据韩国经济日报报道,SK海力士近日在IEEE(电气与电子工程师协会)全球半导体大会上发表论文,提出了一种全新的存储架构。据悉,该架构名为“H³(hybrid semiconductor structure)”,同时采用了HBM和HBF两种技术。
在SK海力士设计的仿真实验中,H³架构将HBM和HBF显存并置于GPU旁,由GPU负责计算。该公司将8个HBM3E和8个HBF置于英伟达Blackwell GPU旁,结果显示,与单独使用HBM相比,这种配置可以将每瓦性能提升高达2.69倍。

通过在HBF中存储KV缓存,GPU和HBM可以减轻存储KV缓存的负担,从而专注于它们在高速计算和创建新数据方面的优势。SK海力士模拟了HBF处理高达1000万个令牌的海量键值缓存的场景,结果表明,与仅使用HBM的配置相比,该系统处理并发查询的能力提升了高达18.8倍。
从产业层面来看,SK海力士、三星、闪迪等均在推进HBF技术研发。SK海力士计划最早于今年推出HBF1(第一代产品)样品,该产品预计采用16层NAND闪存堆叠而成。三星电子和闪迪则计划最快在2027年底或2028年初将HBF技术应用于英伟达、AMD和谷歌的实际产品中。
雅克科技是A股唯一打入 HBF/HBM 全球核心供应链的材料企业,凭借 7N 级超高纯度技术壁垒,成为 SK 海力士 HBF 介电层前驱体独家供应商,同时深度切入三星 HBF 供应链,在 HBF16 层堆叠带来的材料用量数倍激增背景下,开启量价齐升的超级成长周期!
HBF 与 HBM 技术同源,16 层 NAND 垂直堆叠对前驱体的纯度、稳定性要求达到极致,雅克科技子公司 UP Chemical 量产的前驱体纯度达 99.99999%(7N 级),金属杂质控制在 0.1ppt 级别,是全球仅有的三家能满足该要求的企业之一,与德国默克、日本信越形成全球三足鼎立格局,更是国内唯一实现 HBF/HBM 前驱体量产的企业,技术壁垒高筑,国产替代无可替代。
独家绑定:深度卡位全球存储巨头,订单排至 2031 年!公司是SK 海力士 HBF 介电层前驱体独家供应商,供应份额占其采购量的 60%,订单已排至 2031 年,2025 年仅该业务就贡献营收 15 亿元;同时产品已通过三星 HBF 供应链认证并实现小批量供货,随着三星 2027-2028 年 HBF 商业化落地,公司将迎来订单放量。依托收购韩国 UP Chemical 获得的 120 + 项核心专利,雅克科技成为全球存储巨头的 “核心材料库”,在 HBF 产业化进程中占据绝对先发优势。
HBF1 采用 16 层 NAND 堆叠,较常规 NAND 材料用量提升数倍,而 H³ 架构 “8HBM+8HBF” 的组合进一步放大材料需求,叠加存储芯片涨价潮下前驱体价格同步上调 5%-8%,公司实现量价齐升。目前公司国内前驱体新产线 2025 年底已投产,产能提升 50%,韩国 UP Chemical 扩产计划也已启动,2026 年 Q1 产能再增 40%,充分匹配 SK 海力士、三星等巨头的 HBF 量产需求,2026 年 HBF 相关业务营收占比有望突破 55%,成为第一增长曲线。
赛腾股份是A 股唯一、全球唯三实现 HBF/HBM 全制程检测设备量产的企业,凭借 0.1μm 极致检测精度、深度绑定三星 / SK 海力士的客户壁垒,成为 HBF16 层高精度堆叠的核心设备供应商,在 HBF 检测设备国产化率几乎为 0 的背景下,独享设备端千亿市场红利,半导体业务高增驱动公司估值重构。
技术壁垒:全球唯三,全制程覆盖 HBF 检测需求HBF16 层 NAND 堆叠对检测设备的精度、兼容性要求极致,公司通过收购日本 Optima 掌握 HBF/HBM 全制程检测核心技术,检测精度达 0.1μm,覆盖 TSV 缺陷检测、3D 堆叠层间对准、封装后带宽测试全流程,完美适配 HBF16 层堆叠需求,与科磊、应用材料形成全球三足鼎立格局,是国内唯一能满足全球存储巨头 HBF 检测需求的企业,技术壁垒短期内无法突破。
客户硬核:深度绑定三星 / SK 海力士,订单批量落地作者声明: 本文转载自第三方,旨在提供资讯参考,并非证券推荐或投资建议。作者对内容的真实性、准确性不承担保证责任。本文不构成任何投资建议或证券推荐。截至发文日,作者与文中提及的标的不存在持仓关系。