焜腾红外现已建成并投产III-V族（砷化镓、磷化铟、氮化镓）的化合物半导体芯片工艺加工平台
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集成电路芯片技术发展呈现出两个主要特点:一是继续延续摩尔定律，以集成电路制程微细化为特征，技术上满足更先进制程，提高集成度和功能，同时兼顾性能及功耗；二是随着人工智能升级的需求增加，为提升高性能单芯片的集成度与复杂性，优化性能与功耗，集成电路行业正在从系统级芯片向系统级封装的转型。
集成电路产业发展对半导体硅片提出更高的技术要求，包括单晶晶体缺陷、晶体中氧碳及掺杂物质的均匀分布、平整度等加工精密度参数、体金属浓度和表面金属浓度等纯度指标。同时为了突破硅材料性能的局限性，与其他材料的整合成为重要路径，比如结合键合工艺开发的绝缘体上硅(SOI)、通过应变引入实现能带调制的应变硅、硅基氮化镓等都已实用化，未来硅与磷化铟、石墨烯、硫化钼等材料的结合可能是后摩尔时代硅材料的重要发展方向。
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