SK海力士"以钼代钨"深度解读
375层NAND背后的材料革命 | 概念股全面梳理
2026年6月11日
时间：2026年6月11日
来源媒体：韩媒 The Elec（现名TheLec.net）独家报道，随后被财联社、搜狐科技等广泛转载。
消息源性质：行业媒体报道，援引"industry sources"（行业人士），非SK海力士官方公告。
SK海力士已完成375层3D NAND闪存的生产验证，正在推进产线落地：
项目
内容
产品
375层 3D NAND 闪存
工厂
清州M15工厂（利用现有产线改造，不新建）
原产线产品
176层 / 238层 / 321层 NAND
量产时间
2026年底前
未来迭代
480层 → 604层
1.3 最核心的技术变更原文（TheLec.net）：
"In the 375-layer product, SK hynix decided to replace part of the tungsten used in the metal gate electrodes, or word lines, with molybdenum."
翻译：在375层产品中，SK海力士决定将字线（Word Line）金属栅极中的部分钨替换为钼。
二、替代的是哪个环节？什么材料？2.1 替代位置：3D NAND 字线（Word Line）字线（Word Line）是3D NAND中连接每一层存储单元控制栅极的水平控制线，相当于每层楼的"电线"。层数越高，字线越长、越细，电阻问题越突出。
2.2 被替代的材料：钨（Tungsten, W）过去25年，钨一直是芯片金属互连的主流材料，主要形式为六氟化钨（WF₆），通过CVD（化学气相沉积）工艺填充字线。
2.3 替代材料：钼（Molybdenum, Mo）2.4 为什么要替代——钨的三大瓶颈瓶颈
详细说明
电阻率飙升
3D NAND层数↑ → 字线线宽↓ → 钨的电阻率急剧上升 → 信号延迟、发热
需额外粘连层
钨与介电材料粘附性差，需要Ti/TiN粘结层 → 挤占导电面积、增加工艺复杂度
CVD填充空洞
钨用CVD沉积，高深宽比极小通孔中易产生填充空洞 → 影响良率和可靠性
2.5 钼的优势对比维度
钨（W）
钼（Mo）
改善
电阻率
随线宽缩小恶化
更低
✅ 信号更快、发热更少
粘附性
差，需额外粘结层
更好，可省略
✅ 节省空间，简化工艺
沉积工艺
CVD（易空洞）
ALD更适配
✅ 台阶覆盖优，填充均匀
375层以上适用性
接近物理极限
适用
✅ 高层数架构必选方案
三、三星已先行：这不是孤立事件公司
产品
钼应用时间
三星
第9代 286层 V-NAND（已量产）
2024年4月起已在金属布线中使用钼
三星
第10代 400层+ V-NAND
2026下半年推出，钼应用扩大
SK海力士
375层 3D NAND
2026年底量产，首次字线部分钼代钨
三星钼采购量预测（行业测算）：
· 2025年：约4吨 → 2026年：约10吨（翻倍）→ 2030E：约80吨
· SK海力士从2027年开始大规模导入，初期年采购量约4吨。
四、产业链影响与概念股全梳理�� 第一梯队：直接受益，弹性最大1. 金钼股份（601958）核心逻辑：国内钼行业绝对龙头，全产业链布局，估值最低。
项目
内容
钼矿产能
约2万吨/年（国内最大）
高纯钼粉
6,000吨/年
钼靶材
500吨/年，G6代整靶打破垄断
靶材认证
已通过三星、京东方认证
估值
PE仅10倍出头
一句话：既有矿（涨价），又有靶材（半导体需求），目前逻辑最纯、弹性最大的标的。
2. 隆华科技（300263）核心逻辑：国内钼靶材市占率>50%的龙头，面板+半导体双驱动。
项目
内容
靶材子公司
丰联科光电
钼靶材市占率
国内>50%
主要客户
京东方、TCL华星、三星（2026年新导入）
半导体拓展
正在积极开拓半导体IC靶材
2025年靶材收入
约8.21亿（+21%）
⚠ 注意：目前靶材收入主要来自显示面板，半导体IC靶材尚在突破中。
3. 江丰电子（300706）核心逻辑：半导体靶材全球第二，钼靶材已量产。
· 客户：台积电、SK海力士、中芯国际等全球头部晶圆厂。
· 钼靶材已量产，但钼靶材占收入比例不高，弹性不如金钼和隆华。
�� 第二梯队：间接受益4. 雅克科技（002409）前驱体平台，若未来拓展钼基前驱体品类可受益。但钼前驱体非核心产品，弹性有限。
5. 泛林集团（Lam Research，美股LRCX）其ALTUS Halo是全球首款钼ALD专用设备，直接受益。
6. 东京电子（Tokyo Electron）海力士最终选用TEL炉式设备替代Lam的单片方案。设备商确定性受益。
❌ 潜在利空方向公司
利空逻辑
中船特气（688146）
六氟化钨（WF₆）龙头供应商，钨被钼替代→需求增速放缓
中巨芯（688549）
六氟化钨600吨产能，同样受需求结构变化影响
五、总结与风险提示5.1 事件时间线· 2024年4月：三星第9代286层NAND首次引入钼 → 行业验证可行性
· 2025年起：Lam Research推广ALTUS Halo钼ALD设备
· 2026年6月11日：SK海力士宣布375层NAND以钼代钨 → 行业趋势确认
· 2026年底：海力士375层NAND正式量产
· 2027年起：钼采购量逐年攀升
5.2 核心受益概念股排序排名
公司
代码
核心逻辑
��
601958
钼矿+钼粉+钼靶材，全产业链，估值低
��
300263
国内钼靶材市占率>50%
��
300666
半导体靶材全球第二，钼靶材已量产
4
002409
前驱体平台，钼前驱体拓展受益
5.3 风险提示· 消息来源为行业媒体，非上市公司/海力士官方公告，需关注后续正式披露
· 钼代钨在375层产品中为部分替代，并非完全取代钨
· 钼前驱体固态特性增加工艺难度，大规模推广仍需验证
· 概念股短期受情绪影响涨幅可能较大，注意回调风险
· 海力士2026年底才开始量产，业绩贡献需要时间兑现
▎ 一句话总结
SK海力士375层NAND"以钼代钨"替代的是3D NAND字线中的传统钨材料，解决高层数架构下的电阻和填充瓶颈。三星已于2024年率先采用，海力士2026年底跟进，行业趋势明确。A股最直接受益标的：金钼股份（全产业链）、隆华科技（钼靶材龙头）、江丰电子（半导体靶材专业户）。
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