🌟掩膜版是晶圆制造第三大材料，而空白掩膜版是其上游最卡脖子的环节
首先空间上，掩膜版是仅次于硅片和电子特气的第三大晶圆制造材料，#市场空间百亿量级。同时掩膜版的品质直接决定下游良率，而空白掩膜版的壁垒高于掩膜版本身，格局也更为集中，且随着制程下探，光衍射效应加剧，掩膜版及空白掩膜版的图形精度要求及其严苛的基板高平整和低缺陷。当前国内半导体掩膜版国产化率约10%、高端仅约3%；空白掩膜版环节更为严峻，DUV基板国产化率几乎为零，#由此成为继光刻胶之后国产光刻材料链条上最具紧迫性的“最后一块拼图”。
🌟制程节点缩进、先进制程多重曝光与先进封装三重叠加，（空白）掩膜版显著受益于技术通胀趋势。
#掩膜版需求兼具设备属性与耗材属性，新增产线、新品流片与半导体技术迭代带来增量光罩需求。例如，制程节点缩进带动掩膜版层数增加，130nm节点所需掩膜版层数约30层，28nm增至约50层，14nm/10nm节点达到60层；同时多重曝光将单层掩膜数量由1张提升至2-4张甚至更多，制造复杂度与单价同步抬升；此外CoWoS等先进封装对掩膜版提出更小线宽、更大面积、更高套刻精度的要求。
🌟日系长期垄断，（空白）掩膜版亦显著受益于国产化落地趋势，#当前是验证导入与产能落地的关键窗口。
EUV掩膜基板由日系掌控九成以上供给，而空白掩膜版全球供给由日本Hoya、信越、AGC占据约83%份额，对日替代已成为产业链的共同主线。
#空白掩膜版方面，聚和材料已完成对SKEnpulse株式会社空白掩膜版业务的收购交割，其产品为适配DUV-ArF及KrF半导体光刻工艺的掩膜基板，已通过SK海力士、TMC等客户认证并批量供货。
#掩膜版方面，清溢光电已量产180nm、150nm小批量量产并推进130-40nmPSM/OPC与28nm工艺开发规划，国产进程如火如荼。
💐‼️#重点标的：聚和材料（空白掩膜版）/清溢光电（掩膜版）。
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