11月6日，长江存储第四座工厂的目标传出来：国产设备至少买六成，争取做到七成。但四厂还在跟供应商谈，设备订单一张没下，动工要等到2027年。报道说的是设备的采购占比。设备里面的零件，另算。
2027年多出来的四到五成，压在两家存储厂身上
按现在的排单，2027年国内买设备的钱，比今年多四到五成。这个数还没发生。几条线的片数能数出来，可一片产能要配多少钱的设备，没人公开算过。长江存储这边，一厂满了，里面大半是海外设备。二厂国产设备占两成多，还有1万到2万片没铺满。到三厂，国产设备头一回过半——四厂那个七成，就是从这儿往上加的。三厂瞄准296层NAND，5万多片。NAND是断电不丢数据的闪存，把存储单元一层层摞起来，层数越高，一片晶圆上存的东西越多。晶圆就是那片圆形的硅片，12英寸是现在的主流。设备已经招完标，正在进场。三星在西安改造产线做286层，SK海力士把大连从192层往240层以上推。长存三厂做296层，四厂要做300层以上。在中国NAND市场，长存的份额2025年是28%，2026年二季度到了38.5%，超过三星。四厂五厂还没到买设备这一步。四厂要做300层以上，2027年动工。厂房盖起来还得装洁净室、通气通水，机器才进得去。所以“2027年下半年四期五期设备进场”这个说法，跟动工时间对不上。设备什么时候进，要看招标。长鑫那边的数有两个。对外说2027年增20万片，按设备实际能跑出来的速度算，15万片更接近。二期本身2万多到3万片。新东西是HBM，也就是高带宽内存：把DRAM一层层摞起来，用硅通孔上下连起来，给AI加速卡做配套。新桥二期三期都带HBM，上海临港有一条4万到5万片的HBM专线。头一批先扩1万片，对应3万片产能，加上原有的DDR3，合起来4万到5万片。订单比进场早。2026年二季度接单最集中，四季度还有一波。设备厂现在报的交期，2027年下半年是常态，一部分排到2028年。排到2028年，意思是产线占满了，不等于这笔钱当年能确认。设备进场、跑片、验收，再到确认收入，中间隔着一整轮工艺磨合。客户验收那天，看的是这台机器能不能在自己的工艺上连续跑出合格片子。开机不算数。先进逻辑这条线，量比存储小得多。它卡在高端光刻机上。光刻是把电路图形印到晶圆上的那一步，也是整条线上最贵的机器。1980I还买得到，1980I以上的机型买不到。用多重曝光能做等效5纳米、4纳米，代价是掩膜层数翻倍，工序变长，良率往下掉。华虹六厂在给壁仞做流片和7纳米小芯片，产能放在长江存储和长鑫面前，不算大。
五个腔体，十个电源
存储扩产卡的不是光刻机，是刻蚀、沉积、清洗。设备厂能不能交货，看机台里塞了什么件。刻蚀是把多余的材料挖掉，沉积是往上铺薄膜，清洗是把残留冲走。前道设备的钱，大半花在这三步。在一部分刻蚀机上，射频电源和匹配器能占到设备成本的15%到20%，是单项里最大的一块。一个腔体上下两个电极，配两个电源、两个匹配器。五腔体的机器，就是10个电源、10个匹配器。电源把功率送进腔体，把气体打成等离子体；匹配器让功率别反弹回电源。电源换个型号，整台设备的工艺参数要重调一遍，客户那条线也得重验一轮。所以设备厂一旦用惯一家，就不太愿意换。气体管路和阀门占10%到12%。MFC按先进工艺配，五腔体60颗，一颗一万五，90万元。真空泵一台配2到3个，主泵是分子泵，罗茨泵和附属泵跟着配。再往下是静电卡盘。它靠静电把晶圆吸在台面上，一片12英寸硅片就在这个台面上走完一道刻蚀或者一道沉积。这个件没有通用型号，一套腔体配一款，换设备就得重新开，产品之间不通用。卡盘里的电极是烧在陶瓷里的。陶瓷致不致密、平不平，决定吸得牢不牢、温度匀不匀。这东西现在供不应求，良率还不高，国内能做12英寸的厂不多。按钱估，全行业的零件国产化率是十几个百分点。射频电源不到20%。
那七成是整机，零件那头是多少
中微公司董事长尹志尧这几年老被问同一个问题：零件到底国产了多少。他给的数一直没变：刻蚀机六成在国内买，MOCVD八成。每次他都补一句：这六成到八成里，有一部分是外国公司在中国开的子公司做的，剩下两到四成还得进口。四厂能多买国产设备，可一台机器上千个零件，一个个点，国产的比例要低得多。2023年，高凯技术在半导体上做了503万元的MFC。2024年，2984万。2025年，3043万。三年六倍，最后一年只多了59万。销量还退了一点：2024年4555套，2025年4368套。退的原因不在需求。2025年末的MFC在手订单，比上一年末多了一大截——单子接住了，货还在排期。按型号拆开，数就变了。2024年压差式只出了18套，2025年240套，十三倍。可它只占这家公司半导体MFC销量的5.49%。剩下94.51%，还是热式。压差式贵：一套平均一万零九百，热式六千七，贵六成。贵在精度和响应——气体流量差一点，片子的结果就不一样。240套，一台设备要几十颗，一条产线要几百台机器。这些量放进去，连一条线的零头都不够。
射频电源有四家在追，量检测最慢
射频电源，国内有四家在追。恒运昌和英杰电气起步早，英杰早期跟中微绑得深，恒运昌靠拓荆的设备份额起量，起家做的是AE电源的维修。华晟电子2025年才成立，从北方华创体系里出来，做射频电源、MFC和真空计，在北方华创体系里的匹配器和电源份额约80%。神州半导体从应用材料RPS等离子电源的维修做起，现在自己做电源。Gas Box是把阀门、MFC、压力控制器塞进一个壳子里的模组。它要同时管好几路气体的压力和流量，还不能漏。交过来是一整套系统，不是一只阀。海外是超科林、艾克尔、富士金，国内正帆科技和富创精密2022年前后进来。阀门管路里，新莱应材做真空阀，对着VAT替代；聚克流体做Block集成气路模组；中科科尔做减压阀、隔膜阀和EP管。金属件和陶瓷件是两拨人。腔体、均气盘、基座、内衬，做的是富创精密、托伦斯、靖江先锋，托伦斯跟中微绑得深，成熟设备的腔体很大一部分由它供；静电卡盘和陶瓷结构件，做的是苏州珂玛、臻宝科技、卡贝尼，珂玛原来是应用材料的氧化铝供应商。真空泵，海外是爱德华、普发、荏原，国内是中科仪、京仪装备、沈科仪和杭州核磁。磁悬浮泵用得少，分子泵和罗茨泵多。量检测是最慢的一块。刻蚀完要知道刻得对不对：线宽差几纳米，侧壁直不直，缺陷在哪。暗场打散射光，颗粒和缺陷在暗背景上发亮，容易看见；明场看图形本身，线宽和套刻准不准靠它。中科飞测的暗场已经有国产设备在用，明场还差一截。上海精测的膜厚检测能用；中微旗下的超威做电子束检测，还在内部测试。长江存储这类产线上，国产量检测设备买得不多。
订十个海外零件，两年只到四个
射频电源、真空泵、静电卡盘、蝶阀、真空阀、薄膜阀、隔膜阀、MFC，这些件都买得到，问题是慢和贵。十个零件的单子发出去，两年回来四个，剩下六个没交期。海外供应商不会因为需求翻倍就跟着扩产，一般只加一点，交期就往后拖。设备厂的办法是囤。以前囤一年到一年半的用量，现在囤一年半到两年。一家厂一年用1000个关键件，订单多五成，用量到1500个。库存从一年拉到一年半，当年下的单比1500个还多。多出来这截，不是产线要的，是怕断供。产线和仓库同时下单，件更紧，交期更长，价更贵。等交期缓过来、库存垫够，怕断供那部分先退，产线要的那部分留下来。Gas Box上已经看得出来。2025年这个行业还在被压价，2026年明显好转，开始涨价。这个模组国产化率现在还不到20%，供应链已经能全国产。2028年中国大陆Gas Box市场接近200亿元。谁在买？干法设备在扩产，国产设备占比在涨，还有越来越多的设备厂干脆把整条气路外包出去。
先进封装慢一档，长电和通富的线上已经有国产设备
先进封装的设备，2027年只增10%到15%，是这几块里最慢的。先进封装是把多颗芯片在封装环节摞起来、连起来，不再靠缩小线宽换性能。它慢，因为排产跟着HBM走。HBM要把多层DRAM晶圆摞起来。现在主流是先在硅片上打上万个孔、填铜，也就是硅通孔；把晶圆磨薄，再一层层对位压合，层与层靠微凸点连通，缝里灌模塑材料。混合键合是把两片晶圆的铜垫直接压在一起，不用凸点也不用焊球。散热好，可它是往20层以上走的下一代方案，现在还没成为所有HBM的标准做法。前道的高深宽比产能扩不快，后道的封装设备就起不来。这一段能增多少，要看长鑫的HBM产线什么时候形成有效产能。
零件那头，一年240套
四厂想要七成。可到交货那天，客户不问这台机器用了多少国产零件。风险提示：文中提及公司仅为技术路径说明。内容只作为研究，不作为投资建议。作者声明： 本文转载自第三方，旨在提供资讯参考，并非证券推荐或投资建议。作者对内容的真实性、准确性不承担保证责任。本文不构成任何投资建议或证券推荐。截至发文日，作者与文中提及的标的不存在持仓关系。