南大光电:磷化铟外延环节的核心特气供应商

2026-03-20 09:48:539
四氟化锗与三氟化磷项目进展:公司年产3吨四氟化锗、20吨三氟化磷项目已进入试生产阶段,产品主要应用于集成电路芯片制造。四氟化锗作为高纯电子特气,主要用于半导体制造中的沉积和蚀刻工艺。

子公司飞源气体已实现6N级高纯磷烷国产化,成为磷化铟外延环节的核心特气供应商,绑定三安光电光迅科技等头部客户。

试生产阶段
公司年产3吨四氟化锗、20吨三氟化磷项目已进入试生产阶段,产品主要应用于集成电路芯片制造。该项目环境影响评价于2025年1月获批,目前进展符合预期。
技术应用领域
四氟化锗作为高纯电子特气,主要用于半导体制造中的沉积和蚀刻工艺。公司明确表示当前产品聚焦集成电路领域,暂未涉及光纤通信或商业航天应用。



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