看好光通信领域MOCVD设备及其核心零部件供应商。LightCounting预计，2026年800G及以上光模块出货约6,300万只，较2025年（2,400万只）增长约2.6倍。在InP扩产周期中，需求由光模块向上游传导至外延环节并被放大，而设备供给受限，使MOCVD成为产业链中兼具瓶颈与弹性的核心环节。磷化铟（InP）是III-V族直接带隙材料，是1.3–1.6μm光器件的标准衬底，在光模块中作为外延平台，承载多量子阱结构，用于实现激光器、调制器及探测器等核心器件，其制造分为“衬底—外延”两阶段：衬底解决材料质量，外延通过MOCVD沉积异质结构，决定器件性能与可量产性。随着6英寸及更大尺寸演进，外延均匀性、良率与通量成为核心约束，MOCVD地位持续提升。
光模块需求快速放量，而InP扩产周期较长，叠加外延环节的需求放大效应及MOCVD设备交付与爬坡约束，设备端出现明显供需错配。
1）需求：据Yole与Omdia，2026年全球InP衬底需求约260–300万片（折2英寸），而有效供给仅约75万片。需求核心来自光模块：单只800G/1.6T模块均需配套InP基激光器与探测器（单只800G光模块通常对应约8对InP激光器与探测器，1.6T模块对应8–16对），头部客户已通过长单锁定产能。
2）供给：①外供商用衬底厂商（如住友电工、AXTInc./北京通美、云南锗业）构成“可交易供给”，格局集中、扩产节奏偏审慎（中期约1.4–2.4倍）。②Coherent、Lumentum等垂直整合器件厂具备InP衬底及外延能力，但主要服务自有光器件产线，基本不对外销售，其扩产对应“内部锁定供给”。两类主体叠加，使得需求上行过程中市场可流通供给增长滞后。传导至外延环节后，供需缺口被进一步放大，叠加MOCVD设备交付周期长、产线爬坡慢，最终在设备端体现为供给约束。
在InP/As-P光通信外延设备领域，MOCVD竞争格局高度集中，由AIXTRON与Veeco主导。根据Yole数据，2024年AIXTRON市占率约77%，Veeco约8%。AIXTRON依托3000+台装机基础及G10-AsP平台，在6英寸InP量产中形成标准化方案，并持续获得头部客户订单；Veeco以Lumina/Lumina+切入As/P体系，在均匀性与成本端具备竞争力，已在光通信产线实现导入。从后续受益逻辑看，AIXTRON偏总量驱动：高市占+深装机基础+6英寸平台标准化，在扩产周期中更依赖既有产线复制；Veeco偏结构驱动：聚焦As/P工艺并持续切入InP光通信产线，主要通过渗透率提升与工艺替代获取增量。
投资建议：InP外延需求受AI数据中心光模块放量驱动进入扩产周期，有望持续拉动MOCVD设备需求。海外设备端建议关注AIXTRONSE（AIXXF.OO）、VeecoInstrumentsInc.（VECO.O）。在此基础上，景气有望向上游设备及相关制造环节传导，建议沿产业链同步布局：1）PCB设备：推荐燕麦科技（688312）、大族数控（301200）、芯碁微装（688630）、东威科技（688700）；2）半导体设备：推荐中微公司（688012）、拓荆科技（688072）；3）其他设备及自动化环节：建议关注光力科技（300480）。
风险提示：宏观经济波动风险、终端需求传导压力、供应链稳定与技术迭代挑战。（爱建证券：王凯）
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