一、半导体玻璃配方/低膨胀基体（核心材料专利）
1. 一种基板玻璃、玻璃型材及制作方法（申请号：CN202510855045.X，发明专利，2025-10-29申请）
◦ 核心：高铝硅/超低膨胀配方，Tg640–820℃、热膨胀匹配硅片、低翘曲、适配CoWoS/HBM临时键合/TGV载板
2. 一种耐高温低膨胀半导体封装玻璃（相关申请）
◦ 核心：SiO₂‑Al₂O₃‑B₂O₃体系，精准调控热膨胀系数(CTE)接近硅、低应力、耐高温、适配先进封装制程
3. 一种低介电损耗特种玻璃组合物
◦ 核心：适配高频/高速信号、低介电常数、适配TGV玻璃载板布线需求
二、高纯熔炼/瓷铂连熔窑炉工艺（量产壁垒专利）
1. 一种半导体玻璃全氧连续熔炼工艺
◦ 核心：自研瓷铂连熔窑炉+一次全氧熔炼；超高纯度、低气泡/杂质、均匀性；解决半导体级玻璃原片高纯量产难题；全球仅4家掌握、国内唯一
2. 一种高均匀度玻璃熔体澄清装置及方法
◦ 核心：高温澄清、除泡除结石，保障半导体玻璃光学均匀性、无缺陷
三、超薄/超平整、超薄原片成型、精密加工
1. 一种玻璃薄料成型装置（CN102351404A）
◦ 核心：一次超薄成型、纳米级平面度、超薄基板、低翘曲(
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