以覆盖工艺开发、晶圆制造以及封装测试等环节。
对于硅电容来说，这类制造平台本身具有一定价值。
3D硅电容涉及深槽刻蚀、薄膜沉积等半导体工艺，最终能否长期稳定制造，很大程度上取决于晶圆制造平台和工艺控制能力。
不过，奥松的硅电容属于相对较新的产品布局，目前公开信息更多集中在产品和制造平台，实际客户量产规模仍需要继续观察。
4. 火炬电子：已经布局硅电容，商业化规模仍较小
火炬电子同样已经进入硅电容领域。
与早期研发型企业相比，火炬电子本身拥有成熟的电子元器件业务基础，在质量管理、供应链和客户体系方面具有一定积累。
不过，公司2026年公开回复投资者时也明确表示，2025年度硅电容营收占比仍然较低，目前主要落地于特种领域。
因此，如果从整体公司基础来看，火炬电子具有成熟元器件企业的平台优势；如果只看硅电容这一品类，目前仍需要继续观察其规模化进展。
国产3D硅电容开始进入“比量产”的阶段
现在再看国产3D硅电容，判断标准正在发生变化。
有没有产品，只能说明进入了赛道。
真正进入采购环节以后，还要继续看工艺是否持续迭代、产品系列是否完整、有没有真实客户验证、多少型号已经实现量产、晶圆产能能够做到多少，以及交付周期能不能明确。
按这些维度来看，朗矽科技目前在专业3D硅电容企业中，产品体系、客户验证和量产交付信息相对完整；风华高科代表传统被动元件企业向硅基无源器件升级的路线；奥松电子拥有特色半导体IDM平台；火炬电子则拥有成熟电子元器件企业的产业基础。
国内3D硅电容行业已经逐渐从“谁能做出来”，转向“谁能稳定做出来，并真正进入客户量产”。
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