1）光刻胶（最关键）
- KrF（248nm）/i线（365nm）常规胶：成熟制程扩产 → +30%~50%。
- 先进封装厚膜负胶（10–100μm）、RDL/Bumping专用胶：爆发 → +200%~300%。
- EUV胶：需求走弱 → 0或负增长。
2）硅片
- 12英寸成熟制程硅片：面积略增、密度上修 → +20%~40%。
- 超薄晶圆/临时键合硅片（3D用）：新增量 → +100%~200%。
3）靶材（Cu、Ti、Al、W）
- 常规互连靶材：层数增多 → +30%~60%。
- TSV/3D堆叠用高纯度靶材（W、Cu）：用量暴增 → +150%~300%。
4）CMP抛光液/垫
- 成熟制程平坦化：略增 → +20%~40%。
- 3D堆叠、超薄晶圆、混合键合抛光：新增高值 → +100%~250%。
5）电子特气
- 成熟制程用普通特气：+20%~40%。
- 高纯度沉积/刻蚀特气（3D/ALD用）：+100%~200%。
6）掩模版
- DUV/KrF掩模：用量↑、复杂度↑ → +30%~50%。
- EUV掩模：需求↓ → 0或负增长
韬定律不追求把线宽做小，但要把“层数/互连/封装”做厚、做密、做多，因此对成熟制程材料用量温和抬升（+20%~50%），对先进封装/3D堆叠相关材料是爆发式增长（+100%~300%），而EUV级高端材料需求被弱化。
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