韬定律V2关键技术：混合键合，实现垂直逻辑分区最优解
韬定律V2突破传统3D堆叠「仅能按功能宏块分层」的行业局限，将3D设计从离散宏块优化升级为单元级连续全局优化。在混合键合间距逼近顶层金属布线尺寸的场景下，实现垂直逻辑分区的最优解，彻底激活成熟工艺的性能潜力。
同兴达：控股子公司昆山日月同芯在半导体先进封测技术方面已掌握并沉淀了金/铜镍金凸块Bump、FC等先进封装的关键技术，持续研发储备了化学镀、硅通孔（TSV）、重布线（RDL）和混合键合（HybridBonding，HB）等关键技术。
百傲化学：混合键合设备作为先进封装领域的核心设备，子公司芯慧联芯聚焦混合键合设备研发，目前已实现核心设备的全流程工艺自研。
迈为股份：公司高选择比刻蚀设备及混合键合设备等可用于DRAM（高带宽存储器HBM）工艺。公司刻蚀和薄膜沉积设备已广泛应用于存储芯片、逻辑芯片制造领域。
盛合晶微：公司正在推进3DIC的研发及产业化工作，在技术路线上全面涵盖微凸块和混合键合等主流方案。
北方华创：公司布局3D集成核心混合键合装备，自研12寸芯片对晶圆、晶圆对晶圆键合设备，突破高精度对位、无空洞键合核心技术，覆盖 HBM、Chiplet 等高算力芯片封装需求。
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