晶升股份：碳化硅设备周期反转+磷化铟设备+氮化铝设备

晶升股份：半导体扩产核心铲子股半导体紧缺扩产潮，原材料的需求将获重要增长，#而长晶炉是最关键的设备！晶升的长晶炉主要包含：➠碳化硅SiC（功率、先进封装）；➠硅片（存储、算力芯片）等。在手订单是去年营收三倍，#订单已排至十月底。碳化硅：功率，下一个存储➠6.28 央视财经报道，功率半导体持续火爆，供给难以保证不断增加的需求。➠6.14 韩国政府直接将下一代功率半导体（SiC等）定义为“堪比存储芯片的核心战略产业”。硅片：半导体核心原材料➠6.29 韩国宣布将大力投入存储等芯片产业扩产。我们认为碳化硅衬底、硅片作为芯片最核心的材料，最充分受益于半导体紧缺的红利，而晶升作为材料最核心长晶炉供应商，弹性将远高于一般领域，坚定看好500e空间！

再强call【晶升股份】，调研反馈超预期！硅片设备可能超预期！

【1】订单已排至10月下旬，在手订单超去年收入3倍！

【2】涨价趋势明确，公司已主动放弃60台低毛利订单，需求旺是驱动价格上涨核心动力。

【3】9月开启千台以上新产能和厂房建设，产能翻倍。主要为12寸sic设备和单价更高的半导体设备

【4】台湾已供货百台sic设备，12寸目前还在小批量阶段

【5】12寸 sic价格200万，8寸价格几十万-200万

【强call】SIC设备需求起量，按照27年2200-2500台产能，均价150万算对应8-10亿利润，给250-300亿市值3倍！

【空间】长期看29年底台积电约1万台需求，百亿市场空间公司在台湾份额8成，可看10倍空间！

被忽略的大硅片铲子股

晶升不仅有SiC，还有半导体硅业务，根据年报，客户包括沪硅产业、立昂微等，通过4月新收购的公司切入西安奕材等。如大硅片需求激增，设备需求同样有望爆发。

晶升股份｜磷化铟（InP）高压长晶炉

产品名称：电阻加热高压长晶炉

设计目标：高压熔液提拉法，适配磷化铟 InP、砷化镓 GaAs、碲锌镉 CZT晶体生长，官网、年报均公示该产品。
技术来源：独立新平台，不是 SiC‑PVT 炉，磷化铟生长需要严格控制磷的高压蒸气压，腔体、控温、气氛系统专门设计。
下游：磷化铟衬底，用于 800G/1.6T 光模块、CPO、高速光芯片。

晶升股份｜氮化铝（AlN）长晶炉完整梳理氮化铝长晶炉（PVT 法）官网公开产品，采用物理气相传输法，面向 AlN 单晶衬底制备，超高温腔体，用于深紫外 LED、射频器件、高导热散热衬底、激光器件。氮化铝原料提纯炉 ANET920 系列年报披露产品，用于氮化铝原料提纯，降低氧碳杂质，服务 AlN 长晶前道工序。底层技术复用：和碳化硅 PVT 长晶炉技术同源，都是超高温 PVT 腔体平台，属于同技术平台衍生新产品，不用从零搭建整套体系。

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