9月28日晚长鑫科技公告拟合计349亿元加码合肥基地建设：241亿元投向技术研发（超募130亿、设备占比93%、周期30个月）攻坚下一代DRAM工艺，108亿元投建存储器晶圆后道测试基地二期（超募50亿注资子公司、设备占比76%、周期37个月）补齐测试与模组组装产能。此举在AI拉动DRAM供需持续偏紧、公司G5已量产且份额向全球第四巩固的背景下，直接强化工艺迭代与IDM闭环，破除后道测试瓶颈并锁定供应链安全，中长期产能爬坡与国产替代份额提升逻辑进一步夯实，资本开支上行同步外溢设备材料与封测配套订单。
关注：深科技/香农芯创（封测与分销深度绑定出货扩张），中微公司/拓荆科技/万润股份（设备材料受益资本开支）
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